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1. WO2020116151 - 窒化物半導体光電極の製造方法

公開番号 WO/2020/116151
公開日 11.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/045259
国際出願日 19.11.2019
IPC
C25B 5/00 2006.01
C化学;冶金
25電気分解または電気泳動方法;そのための装置
B化合物または非金属の製造のための電気分解または電気泳動方法;そのための装置
5電気発生方法,すなわち,電気を同時に発生する化合物製造方法
C25B 1/04 2006.01
C化学;冶金
25電気分解または電気泳動方法;そのための装置
B化合物または非金属の製造のための電気分解または電気泳動方法;そのための装置
1無機化合物または非金属の電解製造
02水素または酸素
04水の電気分解によるもの
C25B 11/04 2006.01
C化学;冶金
25電気分解または電気泳動方法;そのための装置
B化合物または非金属の製造のための電気分解または電気泳動方法;そのための装置
11電極;他に分類されないその製造
04材料に特徴のあるもの
C25B 11/06 2006.01
C化学;冶金
25電気分解または電気泳動方法;そのための装置
B化合物または非金属の製造のための電気分解または電気泳動方法;そのための装置
11電極;他に分類されないその製造
04材料に特徴のあるもの
06使用した触媒に特徴のあるもの
C23C 14/06 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
06被覆材料に特徴のあるもの
C23C 16/34 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
22金属質材料以外の無機質材料の析出に特徴のあるもの
30化合物,混合物または固溶体の析出,例.ほう化物,炭化物,窒化物
34窒化物
出願人
  • 日本電信電話株式会社 NIPPON TELEGRAPH AND TELEPHONE CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 渦巻 裕也 UZUMAKI Yuya
  • 里 紗弓 SATO Sayumi
  • 小野 陽子 ONO Yoko
  • 小松 武志 KOMATSU Takeshi
代理人
  • 三好 秀和 MIYOSHI Hidekazu
  • 工藤 理恵 KUDO Rie
優先権情報
2018-22624903.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD FOR PRODUCING NITRIDE SEMICONDUCTOR PHOTOELECTRODE
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE PHOTOÉLECTRODE À SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE
(JA) 窒化物半導体光電極の製造方法
要約
(EN)
Provided is a method for producing a nitride semiconductor photoelectrode capable of improving photoenergy conversion efficiency. This method for producing a nitride semiconductor photoelectrode comprises: a first step for forming an n-type gallium nitride layer 2 on an insulating or conducting substrate 1; a second step for forming an indium gallium nitride layer 3 on the n-type gallium nitride layer 2; a third step for forming a nickel layer 4 on the indium gallium nitride layer 3; and a fourth step for heat-treating the nickel layer 4 in an oxygen atmosphere.
(FR)
L'invention concerne un procédé de production d'une photoélectrode à semi-conducteur au nitrure permettant d'améliorer l'efficacité de conversion de photoénergie. Le procédé de production d'une photoélectrode à semi-conducteur au nitrure comprend : une première étape consistant à former une couche de nitrure de gallium de type n (2) sur un substrat isolant ou conducteur (1); une deuxième étape consistant à former une couche de nitrure d'indium et de gallium (3) sur la couche de nitrure de gallium de type n (2); une troisième étape consistant à former une couche de nickel (4) sur la couche de nitrure d'indium et de gallium (3); et une quatrième étape consistant à traiter thermiquement la couche de nickel (4) dans une atmosphère d'oxygène.
(JA)
光エネルギー変換効率の向上を図ることが可能な窒化物半導体光電極の製造方法を提供する。窒化物半導体光電極の製造方法は、絶縁性または導電性の基板1上にn型窒化ガリウム層2を形成する第1工程と、n型窒化ガリウム層2上に窒化インジウムガリウム層3を形成する第2工程と、窒化インジウムガリウム層3上にニッケル層4を形成する第3工程と、酸素雰囲気中においてニッケル層4を熱処理する第4工程とを含む。
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