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1. WO2020116545 - 金属膜、及び、スパッタリングターゲット

公開番号 WO/2020/116545
公開日 11.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/047544
国際出願日 05.12.2019
IPC
C23C 14/14 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
06被覆材料に特徴のあるもの
14金属質材料,ほう素またはけい素
C22C 5/06 2006.01
C化学;冶金
22冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理
C合金
5貴金属を基とする合金
06銀を基とする合金
C23C 14/34 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22被覆の方法に特徴のあるもの
34スパッタリング
G02F 1/1335 2006.01
G物理学
02光学
F光の強度,色,位相,偏光または方向の制御,例.スイッチング,ゲーテイング,変調または復調のための装置または配置の媒体の光学的性質の変化により,光学的作用が変化する装置または配置;そのための技法または手順;周波数変換;非線形光学;光学的論理素子;光学的アナログ/デジタル変換器
1独立の光源から到達する光の強度,色,位相,偏光または方向の制御のための装置または配置,例.スィッチング,ゲーテイングまたは変調;非線形光学
01強度,位相,偏光または色の制御のためのもの
13液晶に基づいたもの,例.単一の液晶表示セル
133構造配置;液晶セルの作動;回路配置
1333構造配置
1335セルと光学部材,例.偏光子または反射鏡,との構造的組合せ
G02F 1/1343 2006.01
G物理学
02光学
F光の強度,色,位相,偏光または方向の制御,例.スイッチング,ゲーテイング,変調または復調のための装置または配置の媒体の光学的性質の変化により,光学的作用が変化する装置または配置;そのための技法または手順;周波数変換;非線形光学;光学的論理素子;光学的アナログ/デジタル変換器
1独立の光源から到達する光の強度,色,位相,偏光または方向の制御のための装置または配置,例.スィッチング,ゲーテイングまたは変調;非線形光学
01強度,位相,偏光または色の制御のためのもの
13液晶に基づいたもの,例.単一の液晶表示セル
133構造配置;液晶セルの作動;回路配置
1333構造配置
1343電極
C22F 1/00 2006.01
C化学;冶金
22冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理
F非鉄金属または非鉄合金の物理的構造の変化
1非鉄金属または合金の熱処理によるか熱間または冷間加工による物理的構造の変化
出願人
  • 三菱マテリアル株式会社 MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 歳森 悠人 TOSHIMORI Yuto
  • 野中 荘平 NONAKA Sohei
  • 小見山 昌三 KOMIYAMA Shozo
  • 林 雄二郎 HAYASHI Yujiro
代理人
  • 松沼 泰史 MATSUNUMA Yasushi
  • 寺本 光生 TERAMOTO Mitsuo
  • 細川 文広 HOSOKAWA Fumihiro
  • 大浪 一徳 ONAMI Kazunori
優先権情報
2018-22836605.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METAL FILM AND SPUTTERING TARGET
(FR) FILM MÉTALLIQUE ET CIBLE DE PULVÉRISATION
(JA) 金属膜、及び、スパッタリングターゲット
要約
(EN)
The present invention contains 0.05 to 5.00 at% of In, and the Pd content is 40 ppm by mass or less, the Pt content is 20 ppm by mass or less, the Au content is 20 ppm by mass or less, the Rh content is 10 ppm by mass or less, and the combined content of Pd, Pt, Au and Rh is 50 ppm or less by mass, the balance being Ag and inevitable impurities.
(FR)
La présente invention contient de 0,05 à 5,00 % d'In, et la teneur en Pd est de 40 ppm en masse ou moins, la teneur en Pt est de 20 ppm en masse ou moins, la teneur en Au est de 20 ppm en masse ou moins, la teneur en Rh est de 10 ppm en masse ou moins, et la teneur combinée de Pd, Pt, Au et Rh est inférieure ou égale à 50 ppm en masse, le reste étant de l'Ag et des impuretés inévitables.
(JA)
Inを0.05原子%以上5.00原子%以下の範囲で含有するとともに、Pdの含有量が40質量ppm以下、Ptの含有量が20質量ppm以下、Auの含有量が20質量ppm以下、Rhの含有量が10質量ppm以下、かつ、PdとPtとAuとRhの合計含有量が50質量ppm以下とされており、残部がAgと不可避不純物からなる。
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