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1. WO2020116172 - 半導体レーザチップ実装サブマウントおよびその製造方法ならびに半導体レーザモジュール

公開番号 WO/2020/116172
公開日 11.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/045513
国際出願日 20.11.2019
IPC
H01S 5/022 2006.01
H電気
01基本的電気素子
S光を増幅または生成するために,放射の誘導放出による光増幅を用いた装置;光領域以外の電磁放射の誘導放出を用いた装置
5半導体レーザ
02レーザ作用にとって本質的ではない構造的な細部または構成
022マウント;ハウジング
CPC
H01S 5/022
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
022Mountings; Housings
出願人
  • 古河電気工業株式会社 FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 鍛治 栄作 KAJI, Eisaku
  • 大木 泰 OHKI, Yutaka
代理人
  • 特許業務法人酒井国際特許事務所 SAKAI INTERNATIONAL PATENT OFFICE
優先権情報
2018-22684003.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR LASER CHIP MOUNTING SUBMOUNT, METHOD OF MANUFACTURING SAME, AND SEMICONDUCTOR LASER MODULE
(FR) EMBASE DE MONTAGE DE PUCE LASER À SEMI-CONDUCTEUR, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET MODULE LASER À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体レーザチップ実装サブマウントおよびその製造方法ならびに半導体レーザモジュール
要約
(EN)
This semiconductor laser chip mounting submount comprises: a semiconductor laser chip that has an emission end surface and a rear end surface in the longitudinal direction and emits a laser beam from the emission end surface; and a submount on which the semiconductor laser chip is mounted, wherein a first distance between the submount and the emission end surface side of the semiconductor laser chip is smaller than a second distance between the submount and the rear end surface side of the semiconductor laser chip.
(FR)
Cette embase de montage de puce laser à semi-conducteur comprend : une puce laser à semi-conducteur qui a une surface d'extrémité d'émission et une surface d'extrémité arrière dans la direction longitudinale et émet un faisceau laser à partir de la surface d'extrémité d'émission ; et une embase sur laquelle est montée la puce laser à semi-conducteur, une première distance entre l'embase et le côté surface d'extrémité d'émission de la puce laser à semi-conducteur étant inférieure à une seconde distance entre l'embase et le côté surface d'extrémité arrière de la puce laser à semi-conducteur.
(JA)
半導体レーザチップ実装サブマウントは、長手方向において出射端面と後端面とを有し、前記出射端面からレーザ光を出射する半導体レーザチップと、前記半導体レーザチップが実装されるサブマウントと、を備え、前記サブマウントと前記半導体レーザチップの出射端面側との第1距離が、前記サブマウントと前記半導体レーザチップの後端面側との第2距離よりも小さい。
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