処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

出願の表示

1. WO2020121540 - プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置

公開番号 WO/2020/121540
公開日 18.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/003817
国際出願日 04.02.2019
IPC
H01L 21/3065 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
H01L 21/31 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
出願人
  • 株式会社日立ハイテク HITACHI HIGH-TECH CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 松井 都 MATSUI Miyako
  • 桑原 謙一 KUWAHARA Kenichi
  • 臼井 建人 USUI Tatehito
  • 小林 浩之 KOBAYASHI Hiroyuki
代理人
  • ポレール特許業務法人 POLAIRE I.P.C.
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PLASMA PROCESSING METHOD AND PLASMA PROCESSING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT AU PLASMA ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT AU PLASMA
(JA) プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
要約
(EN)
For patterns having complex structures such as maskless patterns and high aspect ratio patterns, in order to etch a bottom layer etching pattern without the pattern top surface being etched, and to obtain a uniform pattern shape within a wafer surface, this plasma processing method involves plasma etching an etching film formed on a sample to enable a protective layer in which the thickness and pattern width are uniform within the wafer surface to be reproducibly formed on the pattern top surface prior to etching, wherein said method involves performing: a protective film formation step in which the width of the formed protective film is adjusted such that the distribution of the width of the formed protective film within the surface of the sample attains a prescribed distribution; and a step in which plasma etching of the etching film is performed after the protective film formation step.
(FR)
Pour des motifs ayant des structures complexes telles que des motifs sans masque et des motifs à rapport de forme élevé, afin de graver un motif de gravure de couche inférieure sans que la surface supérieure de motif ne soit gravée, et d'obtenir une forme de motif uniforme à l'intérieur d'une surface de tranche, ce procédé de traitement au plasma consiste à graver au plasma un film de gravure formé sur un échantillon pour permettre à une couche protectrice dans laquelle l'épaisseur et la largeur de motif sont uniformes à l'intérieur de la surface de tranche d'être formée de façon reproductible sur la surface supérieure de motif avant la gravure, ledit procédé comprenant la mise en oeuvre : d'une étape de formation de film protecteur dans laquelle la largeur du film protecteur formé est ajustée de telle sorte que la distribution de la largeur du film protecteur formé à l'intérieur de la surface de l'échantillon atteint une distribution prescrite ; et d'une étape au cours de laquelle une gravure au plasma du film de gravure est mise en oeuvre après l'étape de formation de film protecteur.
(JA)
マスクレス、及び、高アスペクト比等、複雑な構造を持つパターンにおいて、パターン上面がエッチングされること無く下層の被エッチングパターンのエッチングを実施し、ウエハ面内で均一なパターン形状を得られるように、エッチング前にパターン上面に、厚さとパターン幅がウエハ面内で均一な保護膜を再現性良く形成すること可能にするために、試料上に成膜された被エッチング膜をプラズマエッチングするプラズマ処理方法において、試料上に形成されたパターンの上部に保護膜を選択的に形成し、この形成された保護膜の幅の試料の面内における分布が所定の分布となるように前記形成された保護膜の幅を調整する保護膜形成工程と、保護膜形成工程後、被エッチング膜をプラズマエッチングする工程とを実行するようにした。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報