処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

出願の表示

1. WO2020116364 - ルテニウム錯体からなる化学蒸着用原料及び該化学蒸着用原料を用いた化学蒸着法

公開番号 WO/2020/116364
公開日 11.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/046935
国際出願日 02.12.2019
IPC
C23C 16/18 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
06金属質材料の析出に特徴のあるもの
18金属有機質化合物からのもの
H01L 21/285 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28H01L21/20~H01L21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
283電極用の導電または絶縁材料の析出
285気体または蒸気からの析出,例.凝結
C07F 15/00 2006.01
C化学;冶金
07有機化学
F炭素,水素,ハロゲン,酸素,窒素,硫黄,セレンまたはテルル以外の元素を含有する非環式,炭素環式または複素環式化合物
15周期表の第8族,第9族,第10族または第18族の元素を含有する化合物
出願人
  • 田中貴金属工業株式会社 TANAKA KIKINZOKU KOGYO K.K. [JP]/[JP]
発明者
  • 原田 了輔 HARADA Ryosuke
  • 岩井 輝久 IWAI Teruhisa
  • 重冨 利幸 SHIGETOMI Toshiyuki
  • 大武 成行 OOTAKE Shigeyuki
  • 李 承俊 LEE Seung-Joon
代理人
  • 特許業務法人田中・岡崎アンドアソシエイツ TANAKA AND OKAZAKI
優先権情報
2018-22617303.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) RAW MATERIAL FOR CHEMICAL VAPOR DEPOSITION COMPRISING RUTHENIUM COMPLEX AND CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD USING SAID RAW MATERIAL FOR CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
(FR) MATIÈRE PREMIÈRE POUR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR COMPRENANT UN COMPLEXE DE RUTHÉNIUM ET PROCÉDÉ DE DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR UTILISANT LADITE MATIÈRE PREMIÈRE POUR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR
(JA) ルテニウム錯体からなる化学蒸着用原料及び該化学蒸着用原料を用いた化学蒸着法
要約
(EN)
The present invention relates to a raw material for chemical vapor deposition, the raw material comprising a ruthenium complex represented by chemical formula 1, wherein the raw material is for producing, through a chemical vapor deposition method, a ruthenium thin film or a ruthenium compound thin film. In chemical formula 1, a ligand L1 and a ligand L2 which are coordinated to ruthenium are represented by chemical formula 2. A raw material for chemical vapor deposition according to the present invention is capable of producing a high-quality thin film without using a reaction gas which includes an oxygen atom. [Chemical formula 1] RuL1L2 [Chemical formula 2] (the substituents R1-R12 of ligands L1 and L2 are each independently any one among a hydrogen atom, and a linear or branched alkyl group having 1-4 carbon atom.)
(FR)
La présente invention concerne une matière première pour un dépôt chimique en phase vapeur, la matière première comprenant un complexe de ruthénium représenté par la formule chimique 1, la matière première étant destinée à produire, par l'intermédiaire d'un procédé de dépôt chimique en phase vapeur, un film mince de ruthénium ou un film mince de composé de ruthénium. Dans la formule chimique 1, un ligand L1 et un ligand L2 qui sont liés par une liaison de coordination au ruthénium sont représentés par la formule chimique 2. Une matière première pour un dépôt chimique en phase vapeur selon la présente invention permet de produire un film mince de haute qualité sans utiliser de gaz de réaction qui comprend un atome d'oxygène. [Formule chimique 1] RuL1L2 [formule chimique 2] (les substituants R1-R12 des ligands L1 et L2 sont chacun indépendamment un quelconque substituant parmi un atome d'hydrogène et un groupe alkyle linéaire ou ramifié ayant 1 à 4 atomes de carbone).
(JA)
本発明は、化学蒸着法によりルテニウム薄膜又はルテニウム化合物薄膜を製造するための化学蒸着用原料において、下記化1で示されるルテニウム錯体からなる化学蒸着用原料に関する。化1において、ルテニウムに配位する配位子L及び配位子Lは、下記化2で示される。本発明に係る化学蒸着用原料は、酸素原子を含む反応ガスを使用しなくとも、高品位の薄膜を製造することができる。 【化1】RuL1L2 【化2】(配位子L、Lの置換基R~R12は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1以上4以下の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基のいずれかである。)
他の公開
国際事務局に記録されている最新の書誌情報