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1. WO2020116250 - プラズマ処理装置

公開番号 WO/2020/116250
公開日 11.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/046223
国際出願日 26.11.2019
IPC
H05H 1/46 2006.01
H電気
05他に分類されない電気技術
Hプラズマ技術;加速された荷電粒子のまたは中性子の発生;中性分子または原子ビームの発生または加速
1プラズマの生成;プラズマの取扱い
24プラズマの発生
46電磁界を用いるもの,例.高周波またはマイクロ波エネルギー
H01L 21/205 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
H01L 21/3065 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
C23C 16/509 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44被覆の方法に特徴のあるもの
50放電を用いるもの
505高周波放電によるもの
509内部電極を用いるもの
出願人
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP]
発明者
  • 池田 太郎 IKEDA Taro
  • 北原 聡文 KITAHARA Toshifumi
代理人
  • 長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki
  • 黒木 義樹 KUROKI Yoshiki
  • 柏岡 潤二 KASHIOKA Junji
優先権情報
2018-22926206.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PLASMA PROCESSING APPARATUS
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT AU PLASMA
(JA) プラズマ処理装置
要約
(EN)
The present invention provides a plasma processing apparatus which is capable of suppressing the occurrence of an abnormal discharge. A plasma processing apparatus according to the present invention is provided with an upper electrode and a lower electrode, which are arranged within a processing container so as to face each other, and a dielectric shower for gas introduction, which is arranged below the upper electrode; and this plasma processing apparatus generates a plasma in the space between the upper electrode and the lower electrode. This plasma processing apparatus is configured such that the upper electrode is provided with: a slot for introducing VHF waves into the processing container; and a gas flow path which is provided independently from the slot, while being in communication with the dielectric shower.
(FR)
La présente invention concerne un appareil de traitement au plasma qui est capable de supprimer l'apparition d'une décharge anormale. Un appareil de traitement au plasma selon la présente invention est pourvu d'une électrode supérieure et d'une électrode inférieure, agencées à l'intérieur d'un récipient de traitement de façon à se faire face l'une à l'autre, et une douche diélectrique pour l'introduction de gaz, disposée au-dessous de l'électrode supérieure. L'appareil de traitement au plasma génère un plasma dans l'espace entre l'électrode supérieure et l'électrode inférieure. Cet appareil de traitement au plasma est configuré de telle sorte que l'électrode supérieure comporte une fente pour introduire des ondes à très hautes fréquences dans le récipient de traitement ; et un trajet d'écoulement de gaz est disposé indépendamment de la fente, tout en étant en communication avec la douche diélectrique.
(JA)
異常放電を抑制可能なプラズマ処理装置を提供する。処理容器内に対向配置された上部電極及び下部電極と、上部電極の下方に配置されたガス導入用の誘電体シャワーとを備え、上部電極と下部電極との間の空間にプラズマを発生させるプラズマ処理装置において、上部電極は、処理容器内へのVHF波導入用のスロットと、スロットから独立して設けられ、誘電体シャワーに連通したガス流路とを備えている。
他の公開
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