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1. WO2020116340 - 半導体素子の製造方法、および、太陽電池の製造方法

公開番号 WO/2020/116340
公開日 11.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/046782
国際出願日 29.11.2019
IPC
H01L 31/18 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
18これらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
H01L 21/225 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
22半導体本体へのまたは半導体本体からのまたは半導体領域間の不純物材料,例.ドーピング材料,電極材料,の拡散;不純物材料の再分布,例.さらなるドーパントの導入または除去をしないもの
225固相,例.ドープされた酸化物層,から固体へのまたは固体から固相への拡散を用いるもの
出願人
  • 東レ株式会社 TORAY INDUSTRIES, INC. [JP]/[JP]
発明者
  • 弓場智之 YUBA, Tomoyuki
  • 門田祥次 KADOTA, Shoji
  • 守屋豪 MORIYA, Go
優先権情報
2018-22958307.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING SOLAR CELL
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE CELLULE SOLAIRE
(JA) 半導体素子の製造方法、および、太陽電池の製造方法
要約
(EN)
The purpose of the present invention is to provide a method for producing a semiconductor element, which enables a solar cell having a selective emitter structure to be produced using a simple method without the need for complex equipment, with the impurity concentration in the semiconductor element exhibiting excellent in-plane uniformity, and a method for producing a solar cell. In order to achieve the foregoing, the present invention is a method for producing a semiconductor element by forming, on a semiconductor substrate, impurity diffusion layer regions which are of the same type but which have impurity concentrations that differ by two or more levels. Of these regions, impurity diffusion layer regions having impurity concentrations that differ by two or more levels are formed by means of a method that includes a step for coating an impurity diffusion composition (a) on the semiconductor substrate so as to partially form an impurity diffusion composition film (b) and a step for heating the impurity diffusion composition film so as to cause impurities to diffuse into the semiconductor substrate and form an impurity diffusion layer region (c). The impurity diffusion composition (a) contains (a-1) a polymer of a silane compound having a specific structure and (a-2) an impurity diffusion component.
(FR)
Le but de la présente invention est de fournir un procédé de production d'un élément semi-conducteur, qui permet de produire une cellule solaire ayant une structure d'émetteur sélective à l'aide d'un procédé simple sans nécessiter d'équipement complexe, la concentration en impuretés dans l'élément semi-conducteur présentant une excellente uniformité dans le plan, et un procédé de production d'une cellule solaire. Afin d'atteindre ce qui précède, la présente invention est un procédé de production d'un élément semi-conducteur par formation, sur un substrat semi-conducteur, de régions de couche de diffusion d'impuretés qui sont du même type mais qui ont des concentrations d'impuretés qui diffèrent d'au moins deux niveaux. De ces régions, des régions de couche de diffusion d'impuretés ayant des concentrations d'impuretés qui diffèrent d'au moins deux niveaux sont formées au moyen d'un procédé qui comprend une étape de revêtement d'une composition de diffusion d'impuretés (a) sur le substrat semi-conducteur de façon à former partiellement un film de composition de diffusion d'impuretés (b) et une étape consistant à chauffer le film de composition de diffusion d'impuretés de façon à amener les impuretés à se diffuser dans le substrat semi-conducteur et à former une région de couche de diffusion d'impuretés (c). La composition de diffusion d'impuretés (a) contient (a -1) un polymère d'un composé de silane ayant une structure spécifique et (a-2) un composant de diffusion d'impuretés.
(JA)
本発明は、選択エミッタ構造を有する太陽電池を、複雑な装置を必要とせず簡便な方法で製造することを可能にし、不純物濃度の面内の均一性に優れた半導体素子の製造方法、および、太陽電池の製造方法を提供することを目的とする。 上記目的を達するための本発明は、半導体基板上に2水準以上の異なる不純物濃度で同じ型の不純物拡散層領域を形成する半導体素子の製造方法であって、うち、少なくとも1水準以上の不純物拡散層領域が、不純物拡散組成物(a)を半導体基板に塗布して部分的に不純物拡散組成物膜(b)を形成する工程とそれを加熱して不純物を半導体基板に拡散させて不純物拡散層領域(c)を形成する工程を含む方法により形成され、不純物拡散組成物(a)が (a-1)特定の構造を有するシラン化合物の重合体、および (a-2)不純物拡散成分 を含む半導体素子の製造方法である。
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