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1. WO2020111146 - 半導体装置の製造方法及び仮固定材用積層フィルム

公開番号 WO/2020/111146
公開日 04.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/046433
国際出願日 27.11.2019
IPC
H01L 21/301 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
301半導体本体を別個の部品に細分割するため,例.分離する
H01L 21/02 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
H01L 21/683 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
67製造または処理中の半導体または電気的固体装置の取扱いに特に適用される装置;半導体または電気的固体装置もしくは構成部品の製造または処理中のウエハの取扱いに特に適用される装置
683支持または把持のためのもの
CPC
H01L 21/02
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
H01L 21/683
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
683for supporting or gripping
出願人
  • 日立化成株式会社 HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 西戸 圭祐 NISHIDO Keisuke
  • 宮澤 笑 MIYAZAWA Emi
  • 大山 恭之 OOYAMA Yasuyuki
  • 川守 崇司 KAWAMORI Takashi
  • 赤須 雄太 AKASU Yuta
  • 白坂 敏明 SHIRASAKA Toshiaki
  • 鈴木 直也 SUZUKI Naoya
  • 早坂 剛 HAYASAKA Tsuyoshi
代理人
  • 長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki
  • 清水 義憲 SHIMIZU Yoshinori
  • 平野 裕之 HIRANO Hiroyuki
優先権情報
2018-22345829.11.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND LAYERED FILM FOR TEMPORARY FIXING MATERIAL
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET FILM STRATIFIÉ POUR MATÉRIAU DE FIXATION TEMPORAIRE
(JA) 半導体装置の製造方法及び仮固定材用積層フィルム
要約
(EN)
Disclosed is a semiconductor device manufacturing method comprising: a preparation step for preparing a layered body formed by layering, in the order given, a support member, an insulation layer, a temporary fixing material layer that absorbs light and thereby generates heat, and a semiconductor member; and a separating step for, in the layered body, separating the semiconductor member from the support member by projecting light onto the temporary fixing material layer.
(FR)
L'invention concerne un procédé de fabrication de dispositif à semi-conducteur comprenant : une étape de préparation pour préparer un corps stratifié formé par stratification, dans l'ordre donné, d'un élément de support, d'une couche d'isolation, d'une couche de matériau de fixation temporaire qui absorbe la lumière et génère ainsi de la chaleur, et un élément semi-conducteur ; et une étape de séparation consistant, dans le corps stratifié, à séparer l'élément semi-conducteur de l'élément de support en projetant de la lumière sur la couche de matériau de fixation temporaire.
(JA)
支持部材と、断熱層と、光を吸収して熱を発生する仮固定材層と、半導体部材とがこの順に積層された積層体を準備する準備工程と、積層体における仮固定材層に光を照射して、支持部材から半導体部材を分離する分離工程とを備える、半導体装置の製造方法が開示される。
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