処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

出願の表示

1. WO2020116404 - デバイス封止方法

公開番号 WO/2020/116404
公開日 11.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/047092
国際出願日 02.12.2019
IPC
H05B 33/02 2006.01
H電気
05他に分類されない電気技術
B電気加熱;他に分類されない電気照明
33エレクトロルミネッセンス光源
02細部
H05B 33/04 2006.01
H電気
05他に分類されない電気技術
B電気加熱;他に分類されない電気照明
33エレクトロルミネッセンス光源
02細部
04封止装置
H05B 33/06 2006.01
H電気
05他に分類されない電気技術
B電気加熱;他に分類されない電気照明
33エレクトロルミネッセンス光源
02細部
06電極端子
H05B 33/10 2006.01
H電気
05他に分類されない電気技術
B電気加熱;他に分類されない電気照明
33エレクトロルミネッセンス光源
10エレクトロルミネッセンス光源の製造に特に適用する装置または方法
H01L 51/50 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
50光放出に特に適用されるもの,例.有機発光ダイオード(OLED)または高分子発光ダイオード(PLED)
CPC
H01L 51/50
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
50specially adapted for light emission, e.g. organic light emitting diodes [OLED] or polymer light emitting devices [PLED]
H05B 33/02
HELECTRICITY
05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Electroluminescent light sources
02Details
H05B 33/04
HELECTRICITY
05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Electroluminescent light sources
02Details
04Sealing arrangements ; , e.g. against humidity
H05B 33/06
HELECTRICITY
05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Electroluminescent light sources
02Details
06Electrode terminals
H05B 33/10
HELECTRICITY
05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Electroluminescent light sources
10Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
出願人
  • ランテクニカルサービス株式会社 LAN TECHNICAL SERVICE CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 松本 好家 MATSUMOTO Yoshiie
代理人
  • 赤津 豪 AKATSU Takeshi
優先権情報
2018-22693803.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) DEVICE SEALING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE SCELLEMENT DE DISPOSITIF
(JA) デバイス封止方法
要約
(EN)
This electronic device sealing method includes: preparing a device substrate that has a cavity for forming a device, an edge formed higher than the cavity so as to surround the cavity, and an electrode extraction groove at (a portion of) the edge; preparing a cover substrate; forming an electronic device in the cavity of the device substrate; forming in the groove a lead-out wiring led out from the electronic device; forming an inorganic material thin film on surfaces of the device substrate and of a cover glass, at least a surface of the edge of the device substrate and at a portion, of the surface of the cover substrate, to which the edge of the device substrate is joined,; and joining the device substrate and the cover substrate with the inorganic material thin film therebetween.
(FR)
Procédé de scellement de dispositif électronique qui comprend la préparation d'un substrat de dispositif ayant une cavité pour former un dispositif, un bord formé plus haut que la cavité de façon à entourer la cavité et une rainure d'extraction d'électrode au niveau du bord (sur une partie) ; la préparation d'un substrat de recouvrement ; la formation d'un dispositif électronique dans la cavité du substrat de dispositif ; la formation dans la rainure d'un câblage de sortie sortant du dispositif électronique ; la formation d'un film mince de matériau inorganique sur des surfaces du substrat de dispositif et d'un verre de protection, au moins une surface du bord du substrat de dispositif et au niveau d'une partie, de la surface du substrat de recouvrement, auquel le bord du substrat de dispositif est joint ; et l'assemblage du substrat de dispositif et du substrat de recouvrement avec le film mince de matériau inorganique entre eux.
(JA)
電子デバイスの封止方法であって、デバイス形成のためのキャビティと、キャビティを囲み、キャビティより高く形成された縁と、縁(の一部)に電極取り出し用の溝とを有するデバイス基板を用意することと、カバー基板を用意することと、デバイス基板のキャビティ内に電子デバイスを形成することと、電子デバイスからの引き出し配線を溝内に形成することと、デバイス基板とカバーガラスの表面に、少なくともデバイス基板の縁の表面と、カバー基板の表面のデバイス基板の縁が接合される部分とに、無機材料薄膜を形成することと、無機材料薄膜を介して、デバイス基板とカバー基板とを接合することと、を備える。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報