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1. WO2020115950 - 炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法

公開番号 WO/2020/115950
公開日 11.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/031349
国際出願日 08.08.2019
IPC
H01L 21/205 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
C23C 16/42 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
22金属質材料以外の無機質材料の析出に特徴のあるもの
30化合物,混合物または固溶体の析出,例.ほう化物,炭化物,窒化物
42けい化物
C23C 16/52 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44被覆の方法に特徴のあるもの
52被覆工程の制御または調整
C30B 25/16 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
25反応ガスの化学反応による単結晶成長,例.化学蒸着(CVD)による成長
02エピタキシャル層成長
16制御または調整(制御または調整一般G05)
C30B 29/36 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10無機化合物または組成物
36炭化物
H01L 21/66 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
66製造または処理中の試験または測定
出願人
  • 住友電気工業株式会社 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 伊東 洋典 ITOH, Hironori
代理人
  • 特許業務法人深見特許事務所 FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.
優先権情報
2018-22791305.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD FOR PRODUCING SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SUBSTRAT ÉPITAXIAL DE CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法
要約
(EN)
According to the present invention, if the flow rate of a first ammonia gas in a step for forming a first silicon carbide layer by epitaxial growth is taken as the first flow rate, the formation time of the first silicon carbide layer in the step for forming the first silicon carbide layer by epitaxial growth is taken as the first formation time, the thickness of the first silicon carbide layer is taken as the first thickness, the carrier concentration of the first silicon carbide layer is taken as the first concentration, the target thickness of a second silicon carbide layer is taken as the second thickness, and the target carrier concentration of the second silicon carbide layer is taken as the second concentration, the formation time of the second silicon carbide layer is calculated as a value that is obtained by multiplying the value, which has been obtained by dividing the second thickness by the first thickness, by the first formation time in a step for calculating the conditions for the formation of the second silicon carbide layer, while the flow rate of a second ammonia gas in a step for forming the second silicon carbide layer by epitaxial growth is calculated as a value that is obtained by multiplying the value, which has been obtained by dividing the second concentration by the first concentration, by the first flow rate.
(FR)
Selon la présente invention, si le débit d'un premier gaz ammoniac dans une étape pour former une première couche de carbure de silicium par croissance épitaxiale est pris comme premier débit, le temps de formation de la première couche de carbure de silicium dans l'étape pour former la première couche de carbure de silicium par croissance épitaxiale est pris comme premier temps de formation, l'épaisseur de la première couche de carbure de silicium est prise comme première épaisseur, la concentration de porteurs de la première couche de carbure de silicium est prise comme première concentration, l'épaisseur cible d'une seconde couche de carbure de silicium est prise comme seconde épaisseur, et la concentration de porteurs cible de la seconde couche de carbure de silicium est prise en tant que seconde concentration, le temps de formation de la seconde couche de carbure de silicium est calculé en tant que valeur qui est obtenue par multiplication de la valeur, qui a été obtenue en divisant la seconde épaisseur par la première épaisseur, par le premier temps de formation dans une étape pour calculer les conditions pour la formation de la seconde couche de carbure de silicium, tandis que le débit d'un second gaz ammoniac dans une étape de formation de la seconde couche de carbure de silicium par croissance épitaxiale est calculé en tant que valeur qui est obtenue par multiplication de la valeur, qui a été obtenue en divisant la seconde concentration par la première concentration, par le premier débit.
(JA)
第1炭化珪素層をエピタキシャル成長により形成する工程における第1アンモニアガスの流量を第1流量とし、第1炭化珪素層をエピタキシャル成長により形成する工程における第1炭化珪素層の形成時間を第1形成時間とし、第1炭化珪素層の厚みを第1厚みとし、第1炭化珪素層のキャリア濃度を第1濃度とし、第2炭化珪素層の目標厚みを第2厚みとし、第2炭化珪素層の目標キャリア濃度を第2濃度とした場合、第2炭化珪素層の形成条件を算出する工程においては、第2炭化珪素層の形成時間は、第2厚みを第1厚みで除した値に第1形成時間を掛けた値として算出され、かつ、第2炭化珪素層をエピタキシャル成長により形成する工程における第2アンモニアガスの流量は、第2濃度を第1濃度で除した値に第1流量を掛けた値として算出される。
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