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1. WO2020121508 - 半導体装置

公開番号 WO/2020/121508
公開日 18.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2018/046035
国際出願日 14.12.2018
IPC
H01L 29/06 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
02半導体本体
06半導体本体の形状に特徴のあるもの;半導体領域の形状,相対的な大きさまたは配列に特徴のあるもの
H01L 29/78 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
78絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
出願人
  • サンケン電気株式会社 SANKEN ELECTRIC CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 小川 嘉寿子 OGAWA Kazuko
代理人
  • 三好 秀和 MIYOSHI Hidekazu
  • 高橋 俊一 TAKAHASHI Shunichi
  • 伊藤 正和 ITO Masakazu
  • 高松 俊雄 TAKAMATSU Toshio
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置
要約
(EN)
This semiconductor device includes a semiconductor substrate (10) which has, defined on a top surface thereof, an element region (110) and a surrounding region (120) that surrounds the element region (110). A plurality of trenches (20) are arranged surrounding the element region (110) in multiple layers in the surrounding region (120), each of the trenches (20) having an insulating film (21) that is disposed on an inner wall of a groove extending from the top surface of the semiconductor substrate (10) in the film thickness direction and a conductor film (22) that is disposed on the insulating film (21) inside the groove. The surrounding region (120) has an inner region (121) that is close to the element region (110) and an outer region (122) that is positioned around the inner region (121), and the widths of the semiconductor substrate (10) between adjoining trenches (20) are larger in the inner region (121) than in the outer region (122).
(FR)
Le dispositif à semi-conducteurs de l'invention est équipé d'un substrat semi-conducteur (10) sur la face supérieure duquel une région élément (110) et une région périphérie (120) entourant la circonférence de la région élément (110), sont définies. Une pluralité de tranchées (20) possédant chacune un film isolant (21) disposé sur une face paroi interne d'une rainure se prolongeant depuis une face supérieure dans une direction épaisseur de film, et un film conducteur (22) disposé sur le film isolant (21) dans la partie interne de la rainure, entoure la circonférence de la région élément (110) et est disposée en superposition multiple dans la région périphérie (120). La région périphérie (120) possède une région côté interne (121) proche de la région élément (110), et une région côté externe (122) positionnée à la périphérie de la région côté interne (121). La largeur du substrat semi-conducteur (10) enserré par les tranchées (20) adjacentes, est plus grande dans la région côté interne (121) que dans la région côté externe (122).
(JA)
半導体装置は、素子領域(110)と素子領域(110)の周囲を囲む周辺領域(120)が上面に定義された半導体基体(10)を備え、半導体基体(10)の上面から膜厚方向に延伸する溝の内壁面に配置された絶縁膜(21)、及び溝の内部で絶縁膜(21)の上に配置された導電体膜(22)をそれぞれ有する複数のトレンチ(20)が、素子領域(110)の周囲を囲んで周辺領域(120)に多重に配置されている。周辺領域(120)は、素子領域(110)に近い内側領域(121)と、内側領域(121)の周囲に位置する外側領域(122)を有し、隣接するトレンチ(20)に挟まれた半導体基体(10)の幅は、外側領域(122)よりも内側領域(121)の方が広い。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報