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1. WO2020116270 - p型不純物拡散組成物とその製造方法、それを用いた半導体素子の製造方法および太陽電池

公開番号 WO/2020/116270
公開日 11.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/046319
国際出願日 27.11.2019
IPC
H01L 31/18 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
18これらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
H01L 31/077 2012.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04光起電変換装置として使用されるもの
06少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの
075電位障壁がPIN型のみからなるもの,例.PINアモルファスシリコン太陽電池
077単結晶または多結晶材料からなる装置
H01L 21/225 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
22半導体本体へのまたは半導体本体からのまたは半導体領域間の不純物材料,例.ドーピング材料,電極材料,の拡散;不純物材料の再分布,例.さらなるドーパントの導入または除去をしないもの
225固相,例.ドープされた酸化物層,から固体へのまたは固体から固相への拡散を用いるもの
CPC
H01L 21/225
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
22Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; ; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
225using diffusion into or out of a solid from or into a solid phase, e.g. a doped oxide layer
H01L 31/077
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
04adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
06characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
075the potential barriers being only of the PIN type
077the devices comprising monocrystalline or polycrystalline materials
H01L 31/18
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
18Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
出願人
  • 東レ株式会社 TORAY INDUSTRIES, INC. [JP]/[JP]
発明者
  • 北田剛 KITADA, Tsuyoshi
  • 橘邦彦 TACHIBANA, Kunihiko
  • 秋本旭 AKIMOTO, Akira
優先権情報
2018-22958207.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) P-TYPE IMPURITY DIFFUSION COMPOSITION AND PRODUCTION METHOD THEREOF, MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR ELEMENT USING SAID DIFFUSION COMPOSITION, AND SOLAR BATTERY
(FR) COMPOSITION POUR DIFFUSION D'IMPURETÉS DU TYPE P ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT À SEMI-CONDUCTEUR UTILISANT LADITE COMPOSITION POUR DIFFUSION, ET BATTERIE SOLAIRE
(JA) p型不純物拡散組成物とその製造方法、それを用いた半導体素子の製造方法および太陽電池
要約
(EN)
The purpose of the present invention is to provide a p-type impurity diffusion composition which makes possible uniform dispersion on a semiconductor substrate and increasing the storage stability of a coating liquid. This p-type impurity diffusion composition contains (a) at least one resin selected from polyvinyl alcohol and polyethylene oxide, (b) a solvent, and (c) a compound containing a group 13 element, and is characterized in that the pH of the composition is 4-6.5, the solvent (b) contains (b-1) an organic solvent with a boiling point of 110-210°C and (b-2) water, and the amount of water (b-2) is 10-50 mass% of the (b) solvent.
(FR)
Le but de la présente invention est de pourvoir à une composition pour diffusion d'impuretés du type p qui permette de réaliser une dispersion uniforme sur un substrat semi-conducteur et d'augmenter la stabilité au stockage d'un liquide de revêtement. Cette composition pour diffusion d'impuretés du type p contient (a) au moins une résine choisie parmi le poly(alcool vinylique) et le poly(oxyde d'éthylène), (b) un solvant, et (c) un composé contenant un élément du groupe 13, et est caractérisée en ce que le pH de la composition est de 4 à 6,5, le solvant (b) contient (b-1) un solvant organique ayant un point d'ébullition de 110 à 210 °C et (b-2) de l'eau, et la quantité d'eau (b-2) est de 10 à 50 % en masse du solvant (b).
(JA)
半導体基板への均一な拡散と塗布液の保存安定性の向上を可能とするp型不純物拡散組成物を提供することを課題とする。 (a)ポリビニルアルコールおよびポリエチレンオキサイドから選ばれる少なくとも1つの樹脂、 (b)溶媒、および (c)第13族元素を含む化合物 を含むp型不純物拡散組成物であって、組成物のpHが4~6.5であり、(b)溶媒が、(b-1)沸点110℃以上、210℃以下の有機溶媒と(b-2)水とを含み、(b-2)水の量が(b)溶媒中の10~50質量%であることを特徴とするp型不純物拡散組成物。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報