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1. WO2020116288 - 保護膜形成用複合シート、及び半導体チップの製造方法

公開番号 WO/2020/116288
公開日 11.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/046430
国際出願日 27.11.2019
IPC
H01L 23/00 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
B23K 26/00 2014.01
B処理操作;運輸
23工作機械;他に分類されない金属加工
Kハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工
26レーザービームによる加工,例.溶接,切断または穴あけ
H01L 21/301 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
301半導体本体を別個の部品に細分割するため,例.分離する
CPC
B23K 26/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
26Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
H01L 23/00
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
出願人
  • リンテック株式会社 LINTEC CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 古野 健太 FURUNO Kenta
代理人
  • 西澤 和純 NISHIZAWA Kazuyoshi
  • 五十嵐 光永 IGARASHI Koei
  • 加藤 広之 KATO Hiroyuki
優先権情報
2018-22852905.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) COMPOSITE SHEET FOR PROTECTIVE FILM FORMATION AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR CHIP
(FR) FEUILLE COMPOSITE POUR FORMATION DE FILM DE PROTECTION ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE PUCE SEMI-CONDUCTRICE
(JA) 保護膜形成用複合シート、及び半導体チップの製造方法
要約
(EN)
A composite sheet (101) for protective film formation, which is provided with: a supporting sheet (10); and a film (13) for protective film formation, which is formed on one surface of the supporting sheet. This composite sheet (101) for protective film formation is configured such that: the supporting sheet (10) is provided with a base material (11) and an antistatic layer (17) which is formed on one surface or both surfaces of the base material; the supporting sheet (10) of the composite sheet (101) for protective film formation has a total light transmittance of 85% or more or a haze of 43% or less; and the surface resistivity of the composite sheet (101) for protective film formation is 1.0 × 1011 Ω/□ or less.
(FR)
L'invention concerne une feuille composite (101) pour la formation de film de protection, qui comporte : une feuille de support (10) ; et un film (13) pour la formation de film de protection, qui est formé sur une surface de la feuille de support. Cette feuille composite (101) pour formation de film de protection est configurée de telle sorte que : la feuille de support (10) comporte un matériau de base (11) et une couche antistatique (17) qui est formée sur une surface ou les deux surfaces du matériau de base ; la feuille de support (10) de la feuille composite (101) pour la formation de film de protection a une transmittance de lumière totale de 85 % ou plus ou un trouble de 43 % ou moins ; et la résistivité de surface de la feuille composite (101) pour la formation de film de protection est inférieure ou égale à 1,0 × 1011 Ω/□.
(JA)
支持シート(10)と、前記支持シートの一方の面上に形成された保護膜形成用フィルム(13)と、を備えた、保護膜形成用複合シート(101)であって、前記支持シート(10)は、基材(11)と、前記基材の片面又は両面上に形成された帯電防止層(17)と、を備え、保護膜形成用複合シート(101)の、前記支持シート(10)の全光線透過率を85%以上とするか、ヘーズを43%以下とし、前記保護膜形成用複合シート(101)の表面抵抗率を1.0×1011Ω/□以下とする。
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