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1. WO2020116040 - 半導体装置及び電子機器

公開番号 WO/2020/116040
公開日 11.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/041079
国際出願日 18.10.2019
IPC
H01L 21/3205 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
3205絶縁層へ非絶縁層,例.導電層または抵抗層,の付着;これらの層の後処理
H01L 21/768 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
71グループH01L21/70で限定された装置の特定部品の製造
768装置内の別個の構成部品間に電流を流すため使用する相互接続を適用するもの
H01L 23/522 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
52動作中の装置内の1つの構成部品から他の構成部品へ電流を導く装置
522半導体本体上に分離できないように形成された導電層及び絶縁層の多層構造からなる外部の相互接続を含むもの
H01L 27/00 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
H01L 27/146 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144輻射線によって制御される装置
146固体撮像装置構造
H04N 5/369 2011.01
H電気
04電気通信技術
N画像通信,例.テレビジョン
5テレビジョン方式の細部
30光または類似信号から電気信号への変換
335固体撮像素子を用いるもの
369固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
出願人
  • ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 橋口 日出登 HASHIGUCHI Hideto
代理人
  • 田中 秀▲てつ▼ TANAKA Hidetetsu
  • 小林 龍 KOBAYASHI Toru
  • 森 哲也 MORI Tetsuya
優先権情報
2018-22734904.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 半導体装置及び電子機器
要約
(EN)
The present invention provides: a semiconductor device which has improved bondability between a first electrode part and a second electrode part facing each other; and an electronic device. A semiconductor device according to the present invention is provided with: a first wiring part; a first interlayer insulating film which covers one surface of the first wiring part; a first electrode part which is provided within a first through hole that is formed in the first interlayer insulating film, and which is electrically connected to the first wiring part; a second wiring part; a second interlayer insulating film which covers a surface of the second wiring part, said surface facing the first wiring part; and a second electrode part which is provided within a second through hole that is formed in the second interlayer insulating film, and which is electrically connected to the second wiring part. The first electrode part and the second electrode part are directly bonded to each other. The thermal expansion coefficient of the first electrode part is higher than the thermal expansion coefficient of the first wiring part.
(FR)
La présente invention concerne : un dispositif à semi-conducteur qui a une capacité de liaison améliorée entre une première partie d'électrode et une seconde partie d'électrode se faisant face ; et un dispositif électronique. Un dispositif à semi-conducteur selon la présente invention comprend : une première partie de câblage ; un premier film isolant intercouche qui recouvre une surface de la première partie de câblage ; une première partie d'électrode qui est disposée à l'intérieur d'un premier trou traversant qui est formé dans le premier film isolant intercouche, et qui est électriquement connectée à la première partie de câblage ; une seconde partie de câblage ; un second film isolant intercouche qui recouvre une surface de la seconde partie de câblage, ladite surface faisant face à la première partie de câblage ; et une seconde partie d'électrode qui est disposée à l'intérieur d'un second trou traversant qui est formé dans le second film isolant intercouche, et qui est électriquement connecté à la seconde partie de câblage La première partie d'électrode et la seconde partie d'électrode sont directement liées l'une à l'autre. Le coefficient de dilatation thermique de la première partie d'électrode est supérieur au coefficient de dilatation thermique de la première partie de câblage.
(JA)
互いに対向する第1電極部と第2電極部との接合性を向上できるようにした半導体装置及び電子機器を提供する。半導体装置は、第1配線部と、第1配線部の一方の面側を覆う第1層間絶縁膜と、第1層間絶縁膜に設けられる第1貫通孔内に設けられ、第1配線部と電気的に接続する第1電極部と、第2配線部と、第2配線部において第1配線部と対向する面側を覆う第2層間絶縁膜と、第2層間絶縁膜に設けられる第2貫通孔内に設けられ、第2配線部と電気的に接続する第2電極部と、を備える。第1電極部と第2電極部は互いに直接接合される。第1電極部の熱膨張率は、第1配線部の熱膨張率よりも大きい。
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