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1. WO2020115869 - 半導体装置用基板

公開番号 WO/2020/115869
公開日 11.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2018/044943
国際出願日 06.12.2018
IPC
H01L 23/15 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
12マウント,例.分離できない絶縁基板
14材料またはその電気特性に特徴のあるもの
15セラミックまたはガラス基板
C04B 37/02 2006.01
C化学;冶金
04セメント;コンクリート;人造石;セラミックス;耐火物
B石灰;マグネシア;スラグ;セメント;その組成物,例.モルタル,コンクリートまたは類似の建築材料;人造石;セラミックス;耐火物;天然石の処理
37焼成セラミック物品と他の焼成セラミック物品または他の物品との加熱による接合
02金属物品との
H01L 23/12 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
12マウント,例.分離できない絶縁基板
H01L 23/36 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
34冷却,加熱,換気または温度補償用装置
36冷却または加熱を容易にするための材料の選択または成形,例.ヒート・シンク
H05K 1/02 2006.01
H電気
05他に分類されない電気技術
K印刷回路;電気装置の箱体または構造的細部,電気部品の組立体の製造
1印刷回路
02細部
H05K 1/03 2006.01
H電気
05他に分類されない電気技術
K印刷回路;電気装置の箱体または構造的細部,電気部品の組立体の製造
1印刷回路
02細部
03基体用材料の使用
出願人
  • 日本碍子株式会社 NGK INSULATORS, LTD. [JP]/[JP]
  • NGKエレクトロデバイス株式会社 NGK ELECTRONICS DEVICES, INC. [JP]/[JP]
発明者
  • 梅田 勇治 UMEDA, Yuji
代理人
  • 新樹グローバル・アイピー特許業務法人 SHINJYU GLOBAL IP
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) SUBSTRAT POUR DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置用基板
要約
(EN)
This substrate for a semiconductor device (2) comprises: a ceramic sintered body (3); a first circuit board (4); and a second circuit board (4'). In the ceramic sintered body (3), when the content of Mg by MgO conversion is S1 mass%, and the content of Zr by ZrO2 conversion is S2 mass%, general formula 1 is established. When the thickness of the first circuit board (4) is T1 mm, the thickness of the second circuit board (4') is T2 mm, and the thickness of the ceramic sintered body (3) is T3 mm, formulas 2, 3, and 4 are established. –0.004 x S2 + 0.171 < S1 < –0.032 x S2 + 1.427 (1) 1.7 < (T1 + T2)/T3 <3.5 (2) T1 ≥ T2 (3) T3 ≥ 0.25 (4)
(FR)
Le présent substrat pour un dispositif à semi-conducteur (2) comprend : un corps fritté en céramique (3) ; une première carte de circuit imprimé (4) ; et une seconde carte de circuit imprimé (4'). Dans le corps fritté en céramique (3), lorsque la teneur en Mg par conversion de MgO est de S1 % en masse, et la teneur en Zr par conversion de ZrO2 est de S2 % en masse, la formule générale 1 est établie. Lorsque l'épaisseur de la première carte de circuit imprimé (4) est de T1 mm, l'épaisseur de la seconde carte de circuit imprimé (4') est de T2 mm, et l'épaisseur du corps fritté en céramique (3) est de T3 mm, les formules 2, 3 et 4 sont établies. –0,004 x S2 + 0,171 < S1 < –0,032 x S2 + 1,427 (1) 1,7 < (T1 + T2)/T3 <3,5 (2) T1 ≥ T2 (3) T3 ≥ 0,25 (4)
(JA)
半導体装置用基板(2)は、セラミックス焼結体(3)と、第1回路板(4)と、第2回路板(4')とを備える。セラミックス焼結体(3)において、MgのMgO換算での含有量をS1質量%とし、ZrのZrO換算での含有量をS2質量%とした場合、下記の式1が成立する。第1回路板(4)の厚さをT1mmとし、第2回路板(4')の厚さをT2mmとし、セラミックス焼結体(3)の厚さをT3mmとした場合、下記の式2、3、4が成立する。 -0.004×S2+0.171<S1<-0.032×S2+1.427・・・(1) 1.7<(T1+T2)/T3<3.5・・・(2) T1≧T2・・・(3) T3≧0.25・・・(4)
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