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1. WO2020111154 - 半導体装置の製造方法及び仮固定材用積層フィルム

公開番号 WO/2020/111154
公開日 04.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/046443
国際出願日 27.11.2019
IPC
H01L 21/301 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
301半導体本体を別個の部品に細分割するため,例.分離する
H01L 21/02 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
H01L 21/683 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
67製造または処理中の半導体または電気的固体装置の取扱いに特に適用される装置;半導体または電気的固体装置もしくは構成部品の製造または処理中のウエハの取扱いに特に適用される装置
683支持または把持のためのもの
CPC
H01L 21/02
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
H01L 21/683
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
683for supporting or gripping
出願人
  • 日立化成株式会社 HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 宮澤 笑 MIYAZAWA Emi
  • 稲葉 貴一 INABA Yoshihito
  • 川守 崇司 KAWAMORI Takashi
  • 大山 恭之 OOYAMA Yasuyuki
  • 西戸 圭祐 NISHIDO Keisuke
代理人
  • 長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki
  • 清水 義憲 SHIMIZU Yoshinori
  • 平野 裕之 HIRANO Hiroyuki
優先権情報
2018-22344829.11.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCTION METHOD AND LAMINATE FILM FOR TEMPORARY FIXATION MATERIAL
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET FILM STRATIFIÉ POUR MATÉRIAU DE FIXATION TEMPORAIRE
(JA) 半導体装置の製造方法及び仮固定材用積層フィルム
要約
(EN)
Disclosed is a semiconductor device production method comprising: a preparatory step for preparing a laminate in which a supporting member, a temporary fixation material layer that generates heat upon absorption of light, and a semiconductor member are laminated in this order; and a separation step for separating the semiconductor member from the supporting member by irradiating the temporary fixation material layer of the laminate with light. In this production method, the temporary fixation material layer has a light-absorbing layer that generates heat upon absorption of light and a resin cured product layer comprising a cured product of a curable resin component; the curable resin component comprises a hydrocarbon resin; and the cured product of the curable resin component has a storage elastic modulus of 5-100 MPa at 25°C.
(FR)
L'invention concerne un procédé de production de dispositif à semi-conducteur comprenant : une étape de préparation consistant à préparer un stratifié dans lequel un élément de support, une couche de matériau de fixation temporaire qui génère de la chaleur lors d'une absorption de lumière et un élément semi-conducteur sont stratifiés selon cet ordre ; et une étape de séparation consistant à séparer l'élément semi-conducteur de l'élément de support par irradiation de lumière de la couche de matériau de fixation temporaire du stratifié. Dans ce procédé de production, la couche de matériau de fixation temporaire a une couche d'absorption de lumière qui génère de la chaleur lors de l'absorption de lumière et une couche de produit durci de résine comprenant un produit durci d'un composant de résine durcissable ; le composant de résine durcissable comprend une résine hydrocarbonée ; et le produit durci du composant de résine durcissable a un module d'élasticité de stockage de 5 à 100 MPa à 25° C.
(JA)
支持部材と、光を吸収して熱を発生する仮固定材層と、半導体部材とがこの順に積層された積層体を準備する準備工程と、積層体における仮固定材層に光を照射して、支持部材から半導体部材を分離する分離工程とを備える半導体装置の製造方法が開示される。当該製造方法は、仮固定材層が、光を吸収して熱を発生する光吸収層と、硬化性樹脂成分の硬化物を含む樹脂硬化物層とを有し、硬化性樹脂成分が、炭化水素樹脂を含み、硬化性樹脂成分の硬化物における25℃の貯蔵弾性率が、5~100MPaである。
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