処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

出願の表示

1. WO2020121371 - 炭化珪素半導体装置およびその製造方法

公開番号 WO/2020/121371
公開日 18.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2018/045278
国際出願日 10.12.2018
IPC
H01L 29/78 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
78絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
H01L 29/12 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
02半導体本体
12構成材料に特徴のあるもの
出願人
  • 三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 田中 梨菜 TANAKA Rina
  • 菅原 勝俊 SUGAWARA Katsutoshi
  • 福井 裕 FUKUI Yutaka
  • 八田 英之 HATTA Hideyuki
  • 宮田 祐輔 MIYATA Yusuke
代理人
  • 吉竹 英俊 YOSHITAKE Hidetoshi
  • 有田 貴弘 ARITA Takahiro
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR AU CARBURE DE SILICIUM ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
要約
(EN)
A drift layer (2) comprises silicon carbide and is of a first conductivity type. At least one trench (6) has a first side face (SD1) that faces a Schottky barrier diode region (RD) and a second side face (SD2) that extends a transistor region (RT) and contacts a source region (3), a body region (5), and the drift layer (2). A first protection region (51) is provided below the at least one trench (6), is of a second conductivity type, and has a dopant concentration of the second conductivity type higher than that of the body region (5). A second protection region (52) extends from the first protection region (51), reaches the first side face (SD1) and/or an edge region (SD2b) of the second side face (SD2) connecting to the first side face (SD1), has an uppermost portion that is shallower than a lowermost portion of the body region (5), and has a dopant concentration of the second conductivity type higher than that of the body region (5).
(FR)
Dans la présente invention, une couche de dérive (2) comprend du carbure de silicium, et est d'un premier type de conductivité. Au moins une tranchée (6) a une première face latérale (SD1) qui fait face à une région de diode à barrière de Schottky (RD) et une seconde face latérale (SD2) qui étend une région de transistor (RT) et entre en contact avec une région de source (3), une région de corps (5), et la couche de dérive (2). Une première région de protection (51) est disposée au-dessous de l'au moins une tranchée (6), est d'un second type de conductivité, et a une concentration de dopant du second type de conductivité supérieure à celle de la région de corps (5). Une seconde région de protection (52) s'étend à partir de la première région de protection (51), atteint la première face latérale (SD1) et/ou une région de bord (SD2b) de la seconde face latérale (SD2) se raccordant à la première face latérale (SD1), a une partie supérieure qui est moins profonde qu'une partie la plus basse de la région de corps (5), et a une concentration de dopant du second type de conductivité supérieure à celle de la région de corps (5).
(JA)
ドリフト層(2)は、炭化珪素からなり、第1導電型を有している。少なくとも1つのトレンチ(6)は、ショットキーバリアダイオード領域(RD)に面する第1側面(SD1)と、トランジスタ領域(RT)を延在しソース領域(3)とボディ領域(5)とドリフト層(2)とに接する第2側面(SD2)とを有している。第1保護領域(51)は、少なくとも1つのトレンチ(6)の下方に設けられており、第2導電型を有しており、ボディ領域(5)よりも第2導電型の不純物濃度が高い。第2保護領域(52)は、第1保護領域(51)から延びており、第1側面(SD1)と、第2側面(SD2)の、第1側面(SD1)につながる端部領域(SD2b)と、の少なくともいずれかへ達しており、ボディ領域(5)の最下部よりも浅い最上部を有しており、ボディ領域(5)よりも第2導電型の不純物濃度が高い。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報