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1. WO2020121419 - 電力用半導体素子の駆動回路、およびそれを用いた電力用半導体モジュール

公開番号 WO/2020/121419
公開日 18.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2018/045559
国際出願日 11.12.2018
IPC
H02M 1/08 2006.01
H電気
02電力の発電,変換,配電
M交流-交流,交流-直流または直流-直流変換装置,および主要な,または類似の電力供給システムと共に使用するための装置:直流または交流入力-サージ出力変換;そのための制御または調整
1変換装置の細部
08静止型変換器に用いられる半導体装置の制御電圧の発生に用いられる回路
出願人
  • 三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 堀口 剛司 HORIGUCHI, Takeshi
代理人
  • 特許業務法人深見特許事務所 FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) DRIVE CIRCUIT OF POWER SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND POWER SEMICONDUCTOR MODULE USING SAID DRIVE CIRCUIT OF POWER SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) CIRCUIT D’ATTAQUE D’ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE, ET MODULE SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE UTILISANT LEDIT CIRCUIT D’ATTAQUE D’ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE
(JA) 電力用半導体素子の駆動回路、およびそれを用いた電力用半導体モジュール
要約
(EN)
This drive circuit drives a power semiconductor element (1) that includes a control terminal, a first main electrode, and a second main electrode. The drive circuit comprises a first switching off circuit (3) and a second switching off circuit (10) for turning off the power semiconductor element. The impedance of the second switching off circuit (10) is lower than the impedance of the first switching off circuit (3). When the power semiconductor element (1) is turned off, when the power semiconductor element (1) is in an abnormal state, only the first switching off circuit (3) operates, and when the power semiconductor element (1) is in a normal state, the first switching off circuit (3) and the second switching off circuit (10) operate complementarily.
(FR)
La présente invention concerne un circuit d’attaque qui attaque un élément semi-conducteur de puissance (1) qui inclut une borne de commande, une première électrode principale, et une deuxième électrode principale. Le circuit d’attaque comprend un premier circuit interrupteur (3) et un deuxième circuit interrupteur (10) destinés à désactiver l’élément semi-conducteur de puissance. L’impédance du deuxième circuit interrupteur (10) est inférieure à l’impédance du premier circuit interrupteur (3). Lorsque l’élément semi-conducteur de puissance (1) est désactivé, lorsque l’élément semi-conducteur de puissance (1) est dans un état anormal, seul le premier circuit interrupteur (3) fonctionne, et lorsque l’élément semi-conducteur de puissance (1) est dans un état normal, le premier circuit interrupteur (3) et le deuxième circuit interrupteur (10) fonctionnent de manière complémentaire.
(JA)
駆動回路は、制御端子と第1の主電極と第2の主電極とを含む電力用半導体素子(1)を駆動する。駆動回路は、電力用半導体素子をオフにするための第1のスイッチングオフ回路(3)および第2のスイッチングオフ回路(10)を備える。第2のスイッチングオフ回路(10)のインピーダンスは、第1のスイッチングオフ回路(3)のインピーダンスよりも低い。電力用半導体素子(1)がターンオフする際、電力用半導体素子(1)が異常状態のときには、第1のスイッチングオフ回路(3)のみが動作し、電力用半導体素子(1)が正常状態のときには、第1のスイッチングオフ回路(3)と第2のスイッチングオフ回路(10)とが相補的に動作する。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報