処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

出願の表示

1. WO2020116255 - プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

公開番号 WO/2020/116255
公開日 11.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/046231
国際出願日 26.11.2019
IPC
H05H 1/46 2006.01
H電気
05他に分類されない電気技術
Hプラズマ技術;加速された荷電粒子のまたは中性子の発生;中性分子または原子ビームの発生または加速
1プラズマの生成;プラズマの取扱い
24プラズマの発生
46電磁界を用いるもの,例.高周波またはマイクロ波エネルギー
出願人
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP]
  • 国立大学法人東北大学 TOHOKU UNIVERSITY [JP]/[JP]
発明者
  • 平山 昌樹 HIRAYAMA Masaki
代理人
  • 長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki
  • 黒木 義樹 KUROKI Yoshiki
  • 柏岡 潤二 KASHIOKA Junji
優先権情報
2018-22923906.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PLASMA PROCESSING APPARATUS AND PLASMA PROCESSING METHOD
(FR) DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT PAR PLASMA
(JA) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
要約
(EN)
A plasma processing apparatus according to one exemplary embodiment of the present invention is provided with a processing container, a stage, an upper electrode, an introduction part and a waveguide part. The stage is provided within the processing container. The upper electrode is provided above the stage with a space within the processing container being interposed therebetween. The introduction part is an introduction part for high frequency waves. The high frequency waves are VHF waves or UHF waves. The introduction part is provided at an end of the space in the lateral direction, and extends in the circumferential direction around the central axis line of the processing container. The waveguide part is configured so as to supply high frequency waves to the introduction part. The waveguide part comprises a resonator that provides a waveguide. The waveguide of the resonator extends in the circumferential direction around the central axis line, while extending in the direction in which the central axis line extends; and the waveguide of the resonator is connected to the introduction part.
(FR)
Selon un mode de réalisation, le dispositif de traitement par plasma de l'invention est équipé d'un réceptacle de traitement, d'une platine, d'une électrode de partie supérieure, d'une partie induction et d'une partie guide d'ondes. La platine est agencée à l'intérieur du réceptacle de traitement. L'électrode de partie supérieure est agencée au-dessus de la platine avec un espace à l'intérieur du réceptacle de traitement pour intermédiaire. La partie induction consiste en une partie induction d'ondes haute fréquence. Les ondes haute fréquence consistent en des ondes très hautes fréquences ou des ondes ultra hautes fréquences. La partie induction est agencée dans une partie extrémité de direction latérale d'un espace, et se prolonge dans une direction périphérique autour d'une ligne d'axe central du réceptacle de traitement. La partie guide d'ondes est configurée de manière à alimenter la partie induction en ondes haute fréquence, et contient un résonateur fournissant un guide d'ondes. Le guide d'ondes du résonateur s'étend dans la direction périphérique autour de la ligne d'axe central, s'étend dans une direction de prolongement de la ligne d'axe central, et est connecté à la partie induction.
(JA)
例示的実施形態に係るプラズマ処理装置は、処理容器、ステージ、上部電極、導入部、及び導波部を備える。ステージは、処理容器内に設けられている。上部電極は、ステージの上方に処理容器内の空間を介して設けられている。導入部は、高周波の導入部である。高周波は、VHF波又はUHF波である。導入部は、空間の横方向端部に設けられており、処理容器の中心軸線の周りで周方向に延在している。導波部は、導入部に高周波を供給するように構成されている。導波部は、導波路を提供する共振器を含む。共振器の導波路は、中心軸線の周りで周方向に延び、中心軸線が延在する方向に延び、導入部に接続されている。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報