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1. WO2020116386 - ビスアルキルアミノジシラザン化合物、前記ビスアルキルアミノジシラザン化合物を含むシリコン含有膜形成用の組成物

公開番号 WO/2020/116386
公開日 11.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/047012
国際出願日 02.12.2019
IPC
C07F 7/02 2006.01
C化学;冶金
07有機化学
F炭素,水素,ハロゲン,酸素,窒素,硫黄,セレンまたはテルル以外の元素を含有する非環式,炭素環式または複素環式化合物
7周期表の第4族または第14族の元素を含有する化合物
02ケイ素化合物
H01L 21/316 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
314無機物層
316酸化物またはガラス性酸化物または酸化物を基礎としたガラスからなるもの
H01L 21/318 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
314無機物層
318窒化物からなるもの
C23C 16/18 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
06金属質材料の析出に特徴のあるもの
18金属有機質化合物からのもの
出願人
  • 住友精化株式会社 SUMITOMO SEIKA CHEMICALS CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 小林 晃徳 KOBAYASHI, Akinori
  • 稲荷森 有輝 INARIMORI, Yuuki
  • 山根 達徳 YAMANE, Tatsunori
代理人
  • 山尾 憲人 YAMAO, Norihito
  • 言上 惠一 GONJOU, Keiichi
優先権情報
2018-22830505.12.2018JP
2019-17753927.09.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) BIS(ALKYLAMINO)DISILAZANE COMPOUND, BIS(ALKYLAMINO)DISILAZANE COMPOUND-CONTAINING COMPOSITION FOR FORMING SILICON-CONTAINING FILM
(FR) COMPOSÉ BIS(ALKYLAMINO)DISILAZANE, COMPOSITION CONTENANT UN COMPOSÉ BIS(ALKYLAMINO)DISILAZANE PERMETTANT DE FORMER UN FILM CONTENANT DU SILICIUM
(JA) ビスアルキルアミノジシラザン化合物、前記ビスアルキルアミノジシラザン化合物を含むシリコン含有膜形成用の組成物
要約
(EN)
According to the present invention, a silicon-containing film can be formed without deteriorating film quality and increasing decomposition temperature by using a specific bis(alkylamino)disilazane compound as a silicon precursor, and low-temperature film-formation and improved film-forming speed can be achieved without deteriorating film quality in the formation of the silicon-containing film by increasing film-forming speed.
(FR)
La présente invention concerne un film contenant du silicium qui peut être formé sans détériorer la qualité du film et augmenter la température de décomposition à l'aide d'un composé spécifique de bis(alkylamino)disilazane comme précurseur de silicium ; une formation de film à basse température et une vitesse de formation de film améliorée pouvant être obtenues sans détériorer la qualité du film lors de la formation du film contenant du silicium par augmentation de la vitesse de formation de film.
(JA)
特定のビスアルキルアミノジシラザン化合物をシリコン前駆体として用いることで、シリコン含有膜の形成において膜質の低下、および分解温度の高温化を招くことなく、成膜速度を向上させることにより、シリコン含有膜の形成において、膜質の低下を招くことなく成膜温度の低温化と成膜速度向上を可能とする。
他の公開
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