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1. WO2020116384 - プラズマ処理装置用部材およびこれを備えるプラズマ処理装置

公開番号 WO/2020/116384
公開日 11.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/046997
国際出願日 02.12.2019
IPC
C23C 14/08 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
06被覆材料に特徴のあるもの
08酸化物
C04B 35/10 2006.01
C化学;冶金
04セメント;コンクリート;人造石;セラミックス;耐火物
B石灰;マグネシア;スラグ;セメント;その組成物,例.モルタル,コンクリートまたは類似の建築材料;人造石;セラミックス;耐火物;天然石の処理
35組成に特徴を持つ成形セラミック製品;セラミック組成;セラミック製品を製造するための無機化合物粉末の処理
01酸化物を基とするもの
10酸化アルミニウムを基とするもの
C04B 41/87 2006.01
C化学;冶金
04セメント;コンクリート;人造石;セラミックス;耐火物
B石灰;マグネシア;スラグ;セメント;その組成物,例.モルタル,コンクリートまたは類似の建築材料;人造石;セラミックス;耐火物;天然石の処理
41モルタル,コンクリート,人造石またはセラミックスの後処理;天然石の処理
80セラミックスのみの
81被覆または含浸
85無機物によるもの
87セラミックス
H01L 21/3065 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
H01L 21/31 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
CPC
C04B 35/10
CCHEMISTRY; METALLURGY
04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE
35Shaped ceramic products characterised by their composition
01based on oxide ceramics
10based on aluminium oxide
C04B 41/87
CCHEMISTRY; METALLURGY
04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE
41After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
80of only ceramics
81Coating or impregnation
85with inorganic materials
87Ceramics
C23C 14/08
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
06characterised by the coating material
08Oxides
H01L 21/3065
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
3065Plasma etching; Reactive-ion etching
H01L 21/31
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
出願人
  • 京セラ株式会社 KYOCERA CORPORATION [JP]/[JP]
  • 東芝マテリアル株式会社 TOSHIBA MATERIALS CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 石川 和洋 ISHIKAWA, Kazuhiro
  • 日野 高志 HINO, Takashi
  • 斎藤 秀一 SAITO, Shuichi
代理人
  • 西教 圭一郎 SAIKYO, Keiichiro
優先権情報
2018-22836105.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) MEMBER FOR PLASMA PROCESSING DEVICE AND PLASMA PROCESSING DEVICE PROVIDED WITH SAME
(FR) ÉLÉMENT POUR UN DISPOSITIF DE TRAITEMENT AU PLASMA ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT AU PLASMA
(JA) プラズマ処理装置用部材およびこれを備えるプラズマ処理装置
要約
(EN)
Provided are: a member which is used for a plasma processing device and has an excellent plasma-resistance and improved adhesion strength to a substrate of a film; and a plasma processing device provided with the same. A member (1) for a plasma processing device is provided with: a substrate (2) containing a first element which is a metal element or a semi-metal element; a film (3) located on the substrate (2) and having, as a main component, an oxide, a fluoride, or an acid fluoride of a rare earth element; an amorphous part (4) which is interposed between the substrate (2) and the film (3) and contains at least one among the first element, yttrium, oxygen, and fluorine.
(FR)
L'invention concerne : un élément qui est utilisé pour un dispositif de traitement au plasma et qui a une excellente résistance au plasma et une force d'adhérence améliorée à un substrat d'un film ; et un dispositif de traitement au plasma équipé de celui-ci. Un élément (1) pour un dispositif de traitement au plasma est pourvu : d'un substrat (2) contenant un premier élément qui est un élément métallique ou un élément semi-métallique ; d'un film (3) situé sur le substrat (2) et ayant, en tant que composant principal, un oxyde, un fluorure, ou un fluorure d'acide d'un élément de terre rare ; d'une partie amorphe (4) qui est interposée entre le substrat (2) et le film (3) et contient au moins un élément parmi le premier élément, l'yttrium, l'oxygène et le fluor.
(JA)
耐プラズマ性に優れ、膜の基材に対する密着強度が向上したプラズマ処理装置用部材およびこれを備えるプラズマ処理装置を提供する。プラズマ処理装置用部材(1)は、金属元素または半金属元素である第1元素を含む基材(2)と、基材(2)上に位置する希土類元素の酸化物、フッ化物または酸フッ化物を主成分とする膜(3)と、基材(2)および膜(3)の間に介在し、第1元素、イットリウムならびに酸素およびフッ素の少なくともいずれかを含む非晶質部(4)と、を備えて成る。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報