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1. WO2020116148 - 半導体層の形成方法

公開番号 WO/2020/116148
公開日 11.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/045212
国際出願日 19.11.2019
IPC
C30B 29/40 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10無機化合物または組成物
40AIIIBV化合物
C30B 25/18 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
25反応ガスの化学反応による単結晶成長,例.化学蒸着(CVD)による成長
02エピタキシャル層成長
18基板によって特徴づけられたもの
出願人
  • 日本電信電話株式会社 NIPPON TELEGRAPH AND TELEPHONE CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 中尾 亮 NAKAO, Ryo
  • 佐藤 具就 SATO, Tomonari
代理人
  • 山川 茂樹 YAMAKAWA, Shigeki
  • 小池 勇三 KOIKE, Yuzo
  • 山川 政樹 YAMAKAWA, Masaki
  • 本山 泰 MOTOYAMA, Yasushi
優先権情報
2018-22704404.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR LAYER
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UNE COUCHE SEMI-CONDUCTRICE
(JA) 半導体層の形成方法
要約
(EN)
Recesses (105, 106) that reach a first semiconductor layer (102) are respectively formed at places where threading dislocations (121, 122) reach a surface, and the first semiconductor layer (102) is oxidized through the respective recesses (105, 106) so as to form an insulating film (107) that covers the under surface of a second semiconductor layer (103).
(FR)
L’invention concerne des évidements (105, 106) atteignant une première couche semi-conductrice (102), qui sont respectivement formés à des endroits où des dislocations traversantes (121, 122) atteignent une surface, et la première couche semi-conductrice (102) étant oxydée par les évidements respectifs (105, 106) de manière à former un film isolant (107) qui recouvre la surface inférieure d'une seconde couche semi-conductrice (103).
(JA)
貫通転位(121),貫通転位(122)の表面に到達している箇所に、第1半導体層(102)に到達する窪み(105),窪み(106)を形成し、窪み(105),窪み(106)を通して第1半導体層(102)を酸化し、第2半導体層(103)の下面を覆う絶縁膜(107)を形成する。
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