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1. WO2020116499 - 薄膜トランジスタ及びその製造方法

公開番号 WO/2020/116499
公開日 11.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/047389
国際出願日 04.12.2019
IPC
H01L 29/786 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
78絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786薄膜トランジスタ
H01L 21/336 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335電界効果トランジスタ
336絶縁ゲートを有するもの
出願人
  • 日新電機株式会社 NISSIN ELECTRIC CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 松尾 大輔 MATSUO, Daisuke
  • 安東 靖典 ANDO, Yasunori
優先権情報
2018-22975407.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) THIN FILM TRANSISTOR AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
(FR) TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 薄膜トランジスタ及びその製造方法
要約
(EN)
A thin film transistor having arranged, in order, upon a substrate: a gate electrode; a gate insulating layer; an oxide semiconductor layer; and a source electrode and a drain electrode. The thin film transistor is characterized by: the oxide semiconductor layer comprising, in order from the substrate side, a first semiconductor layer and a second semiconductor layer that comprise an oxide semiconductor film that has the same constituent element in both; and the crystallinity of the oxide semiconductor film constituting the second semiconductor layer being higher than the crystallinity of the oxide semiconductor film constituting the first semiconductor layer.
(FR)
L'invention concerne un transistor à couches minces comportant, disposées dans l'ordre sur un substrat : une électrode grille ; une couche d'isolation de grille ; une couche semi-conductrice à oxyde ; et une électrode source et une électrode drain. Le transistor à couches minces est caractérisé en ce que : la couche semi-conductrice à oxyde comprend, dans l'ordre depuis le côté substrat, une première couche semi-conductrice et une seconde couche semi-conductrice qui comprennent un film semi-conducteur à oxyde ayant le même élément constitutif dans les deux couches ; et la cristallinité du film semi-conducteur à oxyde constituant la seconde couche semi-conductrice est supérieure à la cristallinité du film semi-conducteur à oxyde constituant la première couche semi-conductrice.
(JA)
基板上に、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、酸化物半導体層と、ソース電極及びドレイン電極とがこの順に配置された薄膜トランジスタであって、前記酸化物半導体層は、互いに同一の構成元素を含む酸化物半導体膜から成る第1半導体層と第2半導体層とを前記基板側から順に備えており、前記第2半導体層を構成する酸化物半導体膜の結晶性が、前記第1半導体層を構成する前記酸化物半導体膜の結晶性よりも高いことを特徴とする薄膜トランジスタ。
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