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1. WO2020116263 - 半導体装置およびそれを用いた車載用電子制御装置

公開番号 WO/2020/116263
公開日 11.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/046273
国際出願日 27.11.2019
IPC
H01L 21/82 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
771つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
H01L 21/822 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
771つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
H01L 27/04 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04基板が半導体本体であるもの
H01L 21/8234 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
771つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232電界効果技術
8234MIS技術
H01L 27/088 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04基板が半導体本体であるもの
081種類の半導体構成部品だけを含むもの
085電界効果構成部品のみを含むもの
088構成部品が絶縁ゲートを有する電界効果トランジスタであるもの
CPC
H01L 21/82
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
82to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
H01L 21/822
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
82to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
822the substrate being a semiconductor, using silicon technology
H01L 21/8234
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
82to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
822the substrate being a semiconductor, using silicon technology
8232Field-effect technology
8234MIS technology ; , i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
H01L 27/04
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
H01L 27/088
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
08including only semiconductor components of a single kind
085including field-effect components only
088the components being field-effect transistors with insulated gate
出願人
  • 日立オートモティブシステムズ株式会社 HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS, LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 池ヶ谷 克己 IKEGAYA Katsumi
  • 大島 隆文 OSHIMA Takayuki
  • 小林 洋一郎 KOBAYASHI Yoichiro
  • 北 雅人 KITA Masato
  • 小森山 恵士 KOMORIYAMA Keishi
  • 右田 稔 MIGITA Minoru
  • 川越 悠 KAWAGOE Yu
  • 菅野 清隆 KANNO Kiyotaka
代理人
  • 戸田 裕二 TODA Yuji
優先権情報
2018-22740804.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND AUTOMOTIVE ELECTRONIC CONTROL DEVICE USING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF DE COMMANDE ÉLECTRONIQUE AUTOMOBILE L'UTILISANT
(JA) 半導体装置およびそれを用いた車載用電子制御装置
要約
(EN)
Provided is a highly-reliable semiconductor device provided with a current mirror circuit, said semiconductor device being capable of suppressing fluctuations over time in the mirror ratio of the current mirror circuit. The semiconductor device is characterized by comprising a current mirror circuit having a first MOS transistor and a plurality of MOS transistors that form a pair with the first MOS transistor, and a plurality of wiring layers formed on the upper layer of the MOS transistors, wherein the plurality of wiring layers is positioned so that each wiring pattern has the same form within a prescribed range from a channel region end section of each MOS transistor of the plurality of MOS transistors and the first MOS transistor.
(FR)
L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur hautement fiable comprenant un circuit de miroir de courant, ledit dispositif à semi-conducteur étant apte à supprimer des fluctuations dans le temps dans le rapport de miroir du circuit de miroir de courant. Le dispositif à semi-conducteur est caractérisé en ce qu'il comprend un circuit miroir de courant ayant un premier transistor MOS et une pluralité de transistors MOS qui forment une paire avec le premier transistor MOS, et une pluralité de couches de câblage formées sur la couche supérieure des transistors MOS, la pluralité de couches de câblage étant positionnée de telle sorte que chaque motif de câblage a la même forme dans une plage prescrite à partir d'une section d'extrémité de région de canal de chaque transistor MOS de la pluralité de transistors MOS et du premier transistor MOS.
(JA)
カレントミラー回路を備える半導体装置において、カレントミラー回路のミラー比の経時変化を抑制可能な信頼性の高い半導体装置を提供する。 第1MOSトランジスタと前記第1MOSトランジスタと対をなす複数のMOSトランジスタを有するカレントミラー回路と、前記MOSトランジスタの上層に形成される複数の配線層と、を備え、前記複数の配線層は、前記第1MOSトランジスタおよび前記複数のMOSトランジスタの各MOSトランジスタのチャネル領域端部から所定の範囲内において、各配線パターンが同一形状となるように配置されていることを特徴とする。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報