処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

出願の表示

1. WO2020121491 - 半導体モジュール及びその製造方法

公開番号 WO/2020/121491
公開日 18.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2018/045920
国際出願日 13.12.2018
IPC
H01L 21/3205 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
3205絶縁層へ非絶縁層,例.導電層または抵抗層,の付着;これらの層の後処理
H01L 21/768 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
71グループH01L21/70で限定された装置の特定部品の製造
768装置内の別個の構成部品間に電流を流すため使用する相互接続を適用するもの
H01L 23/522 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
52動作中の装置内の1つの構成部品から他の構成部品へ電流を導く装置
522半導体本体上に分離できないように形成された導電層及び絶縁層の多層構造からなる外部の相互接続を含むもの
出願人
  • ウルトラメモリ株式会社 ULTRAMEMORY INC. [JP]/[JP]
発明者
  • 本間 一郎 HOMMA Ichiro
代理人
  • 正林 真之 SHOBAYASHI Masayuki
  • 林 一好 HAYASHI Kazuyoshi
  • 崎間 伸洋 SAKIMA Nobuhiro
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR MODULE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) MODULE À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体モジュール及びその製造方法
要約
(EN)
The purpose of the present invention is to provide a semiconductor module that can suppress damage to electrodes, and a manufacturing method thereof. This manufacturing method involves a step in which an electrode layer 23 is formed, for each of multiple circuit modules 20, in a position at a different distance from the opposite surface 222 of a wiring layer 22 that is opposite of the facing surface 221 thereof that faces a substrate 21, a step in which the circuit modules 20 are laminated from the bottom layer to the top layer, in order of increasing distance of the electrode layers 23, and a step in which a via 50 that passes through the multiple laminated circuit modules 20 is formed to electrically connect the laminated circuit modules 20.
(FR)
L'objet de la présente invention est de fournir un module à semi-conducteur qui puisse supprimer l'endommagement d'électrodes, et son procédé de fabrication. Ce procédé de fabrication comprend une étape dans laquelle une couche d'électrode 23 est formée, pour chaque module de circuit parmi de multiples modules de circuit 20, à une position située à une distance différente de la surface opposée 222 d'une couche de câblage 22 qui est à l'opposé de la surface en regard 221 de celle-ci qui est en regard d'un substrat 21, une étape dans laquelle les modules de circuit 20 sont stratifiés de la couche inférieure à la couche supérieure par ordre croissant de distance des couches d'électrode 23, et une étape dans laquelle un trou d'interconnexion 50 qui passe à travers les multiples modules de circuit stratifiés 20 est formé pour connecter électriquement les modules de circuit stratifiés 20.
(JA)
本発明は、電極へのダメージを抑制することが可能な半導体モジュール及びその製造方法を提供する。 複数の回路モジュール20のそれぞれについて、配線層22の面のうち、基板21と対向する対向面221とは逆の反対面222からの距離が異なる位置に電極層23を形成するステップを有するステップと、最下層から最上層に向けて、電極層23の距離が小さい順に回路モジュール20を積層するステップと、積層された複数の回路モジュール20を貫通するビア50を形成して積層された回路モジュール20を電気的に接続するステップと、を備える。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報