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1. WO2020116258 - プラズマ処理装置、及び、プラズマ処理方法

公開番号 WO/2020/116258
公開日 11.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/046237
国際出願日 26.11.2019
IPC
H05H 1/46 2006.01
H電気
05他に分類されない電気技術
Hプラズマ技術;加速された荷電粒子のまたは中性子の発生;中性分子または原子ビームの発生または加速
1プラズマの生成;プラズマの取扱い
24プラズマの発生
46電磁界を用いるもの,例.高周波またはマイクロ波エネルギー
H01L 21/205 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
H01L 21/3065 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
CPC
H01L 21/205
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
20Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth ; solid phase epitaxy
205using reduction or decomposition of a gaseous compound yielding a solid condensate, i.e. chemical deposition
H01L 21/3065
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
3065Plasma etching; Reactive-ion etching
H05H 1/46
HELECTRICITY
05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
HPLASMA TECHNIQUE
1Generating plasma; Handling plasma
24Generating plasma
46using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
出願人
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP]
  • 国立大学法人東北大学 TOHOKU UNIVERSITY [JP]/[JP]
発明者
  • 平山 昌樹 HIRAYAMA Masaki
代理人
  • 長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki
  • 黒木 義樹 KUROKI Yoshiki
  • 柏岡 潤二 KASHIOKA Junji
優先権情報
2018-22923206.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PLASMA PROCESSING APPARATUS AND PLASMA PROCESSING METHOD
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT PAR PLASMA ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT PAR PLASMA
(JA) プラズマ処理装置、及び、プラズマ処理方法
要約
(EN)
Provided is a technology which enables the improvement of plasma uniformity in a parallel plate plasma processing apparatus that has a plasma excitation frequency in the VHF band or in the UHF band. A plasma processing apparatus according to one exemplary embodiment of the present invention is provided with: a processing container; a stage which is provided within the processing container; a dielectric plate which is provided above the upper surface of the stage with a space within the processing container being interposed therebetween; and an upper electrode which is provided above the dielectric plate. This plasma processing apparatus is configured such that: an air gap is provided between the upper electrode and the dielectric plate; and the width of the air gap is not uniform in the direction in which the dielectric plate extends.
(FR)
L'invention concerne une technologie qui permet d'améliorer l'uniformité du plasma dans un appareil de traitement par plasma à plaques parallèles qui a une fréquence d'excitation de plasma dans la bande VHF ou dans la bande UHF. Un appareil de traitement par plasma selon un mode de réalisation donné à titre d'exemple de la présente invention comprend : un récipient de traitement ; un étage qui est disposé à l'intérieur du récipient de traitement ; une plaque diélectrique qui est disposée au-dessus de la surface supérieure de l'étage avec un espace à l'intérieur du récipient de traitement interposé entre celles-ci ; et une électrode supérieure qui est disposée au-dessus de la plaque diélectrique. Cet appareil de traitement par plasma est configuré de telle sorte que : un entrefer est prévu entre l'électrode supérieure et la plaque diélectrique ; et la largeur de l'entrefer n'est pas uniforme dans la direction dans laquelle s'étend la plaque diélectrique.
(JA)
プラズマ励起周波数がVHF帯又はUHF帯の平行平板型のプラズマ処理装置において、プラズマの均一性を向上し得る技術を提供する。例示的実施形態に係るプラズマ処理装置は、処理容器と、処理容器内に設けられたステージと、ステージの上面の上方に処理容器内の空間を介して設けられた誘電体板と、誘電体板の上方に設けられた上部電極とを備え、上部電極と誘電体板との間に空隙が設けられ、空隙の幅は、誘電体板の延びる方向において、非一様である。
他の公開
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