処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

出願の表示

1. WO2020121581 - プラズマ処理装置

公開番号 WO/2020/121581
公開日 18.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/028262
国際出願日 18.07.2019
IPC
H01L 21/3065 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
出願人
  • 株式会社日立ハイテク HITACHI HIGH-TECH CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 川那辺 哲雄 KAWANABE, Tetsuo
  • 田中 基裕 TANAKA, Motohiro
  • 櫻木 崇弘 SAKURAGI, Takahiro
  • 佐藤 浩平 SATO, Kohei
代理人
  • 特許業務法人第一国際特許事務所 Patent Corporate Body Dai-ichi Kokusai Tokkyo Jimusho
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PLASMA TREATMENT DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT PAR PLASMA
(JA) プラズマ処理装置
要約
(EN)
This plasma treatment device includes: a process treatment chamber that is disposed inside a vacuum vessel; a stage that is disposed within the process treatment chamber, and has an upper surface on which a sample is placed; a second shower plate that is disposed upward of the stage within the vacuum vessel; a first shower plate that is disposed above the second shower plate; and a dielectric window that is disposed above the first shower plate. A first gas is supplied from a first gas supply means to the space between the dielectric window and the first shower plate, and a second gas is supplied from a second gas supply means to the space between the first shower plate and the second shower plate.
(FR)
Ce dispositif de traitement par plasma comprend: une chambre de traitement de transformation qui est disposée à l'intérieur d'une enceinte sous vide; un étage qui est disposé à l'intérieur de la chambre de traitement de traitement, et a une surface supérieure sur laquelle un échantillon est placé; une seconde plaque de douche qui est disposée vers le haut de l'étage à l'intérieur de l'enceinte sous vide; une première plaque de douche qui est disposée au-dessus de la seconde plaque de douche; et une fenêtre diélectrique qui est disposée au-dessus de la première plaque de douche. Un premier gaz est envoyé par un premier moyen d'alimentation en gaz dans l'espace situé entre la fenêtre diélectrique et la première plaque de douche, et un second gaz est envoyé par un second moyen d'alimentation en gaz dans l'espace situé entre la première plaque de douche et la seconde plaque de douche.
(JA)
真空容器内部に配置されたプロセス処理室と、前記プロセス処理室内に配置されその上面に試料が載置される試料台と、前記真空容器内において、前記試料台の上方に配置された第二のシャワープレートと、前記第二のシャワープレートの上に配置された第一のシャワープレートと、前記第一のシャワープレートの上に配置された誘電体窓と、を有するプラズマ処理装置は、前記誘電体窓と前記第一のシャワープレート間の空間に、第一のガス供給手段から第一のガスが供給され、前記第一のシャワープレートと前記第二のシャワープレート間の空間に、第二のガス供給手段から第二のガスが供給される。
他の公開
KR1020207009884
KRKR1020207009884
国際事務局に記録されている最新の書誌情報