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1. WO2020115871 - GaAs基板の製造方法およびGaAs単結晶成長装置

公開番号 WO/2020/115871
公開日 11.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2018/044954
国際出願日 06.12.2018
IPC
C30B 29/42 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10無機化合物または組成物
40AIIIBV化合物
42ひ化ガリウム
C30B 11/00 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
11ノーマル・フリージングまたは温度勾配凝固による単結晶成長,例.ブリッジマン―ストックバーガー法
出願人
  • 住友電気工業株式会社 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 石川 幸雄 ISHIKAWA, Yukio
  • 羽木 良明 HAGI, Yoshiaki
代理人
  • 特許業務法人深見特許事務所 FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD FOR MANUFACTURING GaAs SUBSTRATE AND GaAs SINGLE CRYSTAL GROWTH DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT DE GaAs ET DISPOSITIF DE CROISSANCE DE MONOCRISTAL DE GaAs
(JA) GaAs基板の製造方法およびGaAs単結晶成長装置
要約
(EN)
A method for manufacturing a GaAs substrate the main surface of which has a plane orientation of (100), said method comprising: a step for preparing a GaAs single crystal growth device provided with a first crucible in which GaAs is housed and a second crucible which is positioned below the first crucible and in which a GaAs seed crystal is housed in the bottom; a step for, in the GaAs single crystal growth device, heating the GaAs in the first crucible to give a melt, dropping the melt into the second crucible and, after completing the dropping, controlling the temperature of the GaAs seed crystal and the temperature of the melt on the GaAs seed crystal to thereby grow GaAs single crystal from the GaAs seed crystal; and a step for cutting the GaAs single crystal perpendicularly to the growth direction thereof to thereby give the aforesaid GaAs substrate the main surface of which has a plane orientation of (100).
(FR)
L'invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat de GaAs dont la surface principale présente une orientation de plan de (100), ledit procédé comprenant : une étape de préparation d'un dispositif de croissance de monocristal de GaAs équipé d'un premier creuset dans lequel du GaAs est logé et d'un second creuset qui est positionné au-dessous du premier creuset et au fond duquel est logé un germe cristallin de GaAs; une étape de chauffage, dans le dispositif de croissance de monocristal de GaAs, du GaAs dans le premier creuset pour obtenir une masse fondue, la chute de la masse fondue dans le second creuset et, au terme de la chute, la régulation de la température du germe cristallin de GaAs et de la température de la masse fondue sur le germe cristallin de GaAs pour ainsi former un monocristal de GaAs à partir du germe cristallin de GaAs; et une étape de découpe du monocristal de GaAs perpendiculairement à sa direction de croissance afin d'ainsi obtenir le substrat de GaAs mentionné ci-dessus dont la surface principale présente une orientation de plan de (100).
(JA)
主面の面方位が(100)面であるGaAs基板の製造方法であって、GaAsが収容された第1坩堝と、前記第1坩堝よりも下方に配置され、GaAs種結晶が底部に収容された第2坩堝とを備えたGaAs単結晶成長装置を準備する工程と、前記GaAs単結晶成長装置において前記第1坩堝内の前記GaAsを加熱することにより融液とし、前記融液を前記第2坩堝内へ滴下し、これを完了させた後、前記GaAs種結晶および前記GaAs種結晶上の前記融液の温度を制御することにより、前記GaAs種結晶からGaAs単結晶を成長させる工程と、前記GaAs単結晶を、その成長方向に対して垂直に切出すことにより、前記主面の面方位が(100)面であるGaAs基板を得る工程とを含む。
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