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1. WO2020116153 - 半導体光電極

公開番号 WO/2020/116153
公開日 11.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/045341
国際出願日 20.11.2019
IPC
B01J 35/02 2006.01
B処理操作;運輸
01物理的または化学的方法または装置一般
J化学的または物理的方法,例.触媒またはコロイド化学;それらの関連装置
35形態または物理的性質に特徴のある触媒一般
02固体
C25B 5/00 2006.01
C化学;冶金
25電気分解または電気泳動方法;そのための装置
B化合物または非金属の製造のための電気分解または電気泳動方法;そのための装置
5電気発生方法,すなわち,電気を同時に発生する化合物製造方法
C25B 1/04 2006.01
C化学;冶金
25電気分解または電気泳動方法;そのための装置
B化合物または非金属の製造のための電気分解または電気泳動方法;そのための装置
1無機化合物または非金属の電解製造
02水素または酸素
04水の電気分解によるもの
C25B 11/04 2006.01
C化学;冶金
25電気分解または電気泳動方法;そのための装置
B化合物または非金属の製造のための電気分解または電気泳動方法;そのための装置
11電極;他に分類されないその製造
04材料に特徴のあるもの
C25B 11/06 2006.01
C化学;冶金
25電気分解または電気泳動方法;そのための装置
B化合物または非金属の製造のための電気分解または電気泳動方法;そのための装置
11電極;他に分類されないその製造
04材料に特徴のあるもの
06使用した触媒に特徴のあるもの
B01J 23/755 2006.01
B処理操作;運輸
01物理的または化学的方法または装置一般
J化学的または物理的方法,例.触媒またはコロイド化学;それらの関連装置
23グループB01J21/00に分類されない,金属または金属酸化物または水酸化物からなる触媒
70鉄族金属または銅に関するもの
74鉄族金属
755ニッケル
出願人
  • 日本電信電話株式会社 NIPPON TELEGRAPH AND TELEPHONE CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 渦巻 裕也 UZUMAKI Yuya
  • 里 紗弓 SATO Sayumi
  • 小野 陽子 ONO Yoko
  • 小松 武志 KOMATSU Takeshi
代理人
  • 三好 秀和 MIYOSHI Hidekazu
  • 工藤 理恵 KUDO Rie
優先権情報
2018-22707604.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR OPTICAL ELECTRODE
(FR) ÉLECTRODE OPTIQUE À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体光電極
要約
(EN)
Provided is a semiconductor optical electrode which maintains light energy conversion efficiency for a long period of time. In the semiconductor optical electrode, a conductive substrate 11 composed of a group III-V compound semiconductor is used, a semiconductor thin film 12 composed of a group III-V compound semiconductor having a photocatalyst function is disposed on the substrate 11, and an oxygen generation promotion catalyst layer 13 having an oxygen generation promotion catalyst function with respect to the semiconductor thin film 12 is disposed on the semiconductor thin film 12. A semiconductor thin film 14, which is composed of a group III-V compound semiconductor with a lattice constant in a plane perpendicular to the crystal growth direction that is less than the semiconductor thin film 12, is disposed between the semiconductor thin film 12 and the oxygen generation promotion catalyst layer 13.
(FR)
L'invention concerne une électrode optique à semi-conducteur qui maintient l'efficacité de conversion d'énergie lumineuse pendant une longue période de temps. Dans l'électrode optique à semi-conducteur, un substrat conducteur composé d'un semi-conducteur composé du groupe III-V est utilisé, un film mince semi-conducteur composé d'un semi-conducteur composé du groupe III-V ayant une fonction photocatalytique est disposé sur le substrat, et une couche de catalyseur de promotion de la génération d'oxygène 13 ayant une fonction de catalyseur de promotion de génération d'oxygène par rapport au film mince semi-conducteur 12 est disposée sur le film mince semi-conducteur 12. Un film mince semi-conducteur 14, qui est composé d'un semi-conducteur composé du groupe III-V avec une constante de réseau dans un plan perpendiculaire à la direction de croissance cristalline qui est inférieure au film mince semi-conducteur 12, est disposée entre le film mince semi-conducteur 12 et la couche de catalyseur de promotion de génération d'oxygène 13.
(JA)
光エネルギー変換効率を長時間維持する半導体光電極を提供する。半導体光電極において、III-V族化合物半導体からなる導電性の基板11を用い、基板11上に光触媒機能を有するIII-V族化合物半導体からなる半導体薄膜12を配置し、半導体薄膜12上に半導体薄膜12に対して酸素生成助触媒機能を有する酸素生成助触媒層13を配置する。半導体薄膜12と酸素生成助触媒層13との間に、結晶成長方向と垂直の面における格子定数が半導体薄膜12よりも小さいIII-V族化合物半導体からなる半導体薄膜14を配置する。
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