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1. WO2020121588 - プラズマ処理装置

公開番号 WO/2020/121588
公開日 18.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/029630
国際出願日 29.07.2019
IPC
H01L 21/3065 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
出願人
  • 株式会社日立ハイテク HITACHI HIGH-TECH CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 岩瀬 拓 IWASE Taku
  • 磯崎 真一 ISOZAKI Masakazu
  • 横川 賢悦 YOKOGAWA Kenetsu
  • 森 政士 MORI Masahito
  • 佐山 淳一 SAYAMA Junichi
代理人
  • ポレール特許業務法人 POLAIRE I.P.C.
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PLASMA TREATMENT DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT PAR PLASMA
(JA) プラズマ処理装置
要約
(EN)
In order to enable independent control of both the node distribution and the center height distribution of the plasma density distribution, and thus make it possible to subject a sample to a plasma treatment having even more highly precise uniformity of treatment, this plasma treatment device is configured to include: a vacuum vessel in which a sample is subjected to plasma treatment; a high-frequency power source that supplies high-frequency power for generating plasma; a stage on which the sample is placed; and a magnetic field formation unit that forms a magnetic field inside the vacuum vessel, and is disposed outside of the vacuum vessel. The magnetic field formation unit is equipped with: a first coil; a second coil that is disposed inward of the first coil, and has a diameter smaller than the diameter of the first coil; a first yoke that covers the top and side surfaces of the first coil and the vacuum vessel, and has the first coil disposed therein; and a second yoke that covers the second coil along the circumferential direction of the second coil, and has an opening at the lower side of the second coil. 
(FR)
Afin de permettre une commande indépendante à la fois de la distribution de noeuds et de la distribution de hauteur centrale de la distribution de densité de plasma, et permettre ainsi de soumettre un échantillon à un traitement par plasma ayant une uniformité de traitement encore plus précise, ce dispositif de traitement par plasma est conçu pour comprendre : un récipient sous vide dans lequel un échantillon est soumis à un traitement par plasma ; une source d'énergie haute fréquence qui fournit une puissance haute fréquence pour générer un plasma ; une étape sur laquelle l'échantillon est placé ; et une unité de formation de champ magnétique qui forme un champ magnétique à l'intérieur de la cuve sous vide, et est disposée à l'extérieur de la cuve sous vide. L'unité de formation de champ magnétique est équipée : d'une première bobine ; d'une seconde bobine qui est disposée à l'intérieur de la première bobine, et a un diamètre inférieur au diamètre de la première bobine; d'une première culasse qui recouvre les surfaces supérieure et latérale de la première bobine et de la cuve sous vide, et à l'intérieur de laquelle la première bobine est disposée ; et une seconde culasse qui recouvre la seconde bobine le long de la direction circonférentielle de la seconde bobine, et a une ouverture sur le côté inférieur de la seconde bobine. 
(JA)
プラズマ密度分布を中心高な分布と節分布を両方とも独立に制御することが可能にし、処理の均一性をより高い精度で試料をプラズマ処理することができるようにするために、プラズマ処理装置を、試料がプラズマ処理される真空容器と、プラズマを生成するための高周波電力を供給する高周波電源と、試料が載置される試料台と、真空容器の内部に磁場を形成させ真空容器の外側に配置された磁場形成部とを備えて構成し、磁場形成部には、第1のコイルと、第1のコイルより内側に配置され第1のコイルの直径より小さい直径の第2のコイルと、第1のコイル、真空容器の上方および側面を覆い第1のコイルが内部に配置された第1のヨークと、第2のコイルの周方向に沿って第2のコイルを覆い第2のコイルの下方側に開口部を有する第2のヨークとを具備させた。 
他の公開
KR1020207009879
KRKR1020207009879
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