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1. WO2020116251 - プラズマ処理装置、及び、プラズマ処理方法

公開番号 WO/2020/116251
公開日 11.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/046225
国際出願日 26.11.2019
IPC
H05H 1/46 2006.01
H電気
05他に分類されない電気技術
Hプラズマ技術;加速された荷電粒子のまたは中性子の発生;中性分子または原子ビームの発生または加速
1プラズマの生成;プラズマの取扱い
24プラズマの発生
46電磁界を用いるもの,例.高周波またはマイクロ波エネルギー
出願人
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP]
  • 国立大学法人東北大学 TOHOKU UNIVERSITY [JP]/[JP]
発明者
  • 川上 聡 KAWAKAMI Satoru
  • 山本 博之 YAMAMOTO Hiroyuki
  • 池田 太郎 IKEDA Taro
  • 平山 昌樹 HIRAYAMA Masaki
代理人
  • 長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki
  • 黒木 義樹 KUROKI Yoshiki
  • 柏岡 潤二 KASHIOKA Junji
優先権情報
2018-22922406.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PLASMA TREATMENT DEVICE AND PLASMA TREATMENT METHOD
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT PAR PLASMA ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT PAR PLASMA
(JA) プラズマ処理装置、及び、プラズマ処理方法
要約
(EN)
A technique is provided that can improve plasma uniformity in a parallel plate-type plasma treatment device in which the plasma excitation frequency is in the VHF band or UHF band. This plasma treatment device is provided with a treatment container, a stage, an upper electrode, a dielectric plate, and a waveguide. The stage is provided in the treatment container. The dielectric plate is provided above the stage with the space in the treatment container therebetween. The upper electrode is provided above the dielectric plate. The waveguide has an end section, and guides VHF band or UHF band high-frequency waves. The end section is arranged facing the space and emits the high-frequency waves into the space. The dielectric plate is provided with a conductive film. The conductive film is arranged on the top surface of the dielectric plate. The top surface faces the upper electrode. The conductive film is electrically connected to the upper electrode.
(FR)
L'invention concerne une technique qui peut améliorer l'uniformité du plasma dans un dispositif de traitement par plasma de type à plaques parallèles dans lequel la fréquence d'excitation du plasma se trouve dans la bande des très hautes fréquences (very high frequency ou VHF) ou la bande des ultra hautes fréquences (ultra high frequency ou UHF). Ce dispositif de traitement au plasma est pourvu d'un récipient de traitement, d'un plateau, d'une électrode supérieure, d'une plaque diélectrique et d'un guide d'ondes. Le plateau est situé dans le récipient de traitement. La plaque diélectrique est située au-dessus du plateau, l'espace dans le récipient de traitement entre. L'électrode supérieure est donnée au-dessus de la plaque diélectrique. Le guide d'ondes a une section d'extrémité, et guide des ondes de bande de hautes fréquences VHF ou UHF. La section d'extrémité est disposée face à l'espace et émet les ondes haute fréquence dans l'espace. La plaque diélectrique est pourvue d'un film conducteur. Le film conducteur est disposé sur la surface supérieure de la plaque diélectrique. La surface supérieure fait face à l'électrode supérieure. Le film conducteur est connecté électriquement à l'électrode supérieure.
(JA)
本開示は、プラズマ励起周波数がVHF帯又はUHF帯の平行平板型のプラズマ処理装置において、プラズマの均一性を向上し得る技術を提供する。例示的実施形態に係るプラズマ処理装置は、処理容器とステージと上部電極と誘電体板と導波路とを備える。ステージは、処理容器内に設けられる。誘電体板は、ステージの上方に処理容器内の空間を介して設けられる。上部電極は、誘電体板の上方に設けられる。導波路は、端部を備え、VHF帯又はUHF帯の高周波を導波する。端部は、空間に向いて配置されており、空間に高周波を放射する。誘電体板は、導電膜を備える。導電膜は、誘電体板の上面に設けられる。上面は、上部電極に対面する。導電膜は、上部電極に電気的に接続される。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報