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1. WO2020115604 - 半導体装置、および半導体装置の作製方法

公開番号 WO/2020/115604
公開日 11.06.2020
国際出願番号 PCT/IB2019/060104
国際出願日 25.11.2019
IPC
H01L 21/28 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28H01L21/20~H01L21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
H01L 21/8239 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
771つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232電界効果技術
8234MIS技術
8239メモリ構造
H01L 27/105 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04基板が半導体本体であるもの
10複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105電界効果構成部品を含むもの
H01L 21/8242 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
771つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232電界効果技術
8234MIS技術
8239メモリ構造
8242ダイナミックランダムアクセスメモリ構造(DRAM)
H01L 27/108 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04基板が半導体本体であるもの
10複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105電界効果構成部品を含むもの
108ダイナミックランダムアクセスメモリ構造
H01L 27/1156 2017.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04基板が半導体本体であるもの
10複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105電界効果構成部品を含むもの
112リードオンリーメモリ構造
115電気的にプログラム可能な読み出し専用メモリ;そのための多段階製造工程
11517フローティングゲートを有するもの
1156フローティングゲートが複数の構成部品で共有される電極であるもの
出願人
  • 株式会社半導体エネルギー研究所 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 山崎舜平 YAMAZAKI, Shunpei
  • 菅谷健太郎 SUGAYA, Kentaro
  • 方堂涼太 HODO, Ryota
優先権情報
2018-22992807.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATION METHOD
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置、および半導体装置の作製方法
要約
(EN)
Provided is a semiconductor device having good electrical characteristics. The semiconductor device has a first oxide; a first conductor and a second conductor on the first oxide; a first insulator on the first conductor; a second insulator on the second conductor; a third insulator on the first insulator and the second insulator; a fourth insulator in contact with a side surface of the first oxide and a side surface of the first conductor; a fifth insulator in contact with a side surface of the first oxide and a side surface of the second conductor; a second oxide disposed on the first oxide between the first conductor and the second conductor; a sixth insulator on the second oxide; a third conductor on the sixth insulator; and a seventh insulator respectively in contact with the upper surface of the third insulator, the upper surface of the second oxide, the upper surface of the sixth insulator, and the upper surface of the third conductor. The carrier concentration of a region of the first oxide in contact with the fourth insulator and the fifth insulator is higher than the carrier concentration of a region of the first oxide in contact with the second oxide.
(FR)
La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteurs ayant de bonnes caractéristiques électriques. Le dispositif à semi-conducteurs comprend un premier oxyde ; un premier conducteur et un deuxième conducteur sur le premier oxyde ; un premier isolant sur le premier conducteur ; un deuxième isolant sur le deuxième conducteur ; un troisième isolant sur le premier isolant et le deuxième isolant ; un quatrième isolant en contact avec une surface latérale du premier oxyde et une surface latérale du premier conducteur ; un cinquième isolant en contact avec une surface latérale du premier oxyde et une surface latérale du deuxième conducteur ; un second oxyde disposé sur le premier oxyde entre le premier conducteur et le deuxième conducteur ; un sixième isolant sur le second oxyde ; un troisième conducteur sur le sixième isolant ; et un septième isolant respectivement en contact avec la surface supérieure du troisième isolant, la surface supérieure du second oxyde, la surface supérieure du sixième isolant et la surface supérieure du troisième conducteur. La concentration de porteurs de charge d'une région du premier oxyde en contact avec le quatrième isolant et le cinquième isolant est supérieure à la concentration de porteurs de charge d'une région du premier oxyde en contact avec le second oxyde.
(JA)
良好な電気特性を有する半導体装置を提供する。 第1の酸化物と、第1の酸化物上の第1の導電体および第2の導電体と、第1の導電体上の第1の 絶縁体と、第2の導電体上の第2の絶縁体と、第1の絶縁体および第2の絶縁体上の第3の絶縁体 と、第1の酸化物の側面および第1の導電体の側面と接する第4の絶縁体と、第1の酸化物の側面 および第2の導電体の側面と接する第5の絶縁体と、第1の酸化物上で、第1の導電体と第2の導 電体の間に配置される第2の酸化物と、第2の酸化物上の第6の絶縁体と、第6の絶縁体上の第3 の導電体と、第3の絶縁体の上面、第2の酸化物の上面、第6の絶縁体の上面および第3の導電体 の上面にそれぞれ接する、第7の絶縁体とを有し、第1の酸化物の第4の絶縁体および第5の絶縁 体と接する領域のキャリア濃度は第1の酸化物の第2の酸化物と接する領域のキャリア濃度よりも 高い半導体装置。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報