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1. WO2020116282 - 保護膜形成用複合シート、及び半導体チップの製造方法

公開番号 WO/2020/116282
公開日 11.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/046381
国際出願日 27.11.2019
IPC
H01L 23/00 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
H01L 21/301 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
301半導体本体を別個の部品に細分割するため,例.分離する
CPC
H01L 23/00
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
出願人
  • リンテック株式会社 LINTEC CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 野島 一馬 NOJIMA Kazuma
代理人
  • 西澤 和純 NISHIZAWA Kazuyoshi
  • 五十嵐 光永 IGARASHI Koei
  • 加藤 広之 KATO Hiroyuki
優先権情報
2018-22852805.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PROTECTIVE-COAT-FORMING COMPOSITE SHEET, AND SEMICONDUCTOR CHIP MANUFACTURING METHOD
(FR) FEUILLE COMPOSITE DE FORMATION DE REVÊTEMENT PROTECTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE PUCE DE SEMI–CONDUCTEUR
(JA) 保護膜形成用複合シート、及び半導体チップの製造方法
要約
(EN)
A protective-coat-forming composite sheet (101) is provided with a support sheet (10) and a protective-coat-forming film (13) formed on a first surface (10a) of the support sheet (10), wherein the surface resistivity of the outermost layer on the support sheet (10) side is set at less than or equal to 1.0×1011 Ω/□, and the surface resistivity of the outermost layer on the support sheet (10) side is maintained at less than or equal to 1.0×1011 Ω/□ even after formation of a protective coat through thermosetting of the protective-coat-forming film (13).
(FR)
L'invention concerne une feuille composite de formation de revêtement protecteur (101) comprenant une feuille de support (10) et un film de formation de revêtement protecteur (13) formé sur une première surface (10a) de la feuille de support (10), la résistivité superficielle de la couche la plus à l'extérieur côté feuille de support (10) s'établissant à une valeur inférieure ou égale à 1,0 × 1011 Ω/□, et la résistivité superficielle de la couche la plus à l'extérieur côté feuille de support (10) étant maintenue à une valeur inférieure ou égale à 1,0 × 1011 Ω/□ même après la formation d'un revêtement protecteur par thermodurcissement du film de formation de revêtement protecteur (13).
(JA)
支持シート(10)と、支持シート(10)の第1面(10a)上に形成された保護膜形成用フィルム(13)と、を備えた保護膜形成用複合シート(101)中の、支持シート(10)側の最表層の表面抵抗率を、1.0×1011Ω/□以下とし、保護膜形成用フィルム(13)を熱硬化させ、保護膜を形成した後も、前記支持シート(10)側の最表層の表面抵抗率を1.0×1011Ω/□以下とする。
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