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1. WO2020116164 - 基板処理方法、および基板処理装置

公開番号 WO/2020/116164
公開日 11.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/045423
国際出願日 20.11.2019
IPC
H01L 21/304 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
出願人
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP]
発明者
  • 川渕 洋介 KAWABUCHI, Yosuke
代理人
  • 伊東 忠重 ITOH, Tadashige
  • 伊東 忠彦 ITOH, Tadahiko
優先権情報
2018-22686503.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理方法、および基板処理装置
要約
(EN)
This substrate processing method includes a step for forming a liquid film containing a drying liquid by supplying the drying liquid onto a substrate upper surface on which a pattern of protrusions and recesses is formed, and step for exposing the upper surface of the substrate from the liquid film of the drying liquid, wherein the exposing step includes: a step for generating a surface tension differential in the drying liquid between a first region and a second region adjacent to each other in the horizontal direction of the liquid film; and a step for discharging the drying liquid from the first region to the second region by means of the surface tension differential.
(FR)
L'invention concerne un procédé de traitement de substrat comprenant une étape consistant à former un film liquide contenant un liquide de séchage en fournissant le liquide de séchage sur une surface supérieure de substrat sur laquelle est formé un motif de saillies et d'évidements, et une étape consistant à exposer la surface supérieure du substrat à partir du film liquide du liquide de séchage, l'étape d'exposition comprenant : une étape consistant à générer un différentiel de tension de surface dans le liquide de séchage entre une première région et une seconde région adjacentes l'une à l'autre dans la direction horizontale du film liquide ; et une étape pour décharger le liquide de séchage de la première région à la seconde région au moyen du différentiel de tension de surface.
(JA)
基板の凹凸パターンが形成された上面に乾燥液を供給することにより、前記乾燥液を含む液膜を形成する工程と、前記基板の上面を、前記乾燥液の液膜から露出する工程とを有し、前記露出する工程は、前記乾燥液の液膜の水平方向に隣り合う第1領域と第2領域との間で、表面張力差を発生する工程と、前記表面張力差によって、前記第1領域から前記第2領域に、前記乾燥液を排出する工程とを有する、基板処理方法。
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