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1. WO2020116182 - ビス(アルキルテトラメチルシクロペンタジエニル)亜鉛、化学蒸着用原料、および亜鉛を含有する薄膜の製造方法

公開番号 WO/2020/116182
公開日 11.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/045581
国際出願日 21.11.2019
IPC
C23C 16/18 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
06金属質材料の析出に特徴のあるもの
18金属有機質化合物からのもの
C07F 17/00 2006.01
C化学;冶金
07有機化学
F炭素,水素,ハロゲン,酸素,窒素,硫黄,セレンまたはテルル以外の元素を含有する非環式,炭素環式または複素環式化合物
17メタロセン
H01L 21/285 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28H01L21/20~H01L21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
283電極用の導電または絶縁材料の析出
285気体または蒸気からの析出,例.凝結
H01L 21/288 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28H01L21/20~H01L21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
283電極用の導電または絶縁材料の析出
288液体からの析出,例.電解液からの析出
出願人
  • 株式会社高純度化学研究所 KOJUNDO CHEMICAL LABORATORY CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 高橋 伸尚 TAKAHASHI Nobutaka
  • 水谷 文一 MIZUTANI Fumikazu
代理人
  • 木下 茂 KINOSHITA Shigeru
優先権情報
2018-22870506.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) BIS(ALKYL TETRAMETHYLCYCLOPENTADIENYL)ZINC, RAW MATERIAL FOR CHEMICAL VAPOR DEPOSITION, AND PRODUCTION METHOD FOR ZINC-CONTAINING THIN FILM
(FR) BIS(ALKYL TÉTRAMÉTHYLCYCLOPENTADIÉNYL)ZINC, MATIÈRE PREMIÈRE POUR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE FILM MINCE CONTENANT DU ZINC
(JA) ビス(アルキルテトラメチルシクロペンタジエニル)亜鉛、化学蒸着用原料、および亜鉛を含有する薄膜の製造方法
要約
(EN)
Provided are a raw material that is for chemical vapor deposition for forming a zinc-containing thin film, and that contains a bis(alkyl tetramethylcyclopentadienyl)zinc represented by formula (1) (in formula (1), R1 and R2 each represent an alkyl group having three carbon atoms) and a bis(alkyl tetramethylcyclopentadienyl)zinc represented by formula (2) (in formula (2), R3 and R4 each represent an alkyl group having 2-5 carbon atoms), which are liquid at room temperature and are therefore easy to handle; and a production method for a zinc-containing thin film through chemical vapor deposition.
(FR)
L'invention concerne une matière première qui est destinée au dépôt chimique en phase vapeur afin de former un film mince contenant du zinc, et qui contient un bis(alkyl tétraméthylcyclopentadiényl)zinc représenté par la formule (1) (dans la formule (1), R1 et R2 représentent chacun un groupe alkyle ayant trois atomes de carbone) et un bis(alkyl tétraméthylcyclopentadiényl)zinc représenté par la formule (2) (dans la formule (2), R3 et R4 représentent chacun un groupe alkyle ayant de 2 à 5 atomes de carbone), qui sont liquides à température ambiante et sont donc faciles à manipuler ; et un procédé de production d'un film mince contenant du zinc par dépôt chimique en phase vapeur.
(JA)
亜鉛含有薄膜を形成するための化学蒸着用原料であって、室温で液体であるため、取り扱い容易な下記式(1)で表されるビス(アルキルテトラメチルシクロペンタジエニル)亜鉛(式(1)中、R1およびR2は炭素数3のアルキル基を表す。)、ならびに、下記式(2)で表されるビス(アルキルテトラメチルシクロペンタジエニル)亜鉛(式(2)中、R3およびR4は炭素数2~5のアルキル基を表す。)を含有する化学蒸着用原料および化学蒸着法による亜鉛含有薄膜の製造方法を提供する。
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