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1. WO2020115952 - 静電チャック、真空処理装置及び基板処理方法

公開番号 WO/2020/115952
公開日 11.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/031443
国際出願日 08.08.2019
IPC
H01L 21/683 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
67製造または処理中の半導体または電気的固体装置の取扱いに特に適用される装置;半導体または電気的固体装置もしくは構成部品の製造または処理中のウエハの取扱いに特に適用される装置
683支持または把持のためのもの
C23C 14/50 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22被覆の方法に特徴のあるもの
50基板保持具
C23C 16/458 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44被覆の方法に特徴のあるもの
458反応室の基板を支えるのに使われる方法に特徴があるもの
H01L 21/3065 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
H01L 21/31 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
出願人
  • 株式会社アルバック ULVAC, INC. [JP]/[JP]
発明者
  • 酒田 現示 SAKATA, Genji
  • 横尾 秀和 YOKOO, Hidekazu
代理人
  • 大森 純一 OMORI, Junichi
優先権情報
2018-22826605.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) ELECTROSTATIC CHUCK, VACUUM PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
(FR) MANDRIN ÉLECTROSTATIQUE, APPAREIL DE TRAITEMENT SOUS VIDE ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 静電チャック、真空処理装置及び基板処理方法
要約
(EN)
The present invention provides: an electrostatic chuck which stably supports a substrate, while suppressing a rapid increase in the volume of a gas; a vacuum processing apparatus; and a substrate processing method. An electrostatic chuck according to the present invention is provided with a chuck plate which has a first surface that supports a substrate and a second surface that is on the reverse side of the first surface. The chuck plate is provided with an exhaust passage which releases a gas from a space between the substrate and the first surface, said gas being discharged from the substrate in the space between the substrate and the first surface when the substrate is supported by the first surface.
(FR)
La présente invention concerne : un mandrin électrostatique qui supporte de manière stable un substrat, tout en supprimant une augmentation rapide du volume d'un gaz ; un appareil de traitement sous vide ; et un procédé de traitement de substrat. Un mandrin électrostatique selon la présente invention comprend une plaque de mandrin qui a une première surface qui supporte un substrat et une seconde surface qui est sur le côté inverse de la première surface. La plaque de mandrin comprend un passage d'échappement qui libère un gaz d'un espace entre le substrat et la première surface, ledit gaz étant évacué du substrat dans l'espace entre le substrat et la première surface lorsque le substrat est supporté par la première surface.
(JA)
ガスの急激な体積増加を抑え、基板を安定して支持する静電チャック、真空処理装置及び基板処理方法を提供する。静電チャックは、基板を支持する第1面と、第1面とは反対側の第2面とを有するチャックプレートを具備する。チャックプレートには、基板を第1面で支持した際に基板と第1面との間において基板から放出されるガスを基板と第1面との間から排気する排気路が設けられている。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報