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1. WO2020121651 - 半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法

公開番号 WO/2020/121651
公開日 18.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/041289
国際出願日 21.10.2019
IPC
H05K 3/46 2006.01
H電気
05他に分類されない電気技術
K印刷回路;電気装置の箱体または構造的細部,電気部品の組立体の製造
3印刷回路を製造するための装置または方法
46多重層回路の製造
H01L 23/12 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
12マウント,例.分離できない絶縁基板
H05K 3/00 2006.01
H電気
05他に分類されない電気技術
K印刷回路;電気装置の箱体または構造的細部,電気部品の組立体の製造
3印刷回路を製造するための装置または方法
出願人
  • 三菱瓦斯化学株式会社 MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. [JP]/[JP]
発明者
  • 平野 俊介 HIRANO, Syunsuke
  • 加藤 禎啓 KATO, Yoshihiro
  • 小柏 尊明 OGASHIWA, Takaaki
代理人
  • 稲葉 良幸 INABA, Yoshiyuki
  • 大貫 敏史 ONUKI, Toshifumi
  • 内藤 和彦 NAITO, Kazuhiko
優先権情報
2018-23466514.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD FOR MANUFACTURING PACKAGE SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR ELEMENT MOUNTING
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT DE BOÎTIER POUR INSTALLATION D'ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法
要約
(EN)
Provided is a method for manufacturing a package substrate for semiconductor element mounting, said package substrate being provided with an insulating layer and a wiring conductor disposed on the insulating layer, wherein the method comprises: a first substrate formation step (a) of forming a laminate and forming a first substrate by heating and pressurizing the whole laminate, said laminate including, on both sides of a core resin layer with a thickness of 1 µm to 80 µm, a first metal layer having a thickness of 1 µm to 70 µm and being separable from the core resin layer, a first insulating resin layer, and a second metal layer; a patterning step (b) of forming a pattern on the second metal layer of the first substrate; a second substrate formation step (c) of forming a second substrate by heating and pressurizing a laminate formed by disposing a second insulating resin layer and a third metal layer on the surface of the second metal layer of the first substrate; and a separation step (d) of separating a third substrate provided with the first metal layer, the first insulating resin layer, the second metal layer, the second insulating resin layer, and the third metal layer from the core resin layer.
(FR)
L'invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat de boîtier pour installation d'élément semi-conducteur qui est équipé d'une couche isolante et d'un conducteur de câblage agencé sur cette couche isolante. Le procédé de l'invention inclut : une première étape de formation de substrat (a) au cours de laquelle sur les deux faces d'une couche de résine centrale de 1μm à 80μm d'épaisseur, est formé un stratifié dans lequel sont disposées une première couche métallique de 1μm à 70μm d'épaisseur et pouvant être pelée vis-à-vis de la couche de résine centrale, une première couche de résine isolante et une seconde couche métallique, le stratifié est soumis en une seule fois à un chauffage et une compression, et un premier substrat est formé ; une étape de modelage des contours (b) au cours de laquelle un motif est formé sur la seconde couche métallique du premier substrat ; une seconde étape de formation de substrat (c) au cours de laquelle une seconde couche de résine isolante et une troisième couche métallique sont disposées à la surface de la seconde couche métallique dudit premier substrat, le stratifié formé est soumis à un chauffage et une compression, et un second substrat est ainsi formé ; et une étape de pelage (d) au cours de laquelle un troisième substrat équipé de la première couche métallique, de la première couche de résine isolante, de la seconde couche métallique, de la seconde couche de résine isolante et de la troisième couche métallique, est pelé vis-à-vis de la couche de résine centrale.
(JA)
絶縁層と絶縁層上に設けられた配線導体とを備えた半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法であって、厚さが1μm~80μmのコア樹脂層の両面に厚さが1μm~70μmであり且つコア樹脂層から剥離可能な第1の金属層と第1の絶縁性樹脂層と第2の金属層とが配置された積層体を形成し、積層体を一括で加熱加圧して第1の基板を形成する第1の基板形成工程(a)と、第1の基板の第2の金属層にパターンを形成するパターニング工程(b)と、前記第1の基板の第2の金属層表面に第2の絶縁性樹脂層と第3の金属層とを配置して形成した積層体を加熱加圧して第2の基板を形成する第2の基板形成工程(c)と、コア樹脂層から、第1の金属層と第1の絶縁性樹脂層と第2の金属層と第2の絶縁性樹脂層と第3の金属層を備えた第3の基板を剥離する剥離工程(d)と、を含む。
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