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1. WO2020116243 - プラズマ処理装置

公開番号 WO/2020/116243
公開日 11.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/046208
国際出願日 26.11.2019
IPC
H05H 1/46 2006.01
H電気
05他に分類されない電気技術
Hプラズマ技術;加速された荷電粒子のまたは中性子の発生;中性分子または原子ビームの発生または加速
1プラズマの生成;プラズマの取扱い
24プラズマの発生
46電磁界を用いるもの,例.高周波またはマイクロ波エネルギー
H01L 21/205 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
H01L 21/3065 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
H01L 21/31 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
出願人
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP]
発明者
  • 池田 太郎 IKEDA Taro
  • 北原 聡文 KITAHARA Toshifumi
代理人
  • 長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki
  • 黒木 義樹 KUROKI Yoshiki
  • 柏岡 潤二 KASHIOKA Junji
優先権情報
2018-22922106.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PLASMA PROCESSING APPARATUS
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT AU PLASMA
(JA) プラズマ処理装置
要約
(EN)
Improvement of plasma heat dissipation has been required with respect to a plasma processing apparatus. A plasma processing apparatus according to the present invention is provided with a dielectric body, a conductive film, a heat radiation film and an electrode. The dielectric body has one surface which faces a space for plasma generation. The conductive film is provided on the other surface of the dielectric body. The heat radiation film is provided on the conductive film, and has a higher emissivity than the conductive film. The electrode is electrically connected to the conductive film, and is used for the application of electric power for plasma generation.
(FR)
L'amélioration de la dissipation thermique du plasma est requise par rapport à un appareil de traitement au plasma. Un appareil de traitement au plasma selon la présente invention est pourvu d'un corps diélectrique, d'un film conducteur, d'un film de rayonnement thermique et d'une électrode. Le corps diélectrique a une surface qui fait face à un espace pour la génération de plasma. Le film conducteur est disposé sur l'autre surface du corps diélectrique. Le film de rayonnement thermique est disposé sur le film conducteur et présente une émissivité supérieure à celle du film conducteur. L'électrode est électriquement connectée au film conducteur et est utilisée pour l'application d'énergie électrique pour la génération de plasma.
(JA)
プラズマ処理装置においては、プラズマ熱の放出の向上が求められている。プラズマ処理装置は、誘電体、導電膜、熱放射膜、電極を備えている。誘電体は、プラズマ発生用の空間に面する一方面を有する。導電膜は、誘電体の他方面上に設けられている。熱放射膜は、導電膜上に設けられ、導電膜よりも高い放射率を有する。電極は、導電膜に電気的に接続されており、これはプラズマ発生用の電力を与えるためのものである。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報