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1. WO2020116448 - リフロー対応ダイシングテープ

公開番号 WO/2020/116448
公開日 11.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/047232
国際出願日 03.12.2019
IPC
H01L 21/301 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
301半導体本体を別個の部品に細分割するため,例.分離する
出願人
  • 古河電気工業株式会社 FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 浅沼 匠 ASANUMA Takumi
代理人
  • アインゼル・フェリックス=ラインハルト EINSEL Felix-Reinhard
  • 前川 純一 MAEKAWA Junichi
  • 二宮 浩康 NINOMIYA Hiroyasu
  • 上島 類 UESHIMA Rui
  • 住吉 秀一 SUMIYOSHI Shuichi
優先権情報
2018-22696304.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) REFLOW-COMPATIBLE DICING TAPE
(FR) BANDE DE DÉCOUPAGE EN DÉS POUR REFUSION
(JA) リフロー対応ダイシングテープ
要約
(EN)
The purpose of the present invention is to provide a reflow-compatible dicing tape having excellent contamination resistance by preventing the occurrence of outgassing from a radiation-curing adhesive layer. A reflow-compatible dicing tape according to the present invention is provided with a base material layer and a radiation-curing adhesive layer provided on said base material layer. After a silicon wafer is bonded to the radiation-curing adhesive layer, the layered body is irradiated with radiation and is then heat-treated for 10 minutes at 210°C. After said heat treatment, the bonded surface of the silicon wafer is measured by X-ray photoelectron spectroscopy when the silicon wafer is peeled from the radiation-curing adhesive layer. The carbon content at this time is 30 mol% or less.
(FR)
L'invention concerne une bande de découpage en dé pour refusion, laquelle empêche la génération de gaz à partir d'une couche d'adhésif de type durcissable au rayonnement et laquelle possède une excellente propriété de résistance à la contamination. Cette bande de découpage en dés pour refusion comporte: une couche de base et une couche d'adhésif de type durcissable au rayonnement située sur la couche de base. Après avoir collé une plaquette de silicium sur la couche d'adhésif de type durcissable au rayonnement et soumis la couche au rayonnement, un traitement thermique de 10 minutes à 210°C est effectué. Après ce traitement thermique, lors du retrait de la plaquette de silicium de la couche d'adhésif de type durcissable au rayonnement, la quantité de carbone mesurée sur la surface collée de la plaquette de silicium par spectroscopie photoélectronique à rayons X, est inférieure ou égale à 30% molaires.
(JA)
本発明の目的は、放射線硬化型粘着剤層からのアウトガスの発生を防止して優れた耐汚染性を有するリフロー対応ダイシング用テープを提供することにある。 基材層と該基材層上に設けられた放射線硬化型粘着剤層を備え、前記放射線硬化型粘着剤層にシリコンウエハを貼りあわせた後に、放射線照射してから210℃にて10分の加熱処理をし、該加熱処理後に前記放射線硬化型粘着剤層から前記シリコンウエハを剥離させた際における前記シリコンウエハの貼り合わせ面をX線光電子分光法にて測定した際の炭素量が、30mol%以下であるリフロー対応ダイシングテープ。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報