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1. WO2020115838 - 半導体装置および半導体装置の製造方法

公開番号 WO/2020/115838
公開日 11.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2018/044730
国際出願日 05.12.2018
IPC
H01L 21/28 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28H01L21/20~H01L21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
出願人
  • 三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 井上 敦文 INOUE Atsufumi
  • 綿引 達郎 WATAHIKI Tatsuro
  • 松藤 健五 MATSUFUJI Kengo
  • 原 幸治郎 HARA Kojiro
代理人
  • 吉竹 英俊 YOSHITAKE Hidetoshi
  • 有田 貴弘 ARITA Takahiro
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR
(JA) 半導体装置および半導体装置の製造方法
要約
(EN)
The purpose of the present invention is to provide a semiconductor device which is capable of preventing organic contamination of an electrode in which a plurality of metal layers is stacked. This semiconductor device includes a semiconductor substrate and an electrode that has a plurality of layers stacked on the main surface of the semiconductor substrate. The electrode includes a first metal layer that includes Al and contacts the main surface of the semiconductor substrate, an oxidation layer that includes metal and oxygen and is provided on a surface of the first metal layer, and a second metal layer that is provided on a surface of the oxidation layer. The oxidation layer has an oxygen concentration of 8.0×1021/cm3 to 4.0×1022/cm3.
(FR)
Le but de la présente invention est de fournir un dispositif à semiconducteur qui est capable d'empêcher la contamination organique d'une électrode dans laquelle une pluralité de couches métalliques est empilée. Ce dispositif à semiconducteur comprend un substrat semiconducteur et une électrode qui a une pluralité de couches empilées sur la surface principale du substrat semiconducteur. L'électrode comprend une première couche métallique qui comprend de l'Al et est en contact avec la surface principale du substrat semiconducteur, une couche d'oxydation qui comprend du métal et de l'oxygène et est disposée sur une surface de la première couche métallique, et une seconde couche métallique qui est disposée sur une surface de la couche d'oxydation. La couche d'oxydation a une concentration en oxygène de 8,0 × 1021/cm3 à 4,0×1022/cm3.
(JA)
複数の金属層が積層された電極における有機物汚染を防ぐことが可能な半導体装置を提供することを目的とする。半導体装置は、半導体基板と、半導体基板の主面に積層された複数の層を含む電極と、を含む。電極は、Alを含み、半導体基板の主面に接触している第1金属層と、金属と酸素とを含み、第1金属層の表面に設けられる酸化層と、酸化層の表面に設けられる第2金属層と、を含む。酸化層の酸素濃度は、8.0×1021/cm以上4.0×1022/cm以下である。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報