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1. WO2020116275 - 保護膜形成用複合シート、及び半導体チップの製造方法

公開番号 WO/2020/116275
公開日 11.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/046354
国際出願日 27.11.2019
IPC
H01L 23/00 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
H01L 21/301 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
301半導体本体を別個の部品に細分割するため,例.分離する
CPC
H01L 23/00
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
出願人
  • リンテック株式会社 LINTEC CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 山本 大輔 YAMAMOTO Daisuke
代理人
  • 西澤 和純 NISHIZAWA Kazuyoshi
  • 五十嵐 光永 IGARASHI Koei
  • 加藤 広之 KATO Hiroyuki
優先権情報
2018-22852405.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PROTECTIVE FILM-FORMING COMPOSITE SHEET AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR CHIP
(FR) FEUILLE COMPOSITE FORMANT UN FILM DE PROTECTION ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE PUCE SEMI-CONDUCTRICE
(JA) 保護膜形成用複合シート、及び半導体チップの製造方法
要約
(EN)
The present invention relates to a protective film-forming composite sheet comprising: a support sheet; and a protective film-forming film, formed on one surface of the support sheet. The surface resistivity of the outermost layer on the support sheet side of the protective film-forming composite sheet, after expanding the protective film-forming film in a surface direction under conditions where the push-up speed is 10 mm/sec and the push-up height is 20 mm, and in an environment having a temperature of 23°C, is 1.0×1011 Ω/□ or less.
(FR)
La présente invention concerne une feuille composite formant un film de protection comprenant : une feuille de support ; et un film formant un film de protection, formé sur une surface de la feuille de support. La résistivité en surface de la couche la plus à l'extérieur du côté feuille de support de la feuille composite formant un film de protection, après expansion du film formant un film de protection dans une direction de surface dans des conditions où la vitesse de poussée est de 10 mm/sec et la hauteur de poussée est de 20 mm, et dans un environnement ayant une température de 23 °C, est inférieure ou égale à 1,0 × 1011 Ω/□.
(JA)
本発明は、支持シートと、前記支持シートの一方の面上に形成された保護膜形成用フィルムとを備えた保護膜形成用複合シートに関し、温度23℃の環境下において、突き上げ速度10mm/sec、突き上げ高さ20mmの条件で、前記保護膜形成用フィルムを表面方向にエキスパンドした後の、前記保護膜形成用複合シートの前記支持シート側の最表層の表面抵抗率が、1.0×1011Ω/□以下である。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報