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1. WO2020121507 - 半導体装置

公開番号 WO/2020/121507
公開日 18.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2018/046034
国際出願日 14.12.2018
IPC
H01L 29/06 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
02半導体本体
06半導体本体の形状に特徴のあるもの;半導体領域の形状,相対的な大きさまたは配列に特徴のあるもの
H01L 29/78 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
78絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
出願人
  • サンケン電気株式会社 SANKEN ELECTRIC CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 小川 嘉寿子 OGAWA Kazuko
代理人
  • 三好 秀和 MIYOSHI Hidekazu
  • 高橋 俊一 TAKAHASHI Shunichi
  • 伊藤 正和 ITO Masakazu
  • 高松 俊雄 TAKAMATSU Toshio
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置
要約
(EN)
A semiconductor device, provided with a semiconductor substrate 10 in which an element region 110 and a periphery region 120 surrounding the element region 110 are defined on a main surface thereof. Outer peripheral trenches 20, having an insulating film 21 disposed on the inner wall surface of a groove and an electroconductor film 22 disposed on the insulating film 21 inside the groove, are disposed on the periphery region 120 so as to surround the element region 110. The electroconductor film 22 of the outer peripheral trenches 20 is set to a potential higher than the potential of the negative-side main electrode of a semiconductor element formed on the element region 110.
(FR)
Le dispositif à semi-conducteurs de l'invention est équipé d'un substrat semi-conducteur (10) sur la face principale duquel une région élément (110) et une région périphérie (120) entourant la circonférence de la région élément (110), sont définies. Une tranchée périphérique externe (20) possédant un film isolant (21) disposé sur une face paroi interne d'une rainure, et un film conducteur (22) disposé sur le film isolant (21) dans la partie interne de la rainure, entoure la circonférence de la région élément (110) et est disposée dans la région périphérie (120). Le film conducteur (22) de la tranchée périphérique externe (20), présente un potentiel déterminé à un niveau plus élevé que le potentiel d'une électrode principale côté négatif d'un élément semi-conducteur formé dans la région élément (110).
(JA)
半導体装置は、素子領域110と素子領域110の周囲を囲む周辺領域120が主面に定義された半導体基体10を備え、溝の内壁面に配置された絶縁膜21、及び溝の内部で絶縁膜21の上に配置された導電体膜22を有する外周トレンチ20が、素子領域110の周囲を囲んで周辺領域120に配置されている。外周トレンチ20の導電体膜22が、素子領域110に形成された半導体素子の負側の主電極の電位よりも高い電位に設定される。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報