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1. WO2020115906 - 表示装置及びその製造方法

公開番号 WO/2020/115906
公開日 11.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2018/045150
国際出願日 07.12.2018
IPC
H01L 29/786 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
78絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786薄膜トランジスタ
G09F 9/30 2006.01
G物理学
09教育;暗号方法;表示;広告;シール
F表示;広告;サイン;ラベルまたはネームプレート;シール
9情報が個々の要素の選択または組合せによって支持体上に形成される可変情報用の指示装置
30必要な文字が個々の要素を組み合わせることによって形成されるもの
H01L 27/32 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
28能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる構成部品を含むもの
32光放出に特に適用される構成部品を有するもの,例.有機発光ダイオードを使用したフラットパネル・ディスプレイ
H01L 51/50 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
50光放出に特に適用されるもの,例.有機発光ダイオード(OLED)または高分子発光ダイオード(PLED)
H05B 33/02 2006.01
H電気
05他に分類されない電気技術
B電気加熱;他に分類されない電気照明
33エレクトロルミネッセンス光源
02細部
H05B 33/10 2006.01
H電気
05他に分類されない電気技術
B電気加熱;他に分類されない電気照明
33エレクトロルミネッセンス光源
10エレクトロルミネッセンス光源の製造に特に適用する装置または方法
出願人
  • シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP]/[JP]
発明者
  • 斉藤 貴翁 SAITOH Takao
  • 三輪 昌彦 MIWA Masahiko
  • 神崎 庸輔 KANZAKI Yohsuke
  • 山中 雅貴 YAMANAKA Masaki
  • 孫 屹 SUN Yi
代理人
  • 特許業務法人前田特許事務所 MAEDA & PARTNERS
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF D'AFFICHAGE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 表示装置及びその製造方法
要約
(EN)
Each pixel circuit comprises a TFT and a capacitor which includes a gate electrode (14a) that is provided island-shaped in the TFT, a first inorganic insulating film that is provided on the gate electrode (14a), and a capacitive electrode (16c) that is provided on the first inorganic insulating film so as to overlap the gate electrode (14a), wherein the angle between the upper face of a base substrate and at least one portion of a peripheral end face of the gate electrode (14a) along the peripheral direction in a portion that does not overlap a semiconductor layer (12a) is greater than the angle between the upper face of the base substrate and the peripheral end face of the gate electrode (14a) in a portion that overlaps the semiconductor layer (12a) in a plan view.
(FR)
Dans la présente invention, chaque circuit de pixel comprend un TFT et un condensateur qui comporte une électrode grille (14a) disposée en forme d'îlot dans le TFT, un premier film isolant inorganique disposé sur l'électrode grille (14a), et une électrode capacitive (16c) disposée sur le premier film isolant inorganique de façon à chevaucher l'électrode grille (14a), l'angle entre la face supérieure d'un substrat de base et au moins une partie d'une face d'extrémité périphérique de l'électrode grille (14a) dans la direction périphérique dans une partie qui ne chevauche pas une couche semi-conductrice (12a) étant supérieur à l'angle entre la face supérieure du substrat de base et la face d'extrémité périphérique de l'électrode grille (14a) dans une partie qui chevauche la couche semi-conductrice (12a) dans une vue en plan.
(JA)
各画素回路は、TFTと、TFTの島状に設けられたゲート電極(14a)、ゲート電極(14a)上に設けられた第1無機絶縁膜、及びその第1無機絶縁膜上にゲート電極(14a)に重なるように設けられた容量電極(16c)を含むキャパシタとを備え、半導体層(12a)に重ならない部分におけるゲート電極(14a)の周端面の周方向に沿う少なくとも一部とベース基板の上面とのなす角度は、半導体層(12a)に平面視で重なる部分におけるゲート電極(14a)の周端面とベース基板の上面とのなす角度よりも大きくなっている。
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