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1. WO2020116259 - プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

公開番号 WO/2020/116259
公開日 11.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/046238
国際出願日 26.11.2019
IPC
H05H 1/46 2006.01
H電気
05他に分類されない電気技術
Hプラズマ技術;加速された荷電粒子のまたは中性子の発生;中性分子または原子ビームの発生または加速
1プラズマの生成;プラズマの取扱い
24プラズマの発生
46電磁界を用いるもの,例.高周波またはマイクロ波エネルギー
H01L 21/3065 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
H01L 21/31 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
H01L 21/683 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
67製造または処理中の半導体または電気的固体装置の取扱いに特に適用される装置;半導体または電気的固体装置もしくは構成部品の製造または処理中のウエハの取扱いに特に適用される装置
683支持または把持のためのもの
出願人
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP]
  • 国立大学法人東北大学 TOHOKU UNIVERSITY [JP]/[JP]
発明者
  • 平山 昌樹 HIRAYAMA Masaki
代理人
  • 長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki
  • 黒木 義樹 KUROKI Yoshiki
  • 柏岡 潤二 KASHIOKA Junji
優先権情報
2018-22924406.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PLASMA PROCESSING DEVICE AND PLASMA PROCESSING METHOD
(FR) DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT PAR PLASMA
(JA) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
要約
(EN)
The plasma processing device according to one exemplified embodiment is provided with a processing container, a stage, a top electrode, and an introduction unit. The stage is provided within the processing container. The top electrode is provided above the stage through the space in the processing container. The introduction unit introduces a high-frequency wave that is a VHF wave and is provided at a lateral direction end in the space in the processing container. The stage includes a body and a conductive layer. The body is formed of an insulating body. The conductive layer is provided within the body. The conductive layer has the shortest distance from the upper surface of the stage among one or more conductive layers provided within the stage. The conductive layer is formed annularly.
(FR)
Selon un mode de réalisation, le dispositif de traitement par plasma de l'invention est équipé d'un réceptacle de traitement, d'une platine, d'une électrode de partie supérieure et d'une partie induction. La platine est agencée à l'intérieur du réceptacle de traitement. L'électrode de partie supérieure est agencée au-dessus de la platine avec un espace à l'intérieur du réceptacle de traitement pour intermédiaire. La partie induction est une partie induction d'ondes haute fréquence consistant en des ondes très haute fréquence, et est agencée dans une partie extrémité de direction latérale de l'espace à l'intérieur du réceptacle de traitement. La platine contient un corps principal et des couches conductrices. Le corps principal est formé à partir d'un corps isolant. Les couches conductrices sont agencées à l'intérieur du corps principal. Les couches conductrices présentent la distance la plus courte à partir de la face supérieure de la platine, parmi la couche conductrice ou les couches conductrices agencées à l'intérieur de la platine. Les couches conductrices prennent une forme circulaire.
(JA)
一つの例示的実施形態に係るプラズマ処理装置は、処理容器、ステージ、上部電極、及び導入部を備える。ステージは、処理容器内に設けられている。上部電極は、ステージの上方に処理容器内の空間を介して設けられている。導入部は、VHF波である高周波の導入部であり、処理容器内の空間の横方向端部に設けられている。ステージは、本体及び導電層を含む。本体は、絶縁体から形成されている。導電層は、本体内に設けられている。導電層は、ステージ内に設けられた一つ以上の導電層のうちステージの上面から最短の距離を有する。導電層は、環状に形成されている。
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