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1. WO2020121526 - 半絶縁性GaAs基板およびGaAs基板の製造方法

公開番号 WO/2020/121526
公開日 18.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2018/046154
国際出願日 14.12.2018
IPC
C30B 29/42 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10無機化合物または組成物
40AIIIBV化合物
42ひ化ガリウム
C30B 11/00 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
11ノーマル・フリージングまたは温度勾配凝固による単結晶成長,例.ブリッジマン―ストックバーガー法
出願人
  • 住友電気工業株式会社 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 石川 幸雄 ISHIKAWA, Yukio
  • 羽木 良明 HAGI, Yoshiaki
代理人
  • 特許業務法人深見特許事務所 FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMI-INSULATING GaAs SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING GaAs SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT DE GaAs SEMI-ISOLANT ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SUBSTRAT DE GaAs
(JA) 半絶縁性GaAs基板およびGaAs基板の製造方法
要約
(EN)
A semi-insulating GaAs substrate exhibiting a principal surface orientation which is the (100) plane and having a disc shape which exhibits a diameter of at least 150mm, wherein the difference between measured values of dislocation density measured at a first measurement point, a second measurement point and a third measurement point is within 2,000cm-2, when the first measurement point is the center of the principal surface, the second measurement point is the center of a first line segment extending from the first measurement point in the [010] direction to the outer-circumference of the semi-insulating GaAs substrate, and the third measurement point is a point located 10mm to the inside from the outer-circumference along the first line segment.
(FR)
La présente invention concerne un substrat de GaAs semi-isolant présentant une orientation de surface principale qui est le plan (100) et ayant une forme de disque qui présente un diamètre d'au moins 150 mm, la différence entre des valeurs mesurées de densité de dislocations mesurée au niveau d'un premier point de mesure, d'un deuxième point de mesure et d'un troisième point de mesure étant à moins de 2 000 cm-2, lorsque le premier point de mesure est le centre de la surface principale, le deuxième point de mesure est le centre d'un premier segment de ligne s'étendant du premier point de mesure dans la direction [010] à la circonférence extérieure du substrat de GaAs semi-isolant, et le troisième point de mesure est un point situé 10 mm à l'intérieur à partir de la circonférence extérieure le long du premier segment de ligne.
(JA)
主面の面方位が(100)面である半絶縁性GaAs基板であって、前記半絶縁性GaAs基板は、直径が150mm以上である円盤状の形状を有し、前記半絶縁性GaAs基板は、前記主面の中心を第1測定点とし、前記第1測定点から[010]方向に沿って前記半絶縁性GaAs基板の外周に至る第1線分の中点を第2測定点とし、前記第1線分上の前記外周から10mm内側となる点を第3測定点とし、前記第1測定点、前記第2測定点および前記第3測定点で転位密度を測定した場合、これらの測定値の差が2000cm-2以内である。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報