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1. WO2020115851 - マイクロLEDデバイスおよびその製造方法

公開番号 WO/2020/115851
公開日 11.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2018/044851
国際出願日 06.12.2018
IPC
H01L 33/46 2010.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
44コーティングに特徴があるもの,例.パシベーション層,反射防止コーティング
46反射コーティング,例.誘電体ブラッグ反射鏡
H01L 33/00 2010.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
CPC
H01L 33/00
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
H01L 33/46
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
44characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
46Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
出願人
  • 堺ディスプレイプロダクト株式会社 SAKAI DISPLAY PRODUCTS CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 岸本 克彦 KISHIMOTO, Katsuhiko
代理人
  • 奥田 誠司 OKUDA Seiji
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) MICRO LED DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) DISPOSITIF À MICRO-DEL ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) マイクロLEDデバイスおよびその製造方法
要約
(EN)
A micro LED device of the present disclosure comprises a crystal growth substrate (100) and a front plane (200) which includes a plurality of micro LEDs (220), each having a first semiconductor layer (21) of a first conductivity type and a second semiconductor layer (22) of a second conductivity type, and which also includes element isolation regions (240) located between the micro LEDs. The element isolation region has at least one metal plug (24) electrically connected to the second semiconductor layer. The device comprises an intermediate layer (300) including a first contact electrode (31) electrically connected to the first semiconductor layer and a second contact electrode (32) connected to the metal plug, and a back plane (400) formed on the intermediate layer. The element isolation region includes a reflector (260) that reflects light emitted from each of the plurality of micro LEDs toward one or both of the crystal growth substrate and the back plane.
(FR)
La présente invention concerne un dispositif à micro-DEL comprenant un substrat de croissance cristalline (100) et un avant-plan (200) qui comprend : une pluralité de micro-DEL (220) ayant chacune une première couche semi-conductrice (21) d'un premier type de conductivité et une seconde couche semi-conductrice (22) d'un second type de conductivité, et qui comprend également des régions d'isolement d'élément (240) situées entre les micro-DEL. La région d'isolation d'élément a au moins une fiche métallique (24) électriquement connectée à la seconde couche semi-conductrice. Le dispositif comprend une couche intermédiaire (300) comprenant une première électrode de contact (31) électriquement connectée à la première couche semi-conductrice et une seconde électrode de contact (32) connectée à la fiche métallique ; et un arrière-plan (400) formé sur la couche intermédiaire. La région d'isolation d'élément comprend un réflecteur (260) qui réfléchit la lumière émise à partir de chaque DEL de la pluralité de micro-DEL vers le substrat de croissance cristalline et/ou l'arrière-plan.
(JA)
本開示のマイクロLEDデバイスは、結晶成長基板(100)と、それぞれが第1導電型の第1半導体層(21)および第2導電型の第2半導体層(22)を有する複数のマイクロLED(220)、ならびにマイクロLEDの間に位置する素子分離領域(240)を含むフロントプレーン(200)とを備える。素子分離領域は、第2半導体層に電気的に接続された少なくともひとつの金属プラグ(24)を有する。このデバイスは、第1半導体層に電気的に接続された第1コンタクト電極(31)および金属プラグに接続された第2コンタクト電極(32)を含む中間層(300)と、中間層上に形成されたバックプレーン(400)とを備える。素子分離領域は、複数のマイクロLEDのそれぞれから放射された光を結晶成長基板およびバックプレーンの一方または両方に向けて反射するリフレクタ(260)を備えている。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報