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1. WO2020111277 - 膜の製造方法、有機半導体素子の製造方法および有機半導体素子

公開番号 WO/2020/111277
公開日 04.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/046923
国際出願日 29.11.2019
IPC
H05B 33/10 2006.01
H電気
05他に分類されない電気技術
B電気加熱;他に分類されない電気照明
33エレクトロルミネッセンス光源
10エレクトロルミネッセンス光源の製造に特に適用する装置または方法
C23C 14/12 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
06被覆材料に特徴のあるもの
12有機質材料
H01L 51/50 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
50光放出に特に適用されるもの,例.有機発光ダイオード(OLED)または高分子発光ダイオード(PLED)
CPC
C23C 14/12
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
06characterised by the coating material
12Organic material
H01L 51/50
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
50specially adapted for light emission, e.g. organic light emitting diodes [OLED] or polymer light emitting devices [PLED]
H05B 33/10
HELECTRICITY
05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Electroluminescent light sources
10Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
出願人
  • 株式会社Kyulux KYULUX, INC. [JP]/[JP]
発明者
  • 能塚 直人 NOTSUKA Naoto
  • 西出 順一 NISHIDE Junichi
  • 遠藤 礼隆 ENDO Ayataka
  • 垣添 勇人 KAKIZOE Hayato
代理人
  • 特許業務法人特許事務所サイクス SIKS & CO.
優先権情報
2018-22455630.11.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) FILM MANUFACTURING METHOD, ORGANIC SEMICONDUCTOR ELEMENT MANUFACTURING METHOD, AND ORGANIC SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE FILM, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE ET ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE
(JA) 膜の製造方法、有機半導体素子の製造方法および有機半導体素子
要約
(EN)
In the present invention, a film is formed by carrying out codeposition from a deposition source containing both a first compound which satisfies ΔEST(1)≤0.3eV and a second compound which satisfies ES1(1)>ES1(2). ΔEST(1) is the difference between the minimum excited singlet energy state ES1(1) of the first compound and the minimum excited triplet energy state of the first compound. ES1(2) is the minimum excited singlet energy state of the second compound.
(FR)
Dans la présente invention, un film est formé par réalisation d'un codépôt à partir d'une source de dépôt contenant à la fois un premier composé qui satisfait ΔEST(1)≤0.3eV et un second composé qui satisfait ES 1(1)>ES 1(2). ΔEST(1) est la différence entre l'état d'énergie singulet excité minimale ES 1(1) du premier composé et de l'état d'énergie de triplet excité minimale du premier composé. ES 1(2) est l'état d'énergie singulet excité minimale du second composé.
(JA)
ΔEST(1)≦0.3eVを満たす第1化合物とES1(1)>ES1(2)を満たす第2化合物をともに含む蒸着源から共蒸着することにより膜を形成する。ΔEST(1)は、第1化合物の最低励起一重項エネルギー準位ES1(1)と最低励起三重項エネルギー準位の差であり、ES1(2)は第2化合物の最低励起一重項エネルギー準位である。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報