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1. WO2020116245 - プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

公開番号 WO/2020/116245
公開日 11.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/046211
国際出願日 26.11.2019
IPC
H05H 1/46 2006.01
H電気
05他に分類されない電気技術
Hプラズマ技術;加速された荷電粒子のまたは中性子の発生;中性分子または原子ビームの発生または加速
1プラズマの生成;プラズマの取扱い
24プラズマの発生
46電磁界を用いるもの,例.高周波またはマイクロ波エネルギー
H01L 21/205 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
H01L 21/3065 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
H01L 21/31 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
C23C 16/455 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44被覆の方法に特徴のあるもの
455ガスを反応室に導入するため,または反応室のガス流を変えるために使われる方法に特徴があるもの
C23C 16/50 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44被覆の方法に特徴のあるもの
50放電を用いるもの
出願人
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP]
  • 国立大学法人東北大学 TOHOKU UNIVERSITY [JP]/[JP]
発明者
  • 池田 太郎 IKEDA Taro
  • 川上 聡 KAWAKAMI Satoru
  • 平山 昌樹 HIRAYAMA Masaki
代理人
  • 長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki
  • 黒木 義樹 KUROKI Yoshiki
  • 柏岡 潤二 KASHIOKA Junji
優先権情報
2018-22922206.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PLASMA PROCESSING APPARATUS AND PLASMA PROCESSING METHOD
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT PAR PLASMA ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT PAR PLASMA
(JA) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
要約
(EN)
Improvement of the in-plane uniformity of plasma on a stage has been required with respect to a plasma processing apparatus and a plasma processing method. A plasma processing apparatus according to the present invention is provided with a processing container, a stage and a dielectric plate. The stage is provided within the processing container; the dielectric plate has a plurality of through holes for gas jetting; and the upper surface of the dielectric plate is provided with a conductive film. The space between the conductive film and the stage within the processing container serves as a plasma processing space. The dielectric plate has a central part and an outer peripheral part; the upper surfaces of the central part and the outer peripheral part have flat parts; and the thickness of the central part is larger than the thickness of the outer peripheral part.
(FR)
Le problème décrit par la présente invention est d'améliorer l'uniformité dans le plan du plasma sur un plateau dans un appareil de traitement par plasma et un procédé de traitement par plasma. La solution selon l'invention porte sur un appareil de traitement par plasma comprenant un récipient de traitement, un plateau et une plaque diélectrique. Le plateau est placé à l'intérieur du récipient de traitement ; la plaque diélectrique comporte une pluralité d'orifices traversants pour le jet de gaz ; et la surface supérieure de la plaque diélectrique est dotée d'un film conducteur. L'espace entre le film conducteur et le plateau à l'intérieur du récipient de traitement sert d'espace de traitement par plasma. La plaque diélectrique a une partie centrale et une partie périphérique externe ; les surfaces supérieures de la partie centrale et de la partie périphérique externe ont des parties plates ; et l'épaisseur de la partie centrale est supérieure à l'épaisseur de la partie périphérique externe.
(JA)
プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法においては、ステージ上のプラズマの面内均一性の向上が求められている。プラズマ処理装置は、処理容器とステージと誘電体板とを備えている。ステージは、処理容器内に設けられ、誘電体板は、複数のガス噴出用の貫通孔を有し、誘電体板の上面には導電膜が設けられている。導電膜とステージとの間の処理容器内の空間をプラズマ処理空間とする。誘電体板は、中央部及び外周部を備え、中央部及び外周部の上面は平坦部を備え、中央部の厚さは外周部の厚さよりも大きい。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報