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1. WO2020116458 - 単結晶育成用ルツボ、単結晶製造方法及び単結晶

公開番号 WO/2020/116458
公開日 11.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/047260
国際出願日 03.12.2019
IPC
C30B 11/00 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
11ノーマル・フリージングまたは温度勾配凝固による単結晶成長,例.ブリッジマン―ストックバーガー法
C30B 29/16 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10無機化合物または組成物
16酸化物
CPC
C30B 11/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
11Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
C30B 29/16
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
16Oxides
出願人
  • TDK株式会社 TDK CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 川崎 克己 KAWASAKI Katsumi
  • 平林 潤 HIRABAYASHI Jun
  • 藤田 実 FUJITA Minoru
  • 井ノ口 大輔 INOKUCHI Daisuke
  • 有馬 潤 ARIMA Jun
  • 近藤 牧雄 KONDO Makio
代理人
  • 長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki
  • 黒木 義樹 KUROKI Yoshiki
  • 三上 敬史 MIKAMI Takafumi
優先権情報
2018-22708404.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SINGLE-CRYSTAL GROWING CRUCIBLE, SINGLE-CRYSTAL PRODUCTION METHOD AND SINGLE CRYSTAL
(FR) CREUSET DE CROISSANCE DE MONOCRISTAL, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE MONOCRISTAL ET MONOCRISTAL
(JA) 単結晶育成用ルツボ、単結晶製造方法及び単結晶
要約
(EN)
Provided is a single-crystal growing crucible 5A for accommodating a raw material melt 8 for growing a single crystal, and in which the raw material melt 8 is solidified. The single-crystal growing crucible 5A includes a side wall section 5s that encloses the raw material melt 8, and a bottom section 5b that is continuous with the side wall section 5s and that supports the raw material melt 8, said side wall section 5s having a circumferential redundancy on the inner side in a cross-sectional view. The side wall section 5s has, among portions thereof, a portion where the circumference is redundant on the inner side in the cross-sectional view, and when the single-crystal growing crucible 5A is cooled in a cooling step subsequent to the single crystal growth, the portion where the circumference is redundant on the inner side in the cross-sectional view extends to the outside of the single-crystal growing crucible 5A.
(FR)
L'invention concerne un creuset 5A de croissance de monocristal destiné à recevoir une matière première fondue 8 pour faire croître un monocristal et dans lequel la matière première fondue 8 est solidifiée. Le creuset 5A de croissance de monocristal comprend une section de paroi latérale 5s qui renferme la matière première fondue 8 et une section inférieure 5b qui est continue avec la section de paroi latérale 5s et qui supporte la matière première fondue 8, ladite section de paroi latérale 5s présentant une redondance circonférentielle sur le côté interne dans une vue en coupe transversale. La section de paroi latérale 5a présente, parmi des parties correspondantes, une partie où la circonférence est redondante sur le côté interne dans la vue en coupe transversale et, lorsque le creuset 5A de croissance de monocristal est refroidi dans une étape de refroidissement subséquente à la croissance de monocristal, la partie où la circonférence est redondante sur le côté interne dans la vue en coupe transversale s'étend vers l'extérieur du creuset 5A de croissance de monocristal.
(JA)
単結晶育成用の原料融液8が収容されつつ固化する単結晶育成用ルツボ5Aであって、原料融液8を囲繞する側壁部5sと、側壁部5sと連続しつつ原料融液8を支持する底部5bとを備え、側壁部5sは横断面視で内側に周長冗長性を有する。側壁部5sは横断面視でいずれかの部位に内側に周長が冗長な部位を有することになり、単結晶育成後の冷却工程で単結晶育成用ルツボ5Aが冷却されると、横断面視で内側に周長が冗長な部位が単結晶育成用ルツボ5Aの外側に展張する。
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