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1. WO2020111137 - 電子部品およびその製造方法

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明 細 書

発明の名称 電子部品およびその製造方法

技術分野

0001  

背景技術

0002   0003   0004  

先行技術文献

特許文献

0005  

発明の概要

発明が解決しようとする課題

0006   0007   0008   0009   0010   0011   0012   0013   0014   0015  

課題を解決するための手段

0016   0017   0018   0019   0020   0021   0022   0023   0024   0025   0026   0027   0028   0029   0030   0031   0032   0033   0034   0035   0036   0037   0038  

発明の効果

0039   0040   0041   0042   0043   0044   0045  

図面の簡単な説明

0046  

発明を実施するための形態

0047   0048   0049   0050   0051   0052   0053   0054   0055   0056   0057   0058   0059   0060   0061   0062   0063   0064   0065   0066   0067   0068   0069   0070   0071   0072   0073   0074   0075   0076   0077   0078   0079   0080   0081   0082   0083   0084   0085   0086   0087   0088   0089   0090   0091   0092   0093   0094   0095   0096   0097   0098   0099   0100   0101   0102   0103   0104   0105   0106   0107   0108   0109   0110   0111   0112   0113   0114   0115   0116   0117   0118   0119   0120   0121   0122   0123   0124   0125   0126   0127   0128   0129   0130   0131   0132   0133   0134   0135   0136   0137   0138   0139   0140   0141   0142   0143   0144   0145   0146   0147   0148   0149   0150   0151   0152   0153   0154   0155   0156   0157   0158   0159   0160   0161   0162   0163   0164   0165   0166   0167   0168   0169   0170   0171   0172   0173   0174   0175   0176   0177   0178   0179   0180   0181   0182   0183   0184   0185   0186   0187   0188   0189   0190   0191   0192   0193   0194   0195   0196   0197   0198   0199   0200   0201   0202   0203   0204   0205   0206   0207   0208   0209   0210  

産業上の利用可能性

0211  

符号の説明

0212  

請求の範囲

1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   12   13   14   15   16   17   18   19   20   21   22   23  

図面

1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   12   13   14   15   16   17   18   19   20   21   22   23   24   25   26   27  

明 細 書

発明の名称 : 電子部品およびその製造方法

技術分野

[0001]
 本開示の技術は、インダクタと容量を有する電子部品およびその製造方法に関する。

背景技術

[0002]
 インダクタと容量を有する電子部品は、たとえばノイズを除去する機能を有している。このような電子部品は、たとえば基板と、基板に配置されるインダクタおよび容量を含んでいる。基板はインダクタと容量を接続して、たとえばノイズフィルタが得られる。
[0003]
 このようなインダクタと容量を含む電子部品に関し、基板の代わりに樹脂体でコンデンサ部品とインダクタ部品を一体化して、電子部品を小さくすることが知られている(たとえば特許文献1)。
[0004]
 磁性体の中空部に導体が配置されている電子部品では、導体と磁性体が鎖交してインダクタが形成される。このような電子部品に関し、トロイダル形状の磁性コアの中央部に空芯部が設けられ、このトロイダルコアの空芯部内に導体が挿入配置されることが知られている(たとえば特許文献2)。このような電子部品は、たとえばノイズフィルタとして用いられる。

先行技術文献

特許文献

[0005]
特許文献1 : 特開2018-67687号公報
特許文献2 : 特開平7-226639号公報

発明の概要

発明が解決しようとする課題

[0006]
 ところで、インダクタと容量を有する電子部品には、たとえば、以下の様な課題がある。
[0007]
 たとえば、個別のインダクタおよび容量を回路基板または樹脂体で一体化すると、インダクタおよび容量の両方の設置面積を確保することが必要であり、設置面積が、たとえばインダクタと容量の合計の面積よりも大きくなるという課題がある。また、個別のインダクタおよび容量からLC回路を得るためには、インダクタおよび容量を線で接続する必要がある。また、T型LC回路およびπ型LC回路などの回路形態に応じて、インダクタと容量との間の接続を変更する必要がある。
[0008]
 たとえば、磁性体の中空部に導体を配置するには、たとえば中空部の径よりも小さな外径を有する導体が、磁性体の中空部に挿入される。そのため、磁性体と導体の間に隙間が生じ、磁性体および導体に振動が加わると、磁性体と導体の間に衝突や摩擦などの相互干渉が生じることになる。また、電子部品に電流が流れると、電子部品が発熱することになる。この発熱から電子部品や電子部品が設置される回路を保護するために、たとえば電子部品を介して流れる電流が制限されるなどの課題がある。
[0009]
 たとえば、インダクタは容量と組み合わせられて、LC電子部品として用いられることがある。このLC電子部品に過電圧が加わると、ノイズフィルタリング機能などの容量の機能が損なわれるという課題がある。
[0010]
 そこで、本開示の技術は、たとえば、次の目的の少なくともいずれかを目的とする。
[0011]
 (1) 電子部品の設置面積を小さくする。
[0012]
 (2) 電子部品の配線負荷を軽減する。
[0013]
 (3) 振動により生じる磁性体と導体の間の相互干渉が抑制されて、電子部品の耐振性を高める。
[0014]
 (4) 電子部品の放熱性を向上させて、電子部品の温度上昇を抑制する。
[0015]
 (5) ノイズや過電圧などの低減対象を低減する機能を高める。

課題を解決するための手段

[0016]
 本開示の一側面によれば、電子部品は、中空部を有する磁性体と、前記磁性体の中空部を貫通し、前記中空部から突出する導体と、前記導体の表面に形成されている誘電体層と、前記誘電体層の表面に形成されている固体電解質層と、前記固体電解質層に電気的に接続されている引出層とを備える。
[0017]
 上記電子部品において、前記磁性体が筒形状を有し、前記導体が筒形状または円柱形状を有し、前記磁性体および前記導体が同軸上に配置されていてもよい。
[0018]
 上記電子部品において、前記誘電体層の一部および前記固体電解質層の一部が前記磁性体の前記中空部内に配置されていてもよい。
[0019]
 上記電子部品において、前記固体電解質層は、すべて前記磁性体の前記中空部内に配置されていてもよく、または前記固体電解質層の一部は、前記磁性体から露出していてもよい。
[0020]
 上記電子部品において、前記固体電解質層は、複数の固体電解質層を含んでもよい。前記引出層は、前記複数の固体電解質層にそれぞれ電気的に接続されている複数の引出層を含んでもよい。前記複数の固体電解質層と前記導体の間に複数の容量が形成されてもよく、前記複数の容量の容量値が異なってもよい。
[0021]
 上記電子部品は、前記複数の引出層に接続するリード導体をさらに備えてもよい。前記リード導体は、前記磁性体と前記導体の間を通って前記中空部の外側に導出されてもよい。
[0022]
 上記電子部品は、さらに、前記磁性体と前記導体との間に配置されるとともに前記磁性体および前記導体に接触する樹脂を備えてもよい。
[0023]
 上記電子部品において、前記樹脂は、前記磁性体と前記導体との間に充填されてもよい。
[0024]
 上記電子部品において、前記磁性体が筒形状を有してもよい。前記導体が筒形状または円柱形状を有してもよい。前記磁性体および前記導体が前記樹脂により同軸上に固定されてもよい。
[0025]
 上記電子部品において、前記樹脂は、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂または硬化剤により架橋可能な樹脂であってもよい。
[0026]
 上記電子部品において、前記樹脂が伝熱フィラーを含んでもよい。
[0027]
 上記電子部品において、前記磁性体は、第1の磁性材料と、該第1の磁性材料とは異なる第2の磁性材料を含んでもよい。
[0028]
 上記電子部品において、前記第1の磁性材料および前記第2の磁性材料が帯状であってもよい。前記帯状の第1の磁性材料および前記帯状の第2の磁性材料が積層した状態で巻回されていてもよい。
[0029]
 上記電子部品において、前記第1の磁性材料は、帯状であり、巻回されてもよい。前記第2の磁性材料は、帯状であり、巻回されてもよい。前記巻回された第1の磁性材料と前記巻回された第2の磁性材料とが隣接して配置されていてもよい。
[0030]
 上記電子部品において、前記導体と前記磁性体がインダクタを形成してもよく、前記第1の磁性材料を含むことにより、前記電子部品に加わる過電圧を低減させてもよい。
[0031]
 上記電子部品において、前記磁性体は、前記第1の磁性材料を含み、前記中空部の一部を有する第1の磁性体と、前記第2の磁性材料を含み、前記中空部の別の一部を有する第2の磁性体とを含んでもよい。前記第1の磁性体は、前記第2の磁性体の隣に配置されてもよい。
[0032]
 上記電子部品において、前記第1の磁性体は、前記第2の磁性体に接合されてもよい。
[0033]
 上記電子部品において、前記磁性体は、前記第1の磁性材料を含む第1の磁性箔と、前記第2の磁性材料を含む第2の磁性箔を含んでもよい。前記第1の磁性箔および前記第2の磁性箔は互いに積層されるとともに巻回されてもよい。
[0034]
 上記電子部品において、前記第1の磁性材料および前記第2の磁性材料は、珪素鋼、軟磁性結晶材、ナノクリスタル材、アモルファス金属またはアモルファス合金であってもよい。
[0035]
 本開示の他の側面によれば、電子部品の製造方法は、中空部を有する磁性体を形成する工程と、導体の表面に、順に、誘電体層、固体電解質層および引出層を形成する工程と、前記誘電体層、前記固体電解質層および前記引出層が形成された前記導体を前記磁性体の前記中空部に挿入して、前記導体を前記中空部内に配置するとともに前記導体の端部を前記中空部から突出させる工程とを含む。
[0036]
 本開示の他の側面によれば、電子部品の製造方法は、中空部を有する磁性体を形成する工程と、導体の表面に、順に、誘電体層、複数の固体電解質層および複数の引出層を形成して、前記複数の固体電解質層と前記導体の間に容量値が異なる複数の容量を形成する工程と、前記誘電体層、前記複数の固体電解質層および前記複数の引出層が形成された前記導体を前記磁性体の前記中空部に挿入して、前記導体を前記中空部内に配置するとともに前記導体の端部を前記中空部から突出させる工程とを含む。
[0037]
 上記電子部品の製造方法は、さらに、前記磁性体と前記導体との間に樹脂を注入して、注入された樹脂を前記磁性体および前記導体に接触させる工程を含んでもよい。
[0038]
 上記電子部品の製造方法において、磁性体は、第1の磁性材料と、該第1の磁性材料とは異なる第2の磁性材料を含んでもよい。

発明の効果

[0039]
 本開示の技術によれば、次のような効果の少なくともいずれかが得られる。
[0040]
 (1) 配線で接続されたインダクタ素子およびキャパシタ素子を含むLC回路に比べて小さくすることができる。その結果、たとえば電子部品の設置面積を小さくすることができる。
[0041]
 (2) 導体が磁性体の中空部から突出すると、誘電体層および固体電解質層などの配置の調整自由度が高い。誘電体層および固体電解質層などの配置を調整することで、電子部品の回路形態を変更することができ、回路形態の設定自由度を高くすることができる。
[0042]
 (3) 電子部品が樹脂を含むと、磁性体と導体との間に配置される樹脂が磁性体および導体に接触しているので、樹脂が緩衝材として機能して、磁性体と導体の間の相互干渉が抑制される。その結果、電子部品の耐振性が高められる。
[0043]
 (4) 電子部品が樹脂を含むと、磁性体および導体に接触している樹脂が導体に生じる熱を磁性体に伝導するので、導体の熱が磁性体の外側表面に達し易く、電子部品の放熱性が高められる。
[0044]
 (5) 電子部品が複数の固体電解質層を含むと、磁性体と導体によりインダクタが形成され、導体と複数の固体電解質層の間に複数の容量が形成されるので、インダクタと容量の組み合わせの自由度が高く、これらの調整の自由度が高い電子部品を形成することができる。
[0045]
 (6) 磁性体が第1の磁性材料と、第1の磁性材料とは異なる第2の磁性材料を含むと、電子部品が、ノイズや過電圧などの低減対象のうち、複数の種類の低減対象を低減することができ、低減対象の低減機能を高めることができる。

図面の簡単な説明

[0046]
[図1] 第1の実施の形態に係る電子部品の一例を示す図である。
[図2] 電子部品およびその分布定数回路として表した等価回路の一例を示す図である。
[図3] 電子部品およびその分布定数回路として表した等価回路の他の例を示す図である。
[図4] 電子部品の製造手順の一例を示す図である。
[図5] 電子部品の製造手順の一例を示す図である。
[図6] 導体の表面の変化および積層部の形成過程の一例を示す図である。
[図7] 導体の表面の変化および積層部の形成過程の一例を示す図である。
[図8] 第2の実施の形態に係る電子部品の一例を示す図である。
[図9] 樹脂の充填工程の一例を示す図である。
[図10] 第3の実施の形態に係る電子部品の一例を示す図である。
[図11] 電子部品およびその分布定数回路として表した等価回路の一例を示す図である。
[図12] 電子部品およびその分布定数回路として表した等価回路の他の例を示す図である。
[図13] インピーダンス特性の一例を示す図である。
[図14] 電子部品の製造手順の一例を示す図である。
[図15] 電子部品の製造手順の一例を示す図である。
[図16] 第4の実施の形態に係る電子部品の一例を示す図である。
[図17] 第5の実施の形態に係る電子部品の一例を示す図である。
[図18] 第6の実施の形態に係る電子部品の一例を示す図である。
[図19] 電子部品の等価回路の一例を示す図である。
[図20] 第7の実施の形態に係る電子部品の一例を示す図である。
[図21] 電子部品およびその分布定数回路として表した等価回路の一例を示す図である。
[図22] 電子部品およびその分布定数回路として表した等価回路の他の例を示す図である。
[図23] 第8の実施の形態に係る電子部品の一例を示す図である。
[図24] 第9の実施の形態に係る電子部品の一例を示す図である。
[図25] 変形例に係る電子部品の一例を示す図である。
[図26] 変形例に係る電子部品の他の例を示す図である。
[図27] レジスト層の変形例を示す図である。

発明を実施するための形態

[0047]
 以下、図面を参照して実施の形態を説明する。

第1の実施の形態
[0048]
 図1のAは、第1の実施の形態に係る電子部品の一例を示し、図1のBは、電子部品に含まれる導体および積層部の断面を概念的に示している。図1のAでは、電子部品の内部を示すために、磁性体4の一部が省略されている。図1のBでは、線状または棒状の導体および積層部が、これらの伸びる方向に沿って切断されている。図1に示す電子部品は一例であって、斯かる電子部品に本開示の技術が限定されるものではない。
[0049]
 電子部品2は、磁性体4、導体6、積層部8、レジスト層10およびリード導体12を備えている。磁性体4は、たとえば筒形状を有し、内部に中空部13を有している。中空部13は磁性体4の筒の端部に到達し、磁性体4の内部を貫いている。導体6は、磁性体4の中空部13に配置されるとともに中空部13から突出して、磁性体4の端部で露出している。つまり、導体6は磁性体4の中空部13を貫通している。斯かる構成により、磁性体4が導体6に鎖交して、磁性体4および導体6がインダクタを形成している。積層部8は、導体6の表面に形成される。積層部8の形成により、積層部8の固体電解質層16-2と導体6の間に容量が形成される。そのため、電子部品2は、インダクタと容量を有するLC電子部品として機能し、たとえばノイズフィルタとして用いられる。つまり、電子部品2がノイズ源の内部インピーダンスとは異なるインピーダンスを有し、インピーダンスの不整合により電子部品2がノイズを遮断する。遮断されたノイズ電流は、リード導体12を通り、接地に向かって流れる。
[0050]
 導体6は、たとえば円柱形状を有し、磁性体4および導体6が同軸上に配置される。つまり、筒形状を有する磁性体4の中心軸が、導体6の中心軸と一致している。そのため、電子部品2の断面において、導体6、積層部8および磁性体4が、たとえば同心円を形成する。その結果、ノイズなどの信号の減衰に対して効率よくかつ安定したインダクタおよび容量を得ることができる。また、磁性体4の長さまたは厚さを調整すると、形成されるインダクタのインダクタンスを調整することができる。つまり、電子部品2は、インダクタンスの高い調整機能を有している。
[0051]
 磁性体4は、たとえば磁性を有する箔であり、たとえば帯状の磁性箔を巻くことにより形成される。磁性体4は、珪素鋼、軟磁性結晶材、ナノクリスタル材、アモルファス金属またはアモルファス合金などの磁性材料を含む。磁性体4は、たとえば鉄系アモルファス材料、コバルト系アモルファス材料、鉄系ナノクリスタル材料、鉄-ニッケル系合金、鉄-ケイ素合金などの磁性材料を含む。
[0052]
 鉄系アモルファス材料は、鉄系アモルファス金属または鉄系アモルファス合金の一例であり、磁気飽和しにくい材料である。鉄系アモルファス材料を含む電子部品2は、電流が重畳されている時であってもインダクタンスを有するので、電子部品2は、電流を出力しながらインダクタンスを有することができる。鉄系アモルファス材料を含む電子部品2の最大電流は、たとえば100~200アンペアであり、電子部品2の周波数は、たとえば0~100メガヘルツである。
[0053]
 鉄系アモルファス材料を含む磁性箔の厚さは、たとえば20マイクロメートルまたは約20マイクロメートルであり薄いので、鉄系アモルファス材料を含む磁性箔は、磁性箔の巻回に適している。鉄系アモルファス材料を含む磁性箔の透磁率は、熱処理により、たとえば150~5000[H/m]の広い範囲で制御することができる。鉄系アモルファス材料を含む磁性箔は、優れた入手性およびコストパフォーマンスを有する。
[0054]
 コバルト系アモルファス材料は、アモルファス金属またはアモルファス合金の一例であり、高周波において角型のB-H曲線(磁気ヒステリシス曲線)を有する。コバルト系アモルファス材料を含む電子部品2の最大電流は、たとえば100~200アンペアであり、電子部品2は、たとえば可飽和コイルに適して、半導体素子のスイッチング時に発生するスパイクノイズの抑制に適している。また、コバルト系アモルファス材料を含む電子部品2は、広い周波数範囲、たとえば0.01~30メガヘルツで高いインピーダンスを有する。
[0055]
 コバルト系アモルファス材料を含む磁性箔は、磁性箔の巻回に適している。コバルト系アモルファス材料を含む磁性箔では、熱処理により、角型のB-H曲線が得られやすく、磁路に直角方向の磁場熱処理により、平坦なB-H曲線が得られやすい。つまり、コバルト系アモルファス材料を含む磁性箔は、B-H曲線の調整能力が高い。
[0056]
 鉄系ナノクリスタル材料は、ナノクリスタル材の一例であり、高周波において角型のB-H曲線を有し、高い飽和磁束密度を有し、高エネルギーのパルスを吸収することができる。鉄系ナノクリスタル材料を含む電子部品2の最大電流は、たとえば100~200アンペアであり、電子部品2は、たとえば可飽和コイルに適して、半導体素子のスイッチング時に発生するスパイクノイズの抑制に適している。また、鉄系ナノクリスタル材料を含む電子部品2は、広い周波数、たとえば0.01~30メガヘルツで高いインピーダンスを有する。
[0057]
 鉄系ナノクリスタル材料を含む磁性箔は、磁性箔の巻回に適している。鉄系ナノクリスタル材料を含む磁性箔では、磁場熱処理により、角型のB-H曲線が得られやすく、磁路に直角方向の磁場熱処理により、平坦なB-H曲線が得られやすい。つまり、鉄系ナノクリスタル材料を含む磁性箔は、B-H曲線の調整能力が高い。鉄系ナノクリスタル材料を含む磁性箔は、良い入手性およびコストパフォーマンスを有している。
[0058]
 鉄-ニッケル系合金は、軟磁性結晶材の一例であり、角型のB-H曲線を有し、高い飽和磁束密度を有し、高エネルギーのパルスを吸収することができる。鉄-ニッケル系合金を含む電子部品2の最大電流は、たとえば100~200アンペアである。また、鉄-ニッケル系合金を含む電子部品2は、高いインピーダンスを有し、その周波数は、たとえば0.1~1メガヘルツである。
[0059]
 鉄-ニッケル系合金を含む磁性箔では、磁場熱処理により、角型のB-H曲線が得られやすく、磁路に直角方向の磁場熱処理により、平坦なB-H曲線が得られやすい。つまり、鉄-ニッケル系合金を含む磁性箔は、B-H曲線の調整能力が高い。
[0060]
 鉄-ケイ素合金は珪素鋼の一例であり、鉄-ケイ素合金を含む磁性箔は、市場において広く流通し、優れた入手性およびコストパフォーマンスを有している。
[0061]
 磁性体4は絶縁層を箔の内側表面または外側表面に有し、磁性体4の箔の他の表面では、磁性材料が露出している。絶縁層は、磁性体4の積層された箔間を積層方向において絶縁している。絶縁層は、ノイズ電流により生じる渦電流を、磁性体4の各層に分割し、ノイズを効率的に熱に変換している。絶縁層は、絶縁性を有し、たとえば非磁性の絶縁粉体の集合体である。絶縁層は、たとえば以下の物質、
(1) けい酸ナトリウム、アルミノけい酸アルカリ塩、フィロけい酸アルカリ塩、炭化ケイ素、硫酸カルシウム半水塩、炭酸カリウム、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、硫酸バリウムなどの天然無機化合物、
(2) 酸化アルミニウム、酸化ホウ素、酸化マグネシウム、二酸化ケイ素、二酸化スズ、酸化亜鉛、二酸化ジルコニウム、五酸化二アンチモン、酸化チタンなどの金属酸化物、
(3) ペロブスカイト、ケイ酸塩ガラス、リン酸塩、チタン酸塩、ニオブ、タンタル、タングステン酸塩などの複酸化物からなるセラミックス、窒化アルミニウム、酸窒化アルミニウム焼結体、窒化ホウ素、窒化ホウ素マグネシウム、窒化ホウ素複合体、窒化ケイ素、窒化ケイ素ランタン、サイアロンなどの窒化物、炭化ホウ素、炭化ケイ素、炭化ホウ素アルミニウム、炭化チタンなどの炭化物、二ホウ化チタン、六ホウ化カルシウム、六ホウ化ランタンなどのホウ化物で例示されるセラミックス素材を単一、もしくは複合して形成したセラミックス、である。絶縁層は、単独の材料でもよく、複数の材料の混合物であってもよい。絶縁層は、好ましくは、たとえば二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、二酸化ジルコニウム、五酸化二アンチモン、または酸化チタンの粉末の集合体である。絶縁層は、絶縁粉体の間に空気層を有していてもよい。空気層は、絶縁性を有し、絶縁層の絶縁性を高めることができる。
[0062]
 磁性体4の外周端部では、磁性箔が、スポット溶接または他の溶接などで接続されて、磁性体4の形状が維持されている。
[0063]
 導体6は、導電性を有するとともに化成可能な線状部材または棒状部材である。導体6は、たとえば、アルミニウム、ニオブ、タンタル、チタン、ハフニウム、ジルコニウム、亜鉛、タングステンなどの弁金属の線または棒であり、好ましくは、アルミニウム線またはアルミニウム棒である。導体6の側面はエッチングされて、導体6の側面の面積が拡大している。
[0064]
 積層部8は、誘電体層14および電極層16を含む。誘電体層14は誘電性を有し、導体6および電極層16の間に配置される。そのため、導体6、誘電体層14および電極層16は容量を形成する。導体6はこの容量の第1の電極を形成し、電極層16はこの容量の第2の電極を形成する。第1の電極は、たとえば陽極であり、陰極であってもよく、第2の電極は、たとえば陰極であり、陽極であってもよい。たとえば積層部8の形成面積、エッチングにより拡大される導体6の表面積、または誘電体層14の内部構造や厚さを調整すると、電子部品2の容量を調整することができる。つまり、電子部品2は、容量の高い調整機能を有している。
[0065]
 誘電体層14は、たとえば導体6の化成処理により形成される。導体6の表面がたとえばアルミニウムであるとき、この誘電体層14は、たとえば酸化アルミニウム膜である。つまり、誘電体層14は、たとえば、導体6の表面に存在する材料の酸化物である。誘電体層14は、導体6と電極層16の間だけでなく、電極層16の外側にも配置されている。しかしながら、本開示では、導体6と電極層16の間に配置されている誘電体層14の一部分が積層部8に含まれるものとする。
[0066]
 電極層16は、導電性を有し、たとえばプレコート層16-1、固体電解質層16-2、カーボン層16-3、および銀層16-4を有する。プレコート層16-1、固体電解質層16-2、カーボン層16-3、および銀層16-4は、誘電体層14側から、プレコート層16-1、固体電解質層16-2、カーボン層16-3、および銀層16-4の順に積層されている。プレコート層16-1および固体電解質層16-2は、たとえば、PEDOT(ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン))などの導電性高分子を含み、容量の固体電解質層として機能する。カーボン層16-3は、炭素を含み、銀層16-4は銀を含む。カーボン層16-3および銀層16-4によって、引出層(たとえば陰極引出層)が形成される。この引出層は、固体電解質層16-2に電気的に接続して、固体電解質層16-2から電気を引き出す機能を有する。電極層16は、他の層を含んでいてもよく、プレコート層16-1、固体電解質層16-2、カーボン層16-3、および銀層16-4の一部の層で形成されていてもよい。
[0067]
 レジスト層10は、導体6を部分的かつ筒状に覆う被覆層の一例であり、たとえば、エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂およびアクリル系樹脂などの樹脂である。レジスト層10は、高い抵抗を有し、直流電流の通過を阻止する。レジスト層10は、たとえば導体6上の誘電体層14の表面に形成され、積層部8の両端に接触している。レジスト層10は、たとえば固体電解質層16-2の外側表面と同じ高さを有している。レジスト層10が高い抵抗を有するので、レジスト層10は、誘電体層14とともに、導体6と電極層16が直流的に短絡するのを防止する。誘電体層14の表面に電極層16を形成するときには、レジスト層10は、誘電体層14の表面を保護するとともに電極層16の形成範囲を規制する。
[0068]
 リード導体12は、導電性を有する箔または線であり、たとえば銅箔または銅線である。リード導体12は、一端が積層部8の電極層16の引出層に接続するとともに他端が磁性体4の外側に引き出されている。リード導体12は、たとえば磁性体4と導体6上の積層部8との間であって、磁性体4の内側表面、導体6の側面および積層部8に沿って配置されている。
[0069]
 図2および図3は、電子部品およびその分布定数回路として表した等価回路の一例を示している。図2のAおよび図3のAでは、中空部13内の導体6、積層部8およびレジスト層10を表すため、磁性体4の前面部が省略されている。
[0070]
 図2のAに示す電子部品2では、積層部8はすべて磁性体4の中空部13内に配置されている。つまり、容量の形成位置に関わる固体電解質層16-2は、すべて磁性体4の中空部13内に配置されている。そのため、図2のAにおいて破線で囲われている磁性体4の両端部分では、容量Cの外側にインダクタL1、L2が形成される。図2のBは、この電子部品2の分布定数回路として表した等価回路を示している。磁性体4の両端部分では、インダクタのみが形成されている。そのため、積層部8にリード導体12を接続し、このリード導体12を磁性体4の外側に引き出すと、T型LC回路を形成することができる。
[0071]
 図2のAの電子部品2では、積層部8はすべて磁性体4の中空部13内に配置されているが、図3のAに示すように、積層部8の一部が磁性体4から露出していてもよい。つまり、容量の形成位置に関わる固体電解質層16-2の一部は、磁性体4の外側に配置されている。図3のAにおいて破線で囲われている磁性体4の外側部分では、インダクタLの外側に容量C1、C2が形成される。図3のBは、この電子部品2の分布定数回路として表した等価回路を示している。磁性体4の両端および磁性体4の外側では、インダクタの外側に容量が形成されている。そのため、積層部8の両端にリード導体12-1、12-2を接続し、このリード導体12-1、12-2を引き出すと、π型LC回路を形成することができる。ギガヘルツ領域などの高周波領域では、積層部8の各部位の電圧が、時間と位置とによって変化し、積層部8が高周波的に分割される。その結果、リード導体12-1、12-2が積層部8の両端にそれぞれ接続されていると、回路的に二つの容量を形成することができる。T型LC回路およびπ型LC回路などの回路形態は、たとえば電子部品2が接続されるノイズ源の状況により選択される。電子部品2は、製造過程における積層部8の配置位置、特に誘電体層14および固体電解質層16-2の配置位置の調整により複数の回路形態に対応することができ、ノイズ源のインピーダンスに応じた高い回路選択性を有している。
[0072]
 図2および図3に示すように、積層部8の配置位置、特に誘電体層14および固体電解質層16-2の配置位置を調整することで、電子部品2の回路形態をたとえばT型またはπ型に変更することができる。また、たとえば、積層部8の一端が、図2のAに示すように中空部13内に配置され、積層部8の他端が、図3のAに示すように、磁性体4から露出していると、固体電解質層16-2の一端は中空部13内に配置され、他端は磁性体4から露出する。そのため、図示しないL型LC回路が形成される。たとえば、積層部8の全体が磁性体4から露出していても、L型LC回路が形成される。導体6が中空部13から突出しているので、積層部8、特に誘電体層14または固体電解質層16-2の端部を、中空部13内だけでなく磁性体4から露出する位置に配置することができる。積層部8の配置位置の自由度が高く、電子部品2はLC回路の複数の回路形態に対応できる。

〔電子部品の製造手順〕
[0073]
 図4および図5は、電子部品の製造手順の一例を示し、図6および図7は、導体の表面の変化および積層部の形成過程の一例を示している。電子部品の製造手順は、電子部品の製造方法の一例である。電子部品の製造手順、導体の表面の変化および積層部の形成過程は一例であり、これらの手順、変化、過程により本開示の技術が限定されるものではない。
[0074]
 電子部品2の製造手順は、エッチング工程と、誘電体層形成工程と、マスキング工程と、電極層形成工程と、誘電体層修復工程と、レジスト層形成工程と、電極形成工程と、エージング工程とを含む。電極層形成工程は、プレコート層形成工程と、固体電解質層形成工程と、引出層形成工程とを含む。引出層形成工程は、カーボン層形成工程と、銀層形成工程とを含む。
[0075]
 エッチング工程では、たとえば、導体6が塩化物水溶液に浸される。その後、導体6に直流電流または交流電流が流されて、導体6の表面をエッチングする。このようなエッチング処理により、導体6の表面が、図6のAに示されている表面状態から図6のBに示されている表面状態に変化して、導体6の表面積が拡大する。
[0076]
 誘電体層形成工程では、たとえば、エッチングされた導体6がアジピン酸アンモニウム、リン酸二水素アンモニウム、またはホウ酸アンモニウム水溶液などの化成処理液中に浸される。その後、導体6に所定の電圧を印加して、導体6の表面に酸化皮膜(誘電体層14)を形成する。このような化成処理により、導体6の表面が、図6のBに示されている表面状態から図6のCに示されている表面状態に変化する。
[0077]
 マスキング工程では、図4のAに示すように、導体6の側面に、固体電解質層形成面22を設定する。そして、設定した固体電解質層形成面22の隣接部分において、マスキング部材24を導体6の側面に貼り付ける。マスキング部材24は、固体電解質層形成面22の隣接部分において、導体6の側面を覆い、後の工程で形成される層が固体電解質層形成面22から外側に出るのを抑制する。また、固体電解質層形成面22から外側に出た層は、マスキング部材24を除去することで、導体6の表面から取り除くことができる。マスキング部材24は、たとえば、ポリイミドテープなどの耐薬品性テープである。ポリイミドテープは、耐薬品性に優れるだけでなく、耐熱性にも優れ、加熱および薬品を伴う処理において優れた安定性を有している。
[0078]
 プレコート層形成工程では、図4のBに示すように、プレコート層16-1が導体6の固体電解質層形成面22に形成される。プレコート層形成工程では、マスキング部材24が付された導体6が、化学重合液26に浸される。この化学重合液26は、たとえば第1液としてモノマー溶液と第2液として酸化剤溶液とを有する。マスキング部材24が付された導体6が、たとえばモノマー溶液に浸され、次にたとえば酸化剤溶液に浸される。モノマー溶液および酸化剤溶液が化学重合を発生させて、プレコート層16-1が形成される。モノマー溶液は、EDOT(3,4-エチレンジオキシチオフェン)などのモノマーと、エタノールなどの溶媒を含む。酸化剤溶液は、p-トルエンスルホン酸鉄などの酸化剤と、エタノールなどの溶媒を含む。溶媒は、モノマーまたは酸化剤を分散させることができる揮発性溶剤であればよく、エタノールに限定されるものではない。また、モノマー溶液および酸化剤溶液は、形成するプレコート層16-1に応じて、適切に選択されてもよい。プレコート層16-1は、図7のAに示すように、誘電体層14上に形成される。なお、プレコート層16-1は、このプレコート層形成工程以外の手法を用いて形成してもよく、導電性高分子の分散液の塗布・乾燥によってプレコート層16-1を形成してもよい。
[0079]
 固体電解質層形成工程では、図4のCに示すように、固体電解質層16-2が固体電解質層形成面22に形成される。固体電解質層形成工程では、導体6および電極30が、電解重合液28に浸されるとともに、直流電源32の正極および負極にそれぞれ接続される。導体6および電極30の間に電位が生じると、固体電解質層16-2が形成される。電解重合液28は、EDOTなどのモノマーと、支持電解質と、水やアセトニトリルなどの溶媒を含む。支持電解質は、たとえばボロジサルチル酸アンモニウムおよびブチルナフタレンスルホン酸ナトリウムを含む。電解重合液28は、形成する固体電解質層16-2に応じて、適切に選択されてもよい。固体電解質層16-2は、図7のBに示すように、プレコート層16-1上に形成される。なお、この固体電解質層形成工程では、導体6が直流電源32の正極と接続されているが、直流電源32の接続は斯かる接続に限らない。たとえば、プローブなどの針状の電極によって、プレコート層16-1が直流電源32の正極と接続されてもよい。形成されるプレコート層16-1の導電性は十分に高いことが好ましい。プレコート層16-1の形成条件によっては、プレコート層16-1の導電性が低く、導体6からの直流電流がプレコート層16-1の表面まで通電しない場合があるが、プレコート層16-1に直接正極を接続することで、プレコート層16-1と電極30との間に電位が生じ、固体電解質層16-2が形成され易くなる。
[0080]
 誘電体層修復工程では、たとえば、図4のDに示すように、固体電解質層16-2が形成された導体6が化成処理液34中に浸される。その後、導体6に所定の電圧を印加して、誘電体層14が修復される。この誘電体層修復工程の後、マスキング部材24が導体6から外される。
[0081]
 レジスト層形成工程では、レジストが固体電解質層16-2に隣接している導体6の表面に塗布され、たとえば150[℃]で、15分間乾燥される。レジストの乾燥により、図5のAに示すように、固体電解質層16-2の外側に、レジスト層10が形成される。レジストは、レジスト層10の原料であって、乾燥により固化する液体である。
[0082]
 カーボン層形成工程では、カーボンペーストが固体電解質層16-2上に塗布され、たとえば150[℃]で、15分間乾燥される。カーボンペーストの乾燥により、図5のBに示すように、カーボン層16-3が形成される。カーボン層16-3は、図7のCに示すように、固体電解質層16-2上に形成される。
[0083]
 銀層形成工程では、銀ペーストがカーボン層16-3上に塗布され、たとえば150[℃]で、15分間乾燥される。銀ペーストの乾燥により、図5のCに示すように、銀層16-4が形成される。銀層16-4は、図7のDに示すように、カーボン層16-3上に形成される。
[0084]
 電極形成工程では、図5のDに示すように、リード導体12がたとえば導電性ペーストで銀層16-4に接着される。導電性ペーストは、たとえば150[℃]で、15分間乾燥される。
[0085]
 電極形成工程の後、エージング工程において、誘電体層14の欠陥部に形成された固体電解質層16-2がたとえばエージング処理により絶縁化される。このエージング処理では、導体6とリード導体12の間に、直流電圧が加えられる。直流電圧は、たとえば電子部品2の設定最高電圧以上の電圧である。このエージング処理により、誘電体層14の欠陥部に形成された固体電解質層16-2が絶縁化され、形成される容量の漏れ電流を抑制することができる。
[0086]
 エージング工程の後、導体6が磁性体4の中空部13に挿入されて、電子部品2が得られる。

〔第1の実施の形態の効果〕
[0087]
 (1) 磁性体4と導体6がインダクタを形成するが、導体6の表面に容量が形成されるので、容量の形成により部品がほとんど拡大しない。したがって、電子部品2は、配線で接続されたインダクタ素子およびキャパシタ素子を含むLC回路に比べて、小さくすることができる。また、回路基板における電子部品2の設置面積は、インダクタ素子およびキャパシタ素子を含むLC回路に比べて、小さくすることができる。
[0088]
 (2) 導体6が、インダクタの導体部分だけでなく容量の第1の電極として機能するとともに、インダクタと容量を接続するので、インダクタと容量を配線で接続する必要がなく、インダクタと容量の接続負担が軽減される。配線によるインダクタと容量の接続は、配線に生じる寄生容量によって、自己共振周波数特性などの特性の劣化、周辺の電子部品への影響などをもたらす可能性がある。しかしながら、電子部品2では、配線の不存在により、たとえば、特性の劣化が少なく、LC電子部品としてのフィルタ特性の劣化も少なくできる。
[0089]
 (3) 電子部品2は、導体6の端部が磁性体4から突出しているものの、導体6の中央部分は磁性体4内に配置されている。そのため、電子部品2は、たとえば基板と基板上に配置されたインダクタ素子および容量素子とを含むLC回路よりも高い堅牢性を有する。
[0090]
 (4) 磁性体4の長さまたは厚さを調整すると、電子部品2のインダクタンスを調整することができる。また、積層部8の形成面積、エッチングにより拡大される導体6の表面積、または誘電体層14の内部構造や厚さを調整すると、電子部品2の容量を調整することができる。さらに、積層部8の配置位置を調整することで、電子部品2の回路形態を変更することができる。インダクタンス、容量および回路形態の調整の自由度が高く、電子部品2の回路の柔軟性や融通性が高い。また、磁性体4の長さや積層部8の形成面積などの調整により、電子部品2は、たとえばノイズフィルタとして実用的なインダクタンスおよび容量を有することができ、実用性を兼ね備えている。
[0091]
 (5) リード導体12は、たとえば磁性体4と積層部8の間に配置され、磁性体4の外側に引き出されている。そのため、リード導体12が磁性体4の内側表面から外側表面に向けて、磁性体4の径方向に配置されることがなく、リード導体12が磁性体4の磁路を妨げる(つまり磁路を途切れさせる)ことがない。磁路の途切れは、磁気的なギャップを生じさせる。磁気的なギャップは、磁気抵抗の増加、透磁率の低下、インダクタンスの低下、磁束の漏洩、周囲の導電部分における誘導電流の発生、および磁束の漏洩に伴う発熱などの損失要因を発生させる場合がある。磁性体4の発熱は、固体電解質層16-2に熱的影響を与える場合があり、漏洩した磁束は、固体電解質層16-2に誤作動などの磁気的影響を与える場合がある。リード導体12が磁性体4および積層部8に沿って配置されて、磁路の途切れを回避することで、この損失要因、熱的影響、磁気的影響を抑制することができる。また、磁束の漏洩が抑制されているので、漏洩した磁束による過電流損失が抑制され、磁性体4の交流損失が抑制され、電子部品2の等価直列抵抗(ESR)を抑制できる。

第2の実施の形態
[0092]
 図8は、第2の実施の形態に係る電子部品の一例を示している。図8において、図1と同一部分には同一符号を付してある。図8のBは、電子部品を図8のAに示すVIIIB方向から見た図である。図8のCでは、電子部品の内部を示すために、磁性体4および樹脂44の前面部が省略されている。
[0093]
 第1の実施の形態の電子部品2では、磁性体4と、導体6、積層部8またはレジスト層10の間に空間が形成されているが、第2の実施の形態の電子部品42では、磁性体4と、導体6、積層部8またはレジスト層10の間に、樹脂44が配置されている。樹脂44の端部は、図8のCに示すように、位置的に磁性体4の筒の端部に一致していてもよく、異なっていてもよい。また、樹脂44は、磁性体4と、導体6、積層部8またはレジスト層10の間に部分的に配置されていてもよい。樹脂44の配置により、図8のBに示すように、磁性体4と導体6が、たとえば同心円状またはほぼ同心円状に配置および固定される。導体6と磁性体4の間の距離、つまり樹脂44の厚さが一定であると、導体6と磁性体4の間の相互干渉が最も起こりにくい配置になり、かつ導体6で生じた熱が偏りなく磁性体4に伝達される配置になる。
[0094]
 樹脂44は、液状態から硬化する樹脂であって、たとえば熱可塑性樹脂、シリコーンエラストマなどの熱硬化性樹脂、または硬化剤により架橋可能な樹脂である。樹脂44は、磁性体4と、導体6、積層部8またはレジスト層10との間に充填されて、その後硬化される。樹脂44は、磁性体4に対する導体6の相対的な位置を固定する。樹脂44は、磁性体4と、導体6、積層部8またはレジスト層10との間に部分的に配置されていてもよい。導体6の位置の固定は、電子部品42の耐振性を向上させるとともに、電子部品42のインピーダンスを安定させる。また、樹脂44の熱伝導率は空気の熱伝導率よりも高いので、樹脂44は、電流が流れることにより導体6で生じる熱を空気よりも効率的に磁性体4に伝導することができ、電子部品42の放熱性を高めることができる。つまり、電子部品42は、導体6で発生する熱を電子部品2よりも効率的に放散することができる。樹脂44は、銅粉末およびアルミニウム粉末などの金属粉末フィラーを含んでいてもよい。この金属粉末フィラーは、伝熱フィラーの一例であり、樹脂44よりも高い熱伝導率を有する。この金属粉末フィラーが樹脂44内に分散されると、樹脂44の熱伝導率を高めることができ、電子部品42の放熱性を高めることができる。電子部品42では、磁性体4を導体6から電気的に絶縁する必要がない。したがって、金属粉末フィラーの含有量の制限はなく、樹脂44は導電性を有していても良い。樹脂44に含まれているフィラーは、樹脂44よりも高い熱伝導率を有する非金属伝熱フィラーであってもよい。このような非金属伝熱フィラーは、樹脂44の熱伝導率を高めることができ、電子部品42の放熱性を高めることができる。
[0095]
 磁性体4、導体6、積層部8、レジスト層10およびリード導体12は第1の実施の形態と同様でありその説明を省略する。

〔樹脂の充填〕
[0096]
 図9は、電子部品の製造手順のうち、導体の挿入工程および樹脂の充填工程の一例を示している。図9では、リード導体12が省略されている。また、電子部品42の内部を示すために、図9のBでは、磁性体4の前面部が省略され、図9のCでは、磁性体4および樹脂44の前面部が省略されている。電子部品の製造手順は、電子部品の製造方法の一例である。電子部品の製造手順、導体の表面の変化および積層部の形成過程は一例であり、これらの手順、変化、過程により本開示の技術が限定されるものではない。
[0097]
 第1の実施の形態と同様の製造手順により、積層部8、レジスト層10およびリード導体12が付された導体6を得る。導体の挿入工程では、図9のAに示すように、導体6の一端を支持台46の支持孔48に差し込み、支持台46に導体6を支持させる。また、図9のBに示すように、磁性体4を導体6の周りに配置する。つまり、導体6が磁性体4の中空部13に挿入される。支持台46がたとえば位置決め突部50を備え、磁性体4の配置位置がこの位置決め突部50により調整され、たとえば磁性体4の中心軸が導体6の中心軸と一致するように調整される。樹脂の充填工程では、図9のCに示すように、磁性体4と導体6の間に樹脂44が充填される。その後、樹脂44が硬化し、磁性体4と導体6および積層部8が接着され、固定される。
[0098]
 導体の挿入工程では、磁性体4を支持台46上に配置し、そして、導体6を磁性体4に挿入して、導体6の一端を支持台46の支持孔48に差し込むようにしてもよい。また、樹脂の充填工程では、磁性体4と導体6の間に樹脂44が部分的に充填されていてもよい。
[0099]
 第2の実施の形態によれば、第1の実施の形態と同様の効果が得られるほか、以下の効果が得られる。
[0100]
 (1) 樹脂44の配置により、耐振性の向上、放熱性の向上などの効果を得ることができる。
[0101]
 (2) 固体電解質層16-2を樹脂44で覆うので、固体電解質層16-2が外気と遮断される。容量素子の耐湿性が向上し、安定した容量特性が得られる。また、固体電解質層16-2を樹脂44で覆うので、固体電解質層16-2が保護され、外力による衝撃が電子部品42に加わった場合に固体電解質層16-2の劣化が低減され、安定した容量特性が得られる。
[0102]
 (3) 銀層16-4とリード導体12の接着部分を樹脂で覆うことで、接着強度を向上させることができる。

第3の実施の形態
[0103]
 図10は、第3の実施の形態に係る電子部品の一例を示している。図10において、図1と同一部分には同一符号を付してある。図10では、電子部品の内部を示すために、磁性体4の前面部が省略されている。
[0104]
 電子部品52は、磁性体4、導体6、複数の積層部8-1、8-2、複数のレジスト層10および複数のリード導体12を備えている。磁性体4、導体6、各積層部8-1、8-2、各レジスト層10および各リード導体12は、それぞれ第1の実施の形態の磁性体4、導体6、積層部8、レジスト層10およびリード導体12と同様である。電子部品52では、二つの積層部8-1、8-2が導体6の表面に形成され、積層部8-1の固体電解質層と導体6の間に第1の容量が形成され、積層部8-2の固体電解質層と導体6の間に第2の容量が形成される。また各リード導体12は、積層部8-1、8-2に形成された引出層の一つに接続する。電子部品52では、二つの積層部8-1、8-2の間に一つのレジスト層10が配置されている。しかしながら、二つの積層部8-1、8-2の間に二つのレジスト層10が配置され、各レジスト層10が積層部8-1、8-2のいずれかの端部に接触していてもよい。
[0105]
 図11および図12は、電子部品およびその分布定数回路として表した等価回路の一例を示している。図11のAおよび図12のAでは、中空部13内の導体6、積層部8-1、8-2およびレジスト層10を表すため、磁性体4の前面部が省略されている。
[0106]
 図11のAに示す電子部品52では、導体6と積層部8-1の間に容量C31が形成され、導体6と積層部8-2の間に容量C32が形成される。積層部8-1、8-2はすべて磁性体4の中空部13内に配置されている。つまり、第1の容量および第2の容量の形成位置に関わる固体電解質層16-2は、すべて磁性体4の中空部13内に配置されている。そのため、図11のAにおいて破線で囲われている磁性体4の両端部分では、容量C31の外側にインダクタL31が形成され、容量C32の外側にインダクタL33が形成される。また、積層部8-1と積層部8-2の間では、インダクタL32が形成される。図11のBは、この電子部品52の分布定数回路として表した等価回路を示している。磁性体4の両端部分では、インダクタのみが形成されている。そのため、各積層部8-1、8-2にリード導体12を接続し、このリード導体12を磁性体4の外側に引き出すと、外側にインダクタを有するπ型LC回路を形成することができる。
[0107]
 図11のAの電子部品52では、積層部8-1、8-2はすべて磁性体4の中空部13内に配置されているが、図12のAに示すように、積層部8-1、8-2の一部が磁性体4から露出していてもよい。つまり、第1の容量および第2の容量の形成位置に関わる積層部8-1、8-2の固体電解質層16-2の一部は、磁性体4の外側に配置されている。図12のAにおいて破線で囲われている磁性体4の外側部分では、インダクタL30の外側に容量C31、C32が形成される。図12のBは、この電子部品52の分布定数回路として表した等価回路を示している。磁性体4の両端および磁性体4の外側では、インダクタL30の外側に容量C31、C32が形成されている。そのため、各積層部8-1、8-2にリード導体12を接続し、このリード導体12を引き出すと、π型LC回路を形成することができる。外側にインダクタを有するπ型LC回路およびπ型LC回路などの回路形態は、たとえば電子部品52が接続されるノイズ源の状況により選択される。電子部品52は、製造過程における積層部8-1、8-2の配置位置、特に誘電体層14および固体電解質層16-2の配置位置の調整により複数の回路形態に対応することができ、ノイズ源のインピーダンスに応じた高い回路選択性を有している。
[0108]
 図11および図12に示すように、積層部8-1、8-2の配置位置、特に誘電体層14および固体電解質層16-2の配置位置を調整することで、電子部品52の回路形態をたとえば外側にインダクタを有するπ型LC回路またはπ型LC回路に変更することができる。また、たとえば、積層部8-1、8-2の一方の端が、図11のAに示すように中空部13内に配置され、積層部8-1、8-2の他方の端が、図12のAに示すように、磁性体4から露出していると、一方の固体電解質層16-2は中空部13内に配置され、他方の固体電解質層16-2の端が磁性体4から露出する。そのため、図示しない一方の外側にインダクタを有するπ型LC回路が形成される。たとえば、積層部8-1、8-2の全体が磁性体4から露出していても、π型LC回路が形成される。導体6が中空部13から突出しているので、積層部8-1、8-2、特に、誘電体層14または固体電解質層16-2の端部を、中空部13内だけでなく磁性体4から露出する位置に配置することができる。積層部8-1、8-2の配置位置の自由度が高く、電子部品52はLC回路の複数の回路形態に対応できる。
[0109]
 電子部品52では、二つの容量、つまり第1の容量および第2の容量が形成される。積層部8-1、8-2の形成面積、エッチングにより拡大される導体6の表面積、または誘電体層14の内部構造や厚さを調整することにより、二つの容量の容量値を異ならせることができる。電子部品52では、たとえば積層部8-1の形成面積が積層部8-2の形成面積よりも小さく、第1の容量が第2の容量の容量値よりも小さな容量値を有している。
[0110]
 容量の共振周波数は、その容量の容量値により定まる。具体的には、容量値が大きくなると、共振周波数が小さくなる。共振周波数では、容量のインピーダンスが低下して、電流が容量を通過することになる。電子部品2、42、52などのLC電子部品において、リード導体12を接地に接続して、容量を接地すると、共振周波数を有する電流が容量を介して接地に流れて、導体6を流れる電流から共振周波数を有する電流を除去することができる。
[0111]
 図13のAは、電子部品52に形成される二つの容量の個々のインピーダンス特性の一例を示し、図13のBは、電子部品52に形成される二つの容量全体のインピーダンス特性の一例を示している。
[0112]
 電子部品52に形成される二つの容量の容量値が異なると、図13のAに示すように、二つの容量のインピーダンス特性が異なる。たとえば、第1の容量は周波数f1で共振し、第1の容量のインピーダンス54-1は周波数f1で最も低くなる。第2の容量は周波数f2で共振し、第2の容量のインピーダンス54-2は周波数f2で最も低くなる。周波数f1、f2は、共振周波数の一例である。
[0113]
 電子部品52は第1の容量および第2の容量を有するので、電子部品52の容量に起因するインピーダンスは、図13のBにおいて実線で示されているように、各周波数において、インピーダンス54-1、54-2のうちの低いインピーダンスになる。電子部品52が異なる容量値の容量を有するので、電子部品52が、これらの容量の特性が合成された特性を備えることができる。その結果、電子部品52は、一つの容量を有するLC回路や、容量値が同じである二つの容量を有するLC回路に比べて、広い周波数帯域でノイズなどの信号を減衰させることができる。
[0114]
 この周波数f1は、第1の容量をC Fとすると√C Fに反比例し、周波数f2は、第2の容量をC Sとすると√C Sに反比例する。つまり、周波数と容量の間には、一定の関係がある。したがって、周波数f1、f2が、たとえば低減させるノイズの周波数帯域に応じて設定されると、第1の容量および第2の容量の容量値が定まることになる。第1の容量および第2の容量は、たとえば定められた容量値となるように調整される。
[0115]
 電子部品52が、たとえばπ型のLC電子部品となるとき、第1の容量と第2の容量の比は、10以上の違い(つまり1:10以上、または10以上:1)、好ましくは第1の容量と第2の容量の比は、100以上の違いがあると、ノイズなどの信号が減衰する周波数帯域が広がり好ましい。たとえば、第1の容量および第2の容量の一方が0.01~2.0[μF]であり、他方が1.0~100[μF]であると、およそ100[kHz]から100[MHz]までの周波数の範囲において、ノイズなどの信号の減衰量を大きくすることができる。

〔電子部品の製造手順〕
[0116]
 図14および図15は、電子部品の製造手順の一例を示している。電子部品の製造手順は、電子部品の製造方法の一例である。電子部品の製造手順、導体の表面の変化および積層部の形成過程は一例であり、これらの手順、変化、過程により本開示の技術が限定されるものではない。
[0117]
 電子部品52の製造手順は、エッチング工程と、誘電体層形成工程と、マスキング工程と、電極層形成工程と、誘電体層修復工程と、レジスト層形成工程と、電極形成工程と、エージング工程とを含む。電極層形成工程は、プレコート層形成工程と、固体電解質層形成工程と、引出層形成工程とを含む。引出層形成工程は、カーボン層形成工程と、銀層形成工程とを含む。
[0118]
 エッチング工程および誘電体層形成工程はそれぞれ、第1の実施の形態で既述したエッチング工程、誘電体層形成工程と同様である。
[0119]
 マスキング工程では、図14のAに示すように、導体6の側面に、固体電解質層形成面22-1、22-2を設定する。固体電解質層形成面22-1、22-2の長さは、それぞれ所望の容量に応じて設定されている。導体6と固体電解質層16-2との間に形成される容量の大きさは、固体電解質層16-2と対向する導体6の面積の影響を受ける。エッチング工程において、たとえば導体6の表面が同一条件でエッチングされているため、固体電解質層形成面22-1、22-2における表面の拡大倍率は略同等である。したがって、導体6と対向する固体電解質層16-2の面積を異ならせることで、積層部8-1と積層部8-2で異なる容量を形成する。そして、設定した固体電解質層形成面22-1、22-2の隣接部分において、第1の実施の形態で既述したマスキング部材24を導体6の側面に貼り付ける。
[0120]
 プレコート層形成工程では、図14のBに示すように、プレコート層16-1が導体6の固体電解質層形成面22-1、22-2に形成される。プレコート層16-1は、第1の実施の形態で既述したプレコート層形成工程により形成することができる。
[0121]
 固体電解質層形成工程では、図14のCに示すように、固体電解質層16-2が固体電解質層形成面22-1、22-2に形成される。固体電解質層16-2は、第1の実施の形態で既述した固体電解質層形成工程により形成することができる。
[0122]
 誘電体層修復工程では、たとえば、図14のDに示すように、第1の実施の形態で既述した誘電体層修復工程により、誘電体層14が修復される。この誘電体層修復工程の後、マスキング部材24が導体6から外される。
[0123]
 レジスト層形成工程では、第1の実施の形態で既述したレジスト層形成工程により、図15のAに示すように、固体電解質層16-2の外側に、レジスト層10が形成される。
[0124]
 カーボン層形成工程では、第1の実施の形態で既述したカーボン層形成工程により、図15のBに示すように、カーボン層16-3が形成される。
[0125]
 銀層形成工程では、第1の実施の形態で既述した銀層形成工程により、図15のCに示すように、銀層16-4が形成される。
[0126]
 電極形成工程では、図15のDに示すように、リード導体12がたとえば導電性ペーストで銀層16-4に接着される。導電性ペーストは、たとえば150[℃]で、15分間乾燥される。
[0127]
 エージング工程以降の工程は、第1の実施の形態の製造手順と同様である。
[0128]
 電子部品52において、磁性体4と、導体6、積層部8-1、8-2またはレジスト層10の間に空間が形成されているが、樹脂44が配置されていてもよい。
[0129]
 電子部品52において、各積層部8-1、8-2の位置は、適宜調整されてもよい。各積層部8-1、8-2は、磁性体4内に配置されてもよく、各積層部8-1、8-2の一部または全体が磁性体4から露出していてもよい。
[0130]
 電子部品52において、二つの積層部8-1、8-2が形成されているが、三つ以上の積層部が形成されていてもよい。
[0131]
 第3の実施の形態によれば、第1の実施の形態と同様の効果が得られるほか、第1の容量および第2の容量により、広い周波数帯域でノイズなどの信号を減衰させることができる。

第4の実施の形態
[0132]
 図16は、第4の実施の形態に係る電子部品の一例を示している。図16のBは、電子部品を図16のAに示すXVIB方向から見た図である。図16のCでは、電子部品の内部を示すために、磁性体4および樹脂8の前面部が省略されている。図16において、図1または図8と同一部分には同一符号をしてある。
[0133]
 電子部品62は、磁性体4、導体6および樹脂44を備えている。磁性体4および導体6は、第1の実施の形態、第2の実施の形態、または第3の実施の形態と同様であり、その説明を省略する。樹脂44は、第2の実施の形態と同様でありその説明を省略する。斯かる構成により、磁性体4が導体6に鎖交して、磁性体4および導体6がインダクタを形成している。電子部品62は、インダクタを有し、たとえばノイズフィルタとして用いられる。電子部品62において、電圧は導体6の二つの端部に印加される。
[0134]
 導体6の表面には既述の誘電体層14が形成され、誘電体層14の表面には既述のプレコート層16-1および固体電解質層16-2が形成され、固体電解質層16-2には既述の引出層が電気的に接続され、容量が形成されている。誘電体層14、プレコート層16-1、固体電解質層16-2および引出層は、既述の積層部8を形成する。
[0135]
 電子部品62は、レジスト層10およびリード導体12の形成を省略して、第2の実施の形態の電子部品42と同様の製造手順で得ることができる。
[0136]
 なお、導体6は、導電性を有する線状部材または棒状部材であってもよく、たとえば銅、銀などの低抵抗部材の線もしくは棒であってもよい。導体6は、銅線または棒状の銅であってもよい。導体6は、導電性を有する箔であってもよく、帯状の導電性箔を巻くことにより筒状に形成されていてもよい。そして、積層部8が省略されていてもよい。
[0137]
 第4の実施の形態によれば、樹脂44の配置により、耐振性の向上、放熱性の向上などの効果を得ることができる。

第5の実施の形態
[0138]
 図17は、第5の実施の形態に係る電子部品の一例を示している。図17において、図1、図8、図10または図16と同一部分には同一符号を付してある。図17のBは、電子部品を図17のAに示すXVIIB方向から見た図である。図17のCでは、電子部品の内部を示すために、磁性体4および樹脂44の前面部が省略されている。
[0139]
 第3の実施の形態の電子部品52では、磁性体4と、導体6、積層部8-1、8-2またはレジスト層10の間に空間が形成されているが、第5の実施の形態の電子部品72では、磁性体4と、導体6、積層部8-1、8-2またはレジスト層10の間に、樹脂44が配置されている。
[0140]
 電子部品72は、磁性体4、導体6、複数の積層部8-1、8-2、複数のレジスト層10、複数のリード導体12および樹脂44を備えている。磁性体4、導体6、各積層部8-1、8-2、複数のレジスト層10および複数のリード導体12は、第3の実施の形態と同様でありその説明を省略する。樹脂44は、第2の実施の形態および第4の実施の形態と同様でありその説明を省略する。
[0141]
 電子部品72では、第3の実施の形態の電子部品52と同様に、二つの容量、つまり第1の容量および第2の容量が形成される。また、電子部品72が異なる容量値の容量を有すると、電子部品72が、これらの容量の特性が合成された特性を備えることができる。その結果、電子部品72は、一つの容量を有するLC回路や、容量値が同じである二つの容量を有するLC回路に比べて、広い周波数帯域でノイズなどの信号を減衰させることができる。電子部品72の容量は、たとえば第3の実施の形態の電子部品52と同様に調整される。
[0142]
 樹脂44の端部は、図17のCに示すように、位置的に磁性体4の筒の端部に一致していてもよく、異なっていてもよい。また、樹脂44は、磁性体4と、導体6、積層部8-1、8-2またはレジスト層10の間に部分的に配置されていてもよい。樹脂44の配置により、図17のBに示すように、磁性体4と導体6が、たとえば同心円状またはほぼ同心円状に配置および固定される。

〔電子部品の製造手順〕
[0143]
 第3の実施の形態と同様の製造手順により、積層部8-1、8-2、レジスト層10およびリード導体12が付された導体6を得る。導体の挿入工程および樹脂の充填工程は、たとえば、第2の実施の形態と同様に行われる。
[0144]
 第5の実施の形態によれば、第2の実施の形態および第3の実施の形態と同様の効果が得られる。

第6の実施の形態
[0145]
 図18は、第6の実施の形態に係る電子部品の一例を示している。図18のBは、電子部品を図18のAに示すXVIIIB方向から見た図である。図18のCでは、電子部品の内部を示すために、磁性体4の前面部が省略されている。図18において、図1と同一部分には同一符号を付してある。
[0146]
 電子部品82は、磁性体4および導体6を備えている。磁性体4は、たとえば筒形状を有し、内部に中空部13を有している。中空部13は磁性体4の筒の端部に到達し、磁性体4の内部を貫いている。導体6は、磁性体4の中空部13に配置されるとともに中空部13から突出して、磁性体4の端部で露出している。つまり、導体6は磁性体4の中空部13を貫通している。斯かる構成により、磁性体4が導体6に鎖交して、磁性体4および導体6がインダクタを形成している。電子部品82は、インダクタを有し、たとえばノイズフィルタとして用いられる。電子部品82において、電圧は導体6の二つの端部に印加される。
[0147]
 導体6は、たとえば円柱形状を有し、磁性体4および導体6が同軸上に配置される。つまり、筒形状を有する磁性体4の中心軸が、導体6の中心軸と一致している。そのため、電子部品82の断面において、導体6および磁性体4が、たとえば同心円を形成する。その結果、ノイズなどの信号の減衰に対して効率よくかつ安定したインダクタを得ることができる。また、磁性体4の長さまたは厚さを調整すると、形成されるインダクタのインダクタンスを調整することができる。つまり、電子部品82は、インダクタンスの高い調整機能を有している。また、導体6の表面には誘電体層が形成され、誘電体層の表面には固体電解質層が形成され、固体電解質層には引出層が電気的に接続され、容量が形成されている。
[0148]
 磁性体4は、第1の磁性材料を含む第1の磁性体4-1と、第2の磁性材料を含む第2の磁性体4-2を含む。第1の磁性体4-1はたとえば第2の磁性体4-2の隣に配置される。たとえば、第1の磁性材料と第2の磁性材料とが隣接して配置される。第1の磁性体4-1および第2の磁性体4-2は、たとえば筒形状を有し、第1の磁性体4-1の筒の端部は、接着剤またはスポット溶接などの接合手段により第2の磁性体4-2の筒の端部に接合されていてもよい。第1の磁性体4-1は中空部13の一部を有し、第2の磁性体4-2は中空部13の別の一部を有している。
[0149]
 第1の磁性体4-1と導体6は、第1のインダクタを形成し、第2の磁性体4-2と導体6は第2のインダクタを形成する。このため、電子部品82では、たとえば図19に示すように、第1のインダクタL61と第2のインダクタL62が直列に接続されることになる。なお、図19に示されている回路において、導体6の表面に形成された容量を省略している。
[0150]
 第1の磁性材料および第2の磁性材料は、それぞれ異なる磁性材料であり、そのため、第1の磁性体4-1および第2の磁性体4-2は、それぞれ異なる磁性特性(たとえば透磁率特性)を有し、第1のインダクタL61および第2のインダクタL62は、それぞれ異なるインダクタンス特性を有する。そのため、電子部品82は、ノイズや過電圧などの低減対象のうち、複数の種類の低減対象を低減することができる。たとえば、第1のインダクタL61は過電圧を低減し、第2のインダクタL62はノイズを低減する。過電圧は、電源の電圧(たとえば12ボルト)が変動したときに生じる可能性があり、瞬間的に発生する高い電圧(たとえば20~30ボルト)である。電子部品82は、同種の低減対象のうち、複数の低減対象を低減してもよい。電子部品82では、ノイズカットなどの機能の調整の自由度が高められる。
[0151]
 第1の磁性体4-1および第2の磁性体4-2は、たとえば磁性を有する箔であり、たとえば帯状の磁性箔を巻くことにより形成される。第1の磁性体4-1および第2の磁性体4-2は、第1の実施の形態で既述した珪素鋼、軟磁性結晶材、ナノクリスタル材、アモルファス金属またはアモルファス合金などの磁性材料を含む。第1の磁性体4-1および第2の磁性体4-2は、たとえば第1の実施の形態で既述した鉄系アモルファス材料、コバルト系アモルファス材料、鉄系ナノクリスタル材料、鉄-ニッケル系合金、鉄-ケイ素合金などの磁性材料であってもよい。磁性材料は、たとえば第1のインダクタまたは第2のインダクタの機能、目的または特性に応じて決定される。
[0152]
 磁性体4が、たとえば、コバルト系アモルファス材料のような高透磁率の磁性材料からなる磁性箔と、鉄系アモルファス材料のような磁性材料からなる磁性箔で形成されると、大電流・低電流のいずれが流れてもインダクタンスが確保できる。つまり、鉄系アモルファス材料からなる磁性材料によって、大電流が流れた場合のインダクタンスを確保でき、コバルト系アモルファス材料からなる磁性材料によって、低電流が流れた場合に鉄系アモルファス材料のみを用いたコイルよりも高いインダクタンスを確保できる。また、複数の磁性材料が透磁率の周波数特性において異なると、磁性材料がそれぞれ異なる周波数帯においてノイズなどの信号を抑制することができる。
[0153]
 磁性体4-1、4-2は第1の実施の形態で既述した絶縁層を箔の内側表面または外側表面に有し、磁性体4-1、4-2の箔の他の表面では、磁性材料が露出している。絶縁層は、磁性体4-1、4-2の積層された箔間を積層方向において絶縁している。絶縁層は、ノイズ電流により生じる渦電流を、磁性体4-1、4-2の各層に分割し、ノイズを効率的に熱に変換している。
[0154]
 磁性体4-1、4-2の外周端部では、磁性箔が、スポット溶接または他の溶接などで接続されて、磁性体4-1、4-2の形状が維持されている。
[0155]
 導体6は、第4の実施の形態の導体6と同様であり、その説明を省略する。
[0156]
 電子部品82は、たとえば次のようにして形成される。
(1) 磁性箔を巻回して第1の磁性体4-1および第2の磁性体4-2を形成する。
(2) 第1の磁性体4-1および第2の磁性体4-2の中空部13に導体6を挿入する。
[0157]
 第6の実施の形態によれば、電子部品82は、複数のインダクタンス特性を有することができ、ノイズカットなどの機能の調整の自由度が高められる。電子部品82は、ノイズや過電圧などの低減対象のうち、複数の種類の低減対象を低減することができ、電子部品82の低減対象を低減させる機能を高めることができる。電子部品82は、たとえばノイズと過電圧を低減することができ、たとえば電子部品82に併設される容量を過電圧から保護しつつ、容量とともにノイズを低減することができる。

第7の実施の形態
[0158]
 図20は、第7の実施の形態に係る電子部品の一例を示している。図20では、電子部品の内部を示すために、磁性体4の一部が省略されている。図20において、図1または図18と同一部分には同一符号を付してある。図20に示す電子部品は一例であって、斯かる電子部品に本開示の技術が限定されるものではない。
[0159]
 電子部品92は、磁性体4、導体6、積層部8、レジスト層10およびリード導体12を備えている。磁性体4および導体6は第6の実施の形態と同様でありその説明を省略する。積層部8、レジスト層10およびリード導体12は、第1の実施の形態と同様でありその説明を省略する。電子部品92では、第6の実施の形態と同様に、導体6が磁性体4の中空部13に配置されるとともに中空部13から突出している。斯かる構成により、磁性体4が導体6に鎖交して、磁性体4および導体6がインダクタを形成している。
[0160]
 積層部8は、導体6の表面に形成される。積層部8の形成により、積層部8の固体電解質層16-2と導体6の間に容量が形成される。そのため、電子部品92は、インダクタと容量を有するLC電子部品として機能し、たとえばノイズフィルタとして用いられる。つまり、電子部品92がノイズ源の内部インピーダンスとは異なるインピーダンスを有し、インピーダンスの不整合により電子部品92がノイズを遮断する。遮断されたノイズ電流は、リード導体12を通り、接地に向かって流れる。
[0161]
 第6の実施の形態と同様に、磁性体4および導体6が同軸上に配置され、電子部品92の断面において、導体6、積層部8および磁性体4が、たとえば同心円を形成する。その結果、ノイズなどの信号の減衰に対して効率かつ安定したインダクタおよび容量を得ることができる。また、磁性体4の長さまたは厚さを調整すると、形成されるインダクタのインダクタンスを調整することができる。つまり、電子部品92は、インダクタンスの高い調整機能を有している。
[0162]
 導体6は、第6の実施の形態の導体6と同様であるが、好ましくは化成可能な線状部材または棒状部材である。導体6は、たとえば弁金属の線または棒であり、好ましくは、アルミニウム線またはアルミニウム棒である。導体6の側面は、たとえばエッチングされて、導体6の側面の面積が拡大している。
[0163]
 図21および図22は、電子部品およびその分布定数回路として表した等価回路の一例を示している。図21のAおよび図22のAでは、中空部13内の導体6、積層部8およびレジスト層10を表すため、磁性体4の前面部が省略されている。
[0164]
 図21のAに示す電子部品92では、積層部8はすべて磁性体4の中空部13内に配置されている。つまり、容量の形成位置に関わる固体電解質層16-2は、すべて磁性体4の中空部13内に配置されている。そのため、図21のAにおいて破線で囲われている磁性体4の両端部分では、容量C70の外側にインダクタL71、L72が形成される。図21のBは、この電子部品92の分布定数回路として表した等価回路を示している。磁性体4の両端部分では、インダクタのみが形成されている。そのため、積層部8にリード導体12を接続し、このリード導体12を磁性体4の外側に引き出すと、T型LC回路を形成することができる。第1の磁性体4-1は、インダクタL71の形成に関係するので、インダクタL71が、たとえば過電圧を低減する。インダクタL72は、たとえばノイズを低減する。
[0165]
 図21のAの電子部品92では、積層部8はすべて磁性体4の中空部13内に配置されているが、図22のAに示すように、積層部8の一部が磁性体4から露出していてもよい。つまり、容量の形成位置に関わる固体電解質層16-2の一部は、磁性体4の外側に配置されている。図22のAにおいて破線で囲われている磁性体4の外側部分では、インダクタL71、L72の外側に容量C71、C72が形成される。図22のBは、この電子部品92の分布定数回路として表した等価回路を示している。磁性体4の外側では、インダクタの外側に容量が形成されている。そのため、積層部8の両端にリード導体12-1、12-2を接続し、このリード導体12-1、12-2を引き出すと、π型LC回路を形成することができる。ギガヘルツ領域などの高周波領域では、積層部8の各部位の電圧が、時間と位置とによって変化し、積層部8が高周波的に分割される。その結果、リード導体12-1、12-2が積層部8の両端にそれぞれ接続されていると、回路的に二つの容量を形成することができる。第1の磁性体4-1は、インダクタL71の形成に関係するので、インダクタL71が、たとえば過電圧を低減する。インダクタL72は、たとえばノイズを低減する。
[0166]
 T型LC回路およびπ型LC回路などの回路形態は、たとえば電子部品92が接続されるノイズ源の状況により選択される。電子部品92は、製造過程における積層部8の配置位置、特に誘電体層14および固体電解質層16-2の配置位置の調整により複数の回路形態に対応することができ、ノイズ源のインピーダンスに応じた高い回路選択性を有している。
[0167]
 第1の実施の形態と同様に、積層部8の配置位置、特に誘電体層14および固体電解質層16-2の配置位置を調整することで、電子部品92の回路形態をたとえばT型またはπ型に変更することができる。積層部8の配置位置の自由度が高く、電子部品92はLC回路の複数の回路形態に対応できる。

〔電子部品の製造手順〕
[0168]
 電子部品92の製造手順は、エッチング工程と、誘電体層形成工程と、マスキング工程と、電極層形成工程と、誘電体層修復工程と、レジスト層形成工程と、電極形成工程と、エージング工程とを含む。エッチング工程、誘電体層形成工程、マスキング工程、電極層形成工程、誘電体層修復工程、レジスト層形成工程、電極形成工程、およびエージング工程は、第1の実施の形態と同様でありその説明を省略する。電子部品92の製造手順は、導体の挿入工程をさらに含む。
[0169]
 エージング工程の後、たとえば次のようにして電子部品92が得られる。
(1) 磁性箔を巻回して第1の磁性体4-1および第2の磁性体4-2を形成する。
(2) 第1の磁性体4-1および第2の磁性体4-2の中空部13に導体6を挿入する。
[0170]
 第7の実施の形態では、たとえば第1の実施の形態で既述した効果および第6の実施の形態と同様の効果が得られる。

第8の実施の形態
[0171]
 図23は、第8の実施の形態に係る電子部品の一例を示している。図23において、図1、図8、図18または図20と同一部分には同一符号を付してある。図23のBは、電子部品を図23のAに示すXXIIIB方向から見た図である。図23のCでは、電子部品の内部を示すために、磁性体4および樹脂44の前面部が省略されている。
[0172]
 第6の実施の形態の電子部品82および第7の実施の形態の電子部品92では、磁性体4と、導体6、積層部8またはレジスト層10の間が空間になっているが、第8の実施の形態の電子部品102では、磁性体4と、導体6、積層部8またはレジスト層10の間に、樹脂44が配置されている。樹脂44の端部は、図23のCに示すように、位置的に磁性体4の筒の端部に一致していてもよく、異なっていてもよい。また、樹脂44は、磁性体4と、導体6、積層部8またはレジスト層10の間に部分的に配置されていてもよい。樹脂44の配置により、図23のBに示すように、磁性体4と導体6が、たとえば同心円状またはほぼ同心円状に配置および固定される。
[0173]
 樹脂44は、第2の実施の形態と同様でありその説明を省略する。磁性体4、導体6、積層部8、レジスト層10およびリード導体12は第7の実施の形態と同様でありその説明を省略する。

〔電子部品の製造手順〕
[0174]
 第7の実施の形態と同様の製造手順により、積層部8、レジスト層10およびリード導体12が付された導体6を得る。導体の挿入工程および樹脂の充填工程は、たとえば、第2の実施の形態と同様に行われる。
[0175]
 第8の実施の形態によれば、第2の実施の形態、第6の実施の形態および第7の実施の形態と同様の効果が得られる。

第9の実施の形態
[0176]
 図24は、第9の実施の形態に係る電子部品の一例を示している。図24において、図10、図18または図20と同一部分には同一符号を付してある。図24では、電子部品の内部を示すために、磁性体4の前面部が省略されている。
[0177]
 電子部品112は、磁性体4、導体6、複数の積層部8-1、8-2、複数のレジスト層10および複数のリード導体12を備えている。磁性体4、導体6、各積層部8-1、8-2、各レジスト層10および各リード導体12は、それぞれ第7の実施の形態の磁性体4、導体6、積層部8、レジスト層10およびリード導体12と同様である。電子部品112では、二つの積層部8-1、8-2が導体6の表面に形成され、積層部8-1の固体電解質層と導体6の間に第1の容量が形成され、積層部8-2の固体電解質層と導体6の間に第2の容量が形成される。また各リード導体12は、積層部8-1、8-2に形成された引出層の一つに接続する。電子部品112では、二つの積層部8-1、8-2の間に一つのレジスト層10が配置されている。しかしながら、二つの積層部8-1、8-2の間に二つのレジスト層10が配置され、各レジスト層10が積層部8-1、8-2のいずれかの端部に接触していてもよい。
[0178]
 電子部品112では、第3の実施の形態の電子部品52、第5の実施の形態の電子部品72と同様に二つの容量、つまり第1の容量および第2の容量が形成される。積層部8-1、8-2の形成面積、エッチングにより拡大される導体6の表面積、または誘電体層14の内部構造や厚さを調整することにより、二つの容量の容量値を異ならせることができる。電子部品112では、たとえば積層部8-1の形成面積が積層部8-2の形成面積よりも小さく、第1の容量が第2の容量の容量値よりも小さな容量値を有している。
[0179]
 電子部品112に形成される二つの容量の個々のインピーダンス特性は、たとえば、第3の実施の形態の電子部品52と同様であるのでその説明を省略する。
[0180]
 電子部品112が、たとえばπ型のLC電子部品となるとき、第1の容量と第2の容量の比は、10以上の違い(つまり1:10以上、または10以上:1)、好ましくは第1の容量と第2の容量の比は、100以上の違いがあると、ノイズなどの信号が減衰する周波数帯域が広がり好ましい。たとえば、第1の容量および第2の容量の一方が0.01~2.0[μF]であり、他方が1.0~100[μF]であると、およそ100[kHz]から100[MHz]までの周波数の範囲において、ノイズなどの信号の減衰量を大きくすることができる。
[0181]
 電子部品112において、磁性体4と、導体6、積層部8-1、8-2またはレジスト層10の間が空間になっているが、樹脂44が配置されていてもよい。
[0182]
 電子部品112において、各積層部8-1、8-2の位置は、適宜調整されてもよい。各積層部8-1、8-2は、磁性体4内に配置されてもよく、各積層部8-1、8-2の一部または全体が磁性体4から露出していてもよい。
[0183]
 電子部品112において、二つの積層部8-1、8-2が形成されているが、三つ以上の積層部が形成されていてもよい。
[0184]
 第9の実施の形態によれば、第6の実施の形態および第7の実施の形態と同様の効果が得られるほか、第1の容量および第2の容量により、広い周波数帯域でノイズなどの信号を減衰させることができる。
[0185]
 以上説明した実施の形態について、変形例を以下に列挙する。
[0186]
 (1) 導体6は、たとえば弁金属の線、棒または平板形状である。導体6は、断面視が円形、角型でもよい。導体6は、アルミニウム線、アルミニウム棒などの単一部材に限定されるものではない。導体6は、銅、銀などの低抵抗部材と、この低抵抗部材の表面に形成された弁金属膜を含み、複数の材質で形成されていてもよい。複数の材質で形成された導体6は、低抵抗部材により低い抵抗値を有するとともに、弁金属膜により化成可能である。導体6の抵抗値が低いので、たとえば大きな直流電流が流れても、導体6における発熱を抑制することができる。
[0187]
 (2) 上記実施の形態では、磁性体4は、帯状の磁性箔を巻くことにより形成されているが、たとえば磁性材料の焼結体であってもよい。磁性体4が磁性を有していれば、電子部品2、42、52、62、72、82、92、102、112がインダクタンスを有することができる。
[0188]
 (3) 上記第1の実施の形態から第3の実施の形態、第5の実施の形態、第7の実施の形態から第9の実施の形態では、マスキング部材24が導体6から外された後に、レジスト層10を形成している。しかしながら、マスキング部材24の取り外しおよびレジスト層10の形成を省略して、マスキング部材24を導体6に付けた状態で、カーボン層16-3および銀層16-4が形成されてもよい。マスキング部材24がプレコート層16-1および固体電解質層16-2に密着していると、カーボン層16-3または銀層16-4の侵入が抑制され、カーボン層16-3または銀層16-4が導体6と短絡することが抑制される。マスキング部材24は、銀層16-4の形成後に取り外しても取り外さなくてもよい。斯かる変形例によれば、レジスト層10が省略され、製造負荷が軽減できる。また、プレコート層形成工程から誘電体層修復工程において、マスキング部材24の代わりにレジスト層10が形成されていてもよい。すなわち、導体6のマスキング部材24を貼り付ける部分にレジスト層10を形成した後にプレコート層16-1、固体電解質層16-2、カーボン層16-3、銀層16-4を形成してもよい。
[0189]
 (4) 上記実施の形態では、電子部品2、42、52、62、72、82、92、102、112が一つの磁性体4および一つの導体6を備えていた。しかしながら、図25に示すように、電子部品122は、複数の磁性体4(たとえば二つの磁性体4)および一つの導体6を備え、一つの導体6が複数の磁性体4の中空部13に配置されるとともに中空部13から突出していてもよい。第1の実施の形態と同様に、積層部8およびレジスト層10が導体6の表面に形成され、リード導体12が積層部8に接続される。その結果、電子部品122は、直列に接続された複数の電子部品2(たとえば二つの電子部品2)を有することになる。各電子部品2は、第1の実施の形態で既述した電子部品2と同様である。電子部品122の分布定数回路として表した等価回路は、図2のBまたは図3のBに示されている分布定数回路として表した等価回路を直列に接続することにより表される。電子部品122では、複数の電子部品2が一体に形成されており、基板や接続配線が、電子部品2間を接続する必要がない。複数の電子部品2を備える電子部品122は、たとえば広い周波数帯域でノイズを除去したり、複数の周波数帯域でノイズを除去したりすることができる。電子部品122は、各電子部品2に代えて、第2の実施の形態から第5の実施の形態で既述した電子部品42、52、62、72を有していてもよい。電子部品が代えられても、複数の電子部品が一体に形成され、基板や接続配線が電子部品間を接続する必要がない。電子部品が代えられても、電子部品122は、たとえば広い周波数帯域でノイズを除去したり、複数の周波数帯域でノイズを除去したりすることができる。
[0190]
 また、図26に示すように、電子部品132は、各磁性体4が磁性体4-1、4-2を含む複数の磁性体4(たとえば二つの磁性体4)および一つの導体6を備え、一つの導体6が複数の磁性体4の中空部13に配置されるとともに中空部13から突出していてもよい。
[0191]
 導体6は、たとえば、導体6の両端部が平行になるように二か所で90度に曲げられている。また、二つの磁性体4は、これらの中空部13が平行になるように並べられている。そして、導体6の両端部が二つの磁性体4の中空部13に挿入されて、電子部品132が形成されている。第7の実施の形態と同様に、積層部8およびレジスト層10が導体6の表面に形成され、リード導体12が積層部8に接続される。その結果、電子部品132は、直列に接続された複数の電子部品132-1、132-2を有することになる。各電子部品132-1、132-2は、たとえば第7の実施の形態で既述した電子部品92と同様である。電子部品132の分布定数回路として表した等価回路は、たとえば図21のBに示されている電子部品92の分布定数回路として表した等価回路を直列に接続することにより表される。図26のBは、電子部品132の分布定数回路として表した等価回路の一例を示している。図26のBにおいて、等価回路134-1は、電子部品132-1の分布定数回路として表した等価回路であり、等価回路134-2は、電子部品132-2の分布定数回路として表した等価回路である。図26のBに示されている分布定数回路として表した等価回路において、インダクタL111、L121のインダクタンスは、同じ値でも異なる値でもよく、インダクタL112、L122のインダクタンスは、同じ値でも異なる値でもよく、容量C111、C121は同じ容量値でも異なる容量値でもよい。
[0192]
 電子部品132の入力部INには、電子部品132-1の磁性体4によりインダクタL111が形成される。このインダクタL111は、たとえば、容量C111、C121の定格電圧より高い電圧(たとえば20~30ボルト)を有するノイズを減衰させるように調整される。この高い電圧を有するノイズは、過電圧の一例であり、たとえば電源の電圧(たとえば12ボルト)が変動したときに生じる可能性があり、電子部品132に流れ込む直流電流に混入する可能性がある。そこで、電子部品132の入力部IN側でインダクタL111がこのノイズを減衰させることで、容量C111、C121のフィルタリング性能の低下を抑制することができる。電子部品132の出力部OUTには、電子部品132-2の磁性体4によりインダクタL121が形成されているので、電子部品132の出力部OUTが入力側に設置されても、電子部品132のインダクタL121がこのノイズを減衰させて、容量C111、C121のフィルタリング性能の低下を抑制することができる。
[0193]
 電子部品132では、複数の電子部品132-1、132-2が一体に形成されており、基板や接続配線が、電子部品132-1、132-2間を接続する必要がない。複数の電子部品132-1、132-2を備える電子部品132は、たとえば広い周波数帯域でノイズを除去したり、複数の周波数帯域でノイズを除去したりしてもよい。電子部品132は、各電子部品92に代えて、第6の実施の形態で既述した電子部品82、第8の実施の形態で既述した電子部品102または第9の実施の形態で既述した電子部品112を有していてもよい。電子部品が代えられても、複数の電子部品が一体に形成され、基板や接続配線が電子部品間を接続する必要がなく、電子部品132は、たとえば過電圧とノイズを除去したり、広い周波数帯域でノイズを除去したり、複数の周波数帯域でノイズを除去したりすることができる。
[0194]
 (5) 上記第1の実施の形態から第3の実施の形態、第5の実施の形態、第7の実施の形態から第9の実施の形態では、図1のBに示すように、レジスト層10は、エッチングおよび化成処理された導体6の表面、つまり誘電体層14の表面に形成されている。しかしながら、図27のAおよび図27のBに示されているように、レジスト層10は、化成処理前の導体6の表面に形成されていてもよい。つまり、誘電体層14は、積層部8の電極層16と導体6との間のみに形成されて、レジスト層10が導体6の表面に形成されていてもよい。また、レジスト層10は、エッチング前の導体6の表面に形成されていてもよい。抵抗を有するレジスト層10が、積層部8の電極層16と導体6との間を絶縁し、電極層16と導体6との間の短絡を防止することができる。その結果、短絡に注意することなくカーボン層16-3および銀層16-4を導体6の表面に形成することができる。
[0195]
 (6) 上記第1の実施の形態から第3の実施の形態、第5の実施の形態、第7の実施の形態から第9の実施の形態では、図1のBに示すように、レジスト層10は、固体電解質層16-2の外側表面と同じ高さを有している。しかしながら、図27のAおよび図27のBに示されているように、レジスト層10は、固体電解質層16-2の外側表面よりも高い高さ、たとえば銀層16-4の外側表面と同じ高さを有していてもよい。つまり、所定の高さを有する複数のレジスト層10を形成し、カーボン層16-3および銀層16-4を複数のレジスト層10の間に形成して、銀層16-4の外側表面をレジスト層10の外側表面に一致させてもよい。レジスト層10は、銀層16-4の外側表面と同じ高さであってもよく、異なっていてもよい。
[0196]
 積層部8側のレジスト層10の表面は、図27のAに示すように、一つの平面であってもよく、図27のBに示すように、段差を有する平面であってもよい。レジスト層10の表面が段差を有するとき、図27のBに示すように、レジスト層10の上部が、積層部8側に突出して、カーボン層16-3および銀層16-4の端部が、積層部8の中央側に後退していてもよく、レジスト層10の上部が、レジスト層10の中央側に後退して、カーボン層16-3および銀層16-4の端部が、レジスト層10側に突出していてもよい。つまり、カーボン層16-3および銀層16-4は、固体電解質層16-2に電気的に接続すればよく、カーボン層16-3および銀層16-4の位置を、固体電解質層16-2の位置に一致させる必要はない。また、レジスト層10が、導体6と電極層16との間を絶縁できるのであれば、レジスト層10の形状は、自由に設定してもよい。
[0197]
 (7) 磁性体4の絶縁層は、磁性体4の箔の内側表面および外側表面に形成されていてもよい。絶縁層が両面に形成されると、磁性体4の絶縁性が高められ、ノイズ電流により生じる渦電流を磁性体4の各層に分割しやすくなり、ノイズを効率的に熱に変換しやすくなる。また、磁性体4では、絶縁層が省略されていてもよい。
[0198]
 (8) 上記実施の形態では、磁性体4は、たとえば磁性を有する箔を巻くことにより形成されているが、複数の磁性箔を積層した上で巻回して磁性体4を形成してもよい。複数の磁性箔を積層した上で巻回して磁性体を形成すると、巻回数を少なくでき、生産性が高められる。また、薄い磁性箔で形成した磁性体は、厚い磁性箔で形成した磁性体に比べて、高周波領域において増大する渦電流を抑制して、表皮効果を緩和することができる。そのため、薄い磁性箔で形成した磁性体は、透磁率の低下を抑制して、電子部品2、42、52、62、72、82、92、102、112が高周波領域まで高いインピーダンスを得ることができる。したがって、薄い磁性箔を積層した上で巻回して磁性体を形成することで、生産性を向上させつつ、高周波領域おいて高いインピーダンスを持つ電子部品を製造することができる。この場合において、複数の磁性箔の少なくとも一つに絶縁層が形成されていてもよい。
[0199]
 (9) 上記第1の実施の形態から第5の実施の形態では、一種の磁性材料で磁性体4が形成されているが、磁性体4は、上記第1の実施の形態から第5の実施の形態の磁性体4に限らない。異なる磁性材料からなる複数の磁性箔で磁性体4を形成してもよい。磁性体4が異なる磁性材料からなる複数の磁性箔を有すると、それぞれの磁性材料の特性を備える電子部品が得られる。たとえば、第6の実施の形態で既述したように、コバルト系アモルファス材料のような高透磁率の磁性材料からなる磁性箔と、鉄系アモルファス材料のような磁性材料からなる磁性箔で磁性体を形成すると、大電流・低電流のいずれが流れてもインダクタンスが確保できる。また、複数の磁性材料が透磁率の周波数特性において異なると、磁性材料がそれぞれ異なる周波数帯においてノイズなどの信号を抑制することができる。異なる磁性材料は、一方の磁性材料からなる磁性箔を巻回して形成した磁性体の外周に、他方の磁性材料からなる磁性箔を巻回して磁性体を形成してもよく、異なる磁性材料からなる磁性箔を積層して、積層された磁性箔を巻回して磁性体を形成してもよい。この場合において、磁性箔の少なくとも片側には絶縁層が形成されていてもよい。磁性体4が複数の箔を有し、この複数の箔の素材がそれぞれ異なると、電子部品2、42、52、62、72、82、92、102、112は、複数のインダクタンス特性を有することができ、ノイズカットなどの機能の調整の自由度が高められる。
[0200]
 (10) 上記第6の実施の形態から第9の実施の形態では、磁性体4は、第1の磁性体4-1、および第2の磁性体4-2を含んでいるが、たとえば磁性材料が異なる複数の磁性箔を積層した状態で巻回して磁性体4を形成してもよい。複数の磁性箔を積層した状態で巻回して磁性体を形成すると、一つの磁性体が複数の磁性材料を含むことができ、既述の複数の種類の低減対象を低減することができる。また、複数の磁性箔を積層した上で巻回して磁性体を形成すると、巻回数を少なくでき、生産性が高められる。また、薄い磁性箔で形成した磁性体は、厚い磁性箔で形成した磁性体に比べて、高周波領域において増大する渦電流を抑制して、表皮効果を緩和することができる。そのため、薄い磁性箔で形成した磁性体は、透磁率の低下を抑制して、電子部品82、92、102、112が高周波領域まで高いインピーダンスを得ることができる。したがって、薄い磁性箔を積層した上で巻回して磁性体を形成することで、生産性を向上させつつ、高周波領域おいて高いインピーダンスを持つ電子部品を製造することができる。この場合において、複数の磁性箔の少なくとも一つに絶縁層が形成されていてもよい。
[0201]
 異なる磁性材料は、一方の磁性材料からなる磁性箔を巻回して形成した磁性体の外周に、他方の磁性材料からなる磁性箔を巻回して磁性体を形成してもよく、異なる磁性材料からなる磁性箔を積層して、積層された磁性箔を巻回して磁性体を形成してもよい。この場合において、磁性箔の少なくとも片側には絶縁層が形成されていてもよい。磁性体4が複数の箔を有し、この複数の箔の素材がそれぞれ異なると、電子部品82、92、102、112は、複数のインダクタンス特性を有することができ、ノイズカットなどの機能の調整の自由度が高められる。
[0202]
 (11) 上記実施の形態では、プレコート層16-1と固体電解質層16-2を別々の工程で形成しているが、プレコート層16-1を省略して固体電解質層16-2のみを形成してもよい。また、プレコート層16-1および固体電解質層16-2は、化学重合および電解重合以外の方法で形成してもよい。化学重合および電解重合以外の方法は、たとえば溶媒およびこの溶媒に分散された導電性高分子微粒子または粉末を含む分散液を塗布する方法である。また、導電性高分子層の代わりに、たとえば熱分解法によって、導電性酸化物層が形成されてもよい。また、プレコート層16-1は、化学重合によって形成したが、これに限らず、カーボン等導電性の材料を塗布、塗工する方法によってもよい。
[0203]
 (12) 上記第1の実施の形態、第3の実施の形態、第6の実施の形態、第7の実施の形態、および第9の実施の形態では、磁性体4と、導体6、積層部8、8-1、8-2またはレジスト層10の間に空間が形成されているが、この空間がなく、導体6、積層部8、8-1、8-2およびレジスト層10が磁性体4に接触していてもよい。また、上記実施の形態では、導体6、積層部8、8-1、8-2および磁性体4が同心円を形成しているが、導体6および積層部8、8-1、8-2が偏り、磁性体4に接触していてもよい。導体6、積層部8、8-1、8-2および磁性体4の接触により伝導熱量が増加し、導体6などで生じた熱の放熱性が高められる。
[0204]
 (13) 上記第1の実施の形態から第3の実施の形態、第5の実施の形態、第7の実施の形態から第9の実施の形態では、導体6の側面にエッチングが施されているが、エッチングが施されずに導体6の表面に誘電体層14が形成されていてもよい。エッチングを施さないことで導体6の表面積は拡大せず、得られる容量は小さくなるが、低抵抗化を図れる。
[0205]
 (14) 上記実施の形態では、各電子部品がたとえば高周波を処理しているが、低周波を処理してもよい。低周波を処理する電子部品の等価回路は、高周波の場合と異なり集中定数回路として表すことができる。しかしながら、電子部品が低周波を処理する場合であっても、高周波の場合と同様に、回路形態の設定自由度を高くすることができる。
[0206]
 (15) 上記実施の形態では、導体6が磁性体4の中空部13から突出しているが、導体6は、磁性体4の中空部13を貫通していればよい。たとえば、導体6の端部の位置は、磁性体4の端部の位置と一致していてもよい。
[0207]
 (16) 上記第3の実施の形態、第5の実施の形態、および第9の実施の形態では、積層部8-1、8-2により二つの容量が形成されているが、三以上の積層部が形成されて三以上の容量が形成されていてもよい。容量の形成数および各容量の容量値は、電子部品2、42、52、62、72、82、92、102、112の目的に応じて設定されればよい。
[0208]
 (17) 上記第3の実施の形態、第5の実施の形態、および第9の実施の形態では、マスキング工程において、固体電解質層形成面22-1、22-2の長さを異ならせ、その後の固体電解質層形成工程で形成される固体電解質層16-2の長さを異ならせることによって、容量の異なる複数の積層部を形成した。しかしながら、たとえば、マスキング工程をエッチング工程の前に行い、所望の容量が得られるエッチング領域をマスキングにより予め定めた後、当該領域にエッチング工程、誘電体層形成工程、電極層形成工程をこの順に行ってもよい。このように、手順を変更してもよい。また、エッチングの条件を異ならせて導体6の固体電解質層形成面22-1、22-2の表面積を異ならせることで容量の異なる複数の積層部を形成してもよい。
[0209]
 (18) 上記第6の実施の形態から第9の実施の形態では、磁性体4が第1の磁性体4-1および第2の磁性体4-2を含んでいた。磁性体4は、三つ以上の磁性体を含んでいてもよい。
[0210]
 以上説明したように、本開示の最も好ましい実施の形態等について説明したが、本発明は、上記記載に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載され、または明細書に開示された発明の要旨に基づき、当業者において様々な変形や変更が可能であることは勿論であり、斯かる変形や変更が、本発明の範囲に含まれることは言うまでもない。

産業上の利用可能性

[0211]
 本開示の技術は、たとえばスイッチング電源などのノイズ発生源のノイズの除去に用いることができ、有用である。

符号の説明

[0212]
 2、42、52、62、72、82、92、102、112、122、132 電子部品
 4、4-1、4-2 磁性体
 6 導体
 8、8-1、8-2 積層部
 10 レジスト層
 12、12-1、12-2 リード導体
 13 中空部
 14 誘電体層
 16 電極層
 16-1 プレコート層
 16-2 固体電解質層
 16-3 カーボン層
 16-4 銀層
 24 マスキング部材
 44 樹脂

請求の範囲

[請求項1]
 中空部を有する磁性体と、
 前記磁性体の中空部を貫通し、前記中空部から突出する導体と、
 前記導体の表面に形成されている誘電体層と、
 前記誘電体層の表面に形成されている固体電解質層と、
 前記固体電解質層に電気的に接続されている引出層と、
 を備えることを特徴とする電子部品。
[請求項2]
 前記磁性体が筒形状を有し、前記導体が筒形状または円柱形状を有し、前記磁性体および前記導体が同軸上に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の電子部品。
[請求項3]
 前記誘電体層の一部および前記固体電解質層の一部が前記磁性体の前記中空部内に配置されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の電子部品。
[請求項4]
 前記固体電解質層は、すべて前記磁性体の前記中空部内に配置され、または前記固体電解質層の一部は、前記磁性体から露出していることを特徴とする請求項3に記載の電子部品。
[請求項5]
 前記固体電解質層は、複数の固体電解質層を含み、
 前記引出層は、前記複数の固体電解質層にそれぞれ電気的に接続されている複数の引出層を含み、
 前記複数の固体電解質層と前記導体の間に複数の容量が形成され、前記複数の容量の容量値が異なることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか一項に記載の電子部品。
[請求項6]
 前記複数の引出層に接続するリード導体をさらに備え、
 前記リード導体は、前記磁性体と前記導体の間を通って前記中空部の外側に導出されることを特徴とする請求項5に記載の電子部品。
[請求項7]
 さらに、前記磁性体と前記導体との間に配置されるとともに前記磁性体および前記導体に接触する樹脂を備えることを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれか一項に記載の電子部品。
[請求項8]
 前記樹脂は、前記磁性体と前記導体との間に充填されていることを特徴とする請求項7に記載の電子部品。
[請求項9]
 前記磁性体が筒形状を有し、前記導体が筒形状または円柱形状を有し、前記磁性体および前記導体が前記樹脂により同軸上に固定されることを特徴とする請求項7または請求項8に記載の電子部品。
[請求項10]
 前記樹脂は、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂または硬化剤により架橋可能な樹脂であることを特徴とする請求項7ないし請求項9のいずれか一項に記載の電子部品。
[請求項11]
 前記樹脂が伝熱フィラーを含むことを特徴とする請求項7ないし請求項10のいずれか一項に記載の電子部品。
[請求項12]
 前記磁性体は、第1の磁性材料と、該第1の磁性材料とは異なる第2の磁性材料を含むことを特徴とする請求項1ないし請求項11のいずれか一項に記載の電子部品。
[請求項13]
 前記第1の磁性材料および前記第2の磁性材料が帯状であり、
 前記帯状の第1の磁性材料および前記帯状の第2の磁性材料が積層した状態で巻回されていることを特徴とする請求項12に記載の電子部品。
[請求項14]
 前記第1の磁性材料は、帯状であり、巻回され、
 前記第2の磁性材料は、帯状であり、巻回され、
 前記巻回された第1の磁性材料と前記巻回された第2の磁性材料とが隣接して配置されていることを特徴とする請求項12に記載の電子部品。
[請求項15]
 前記導体と前記磁性体がインダクタを形成し、前記第1の磁性材料を含むことにより、前記電子部品に加わる過電圧を低減させることを特徴とする請求項12に記載の電子部品。
[請求項16]
 前記磁性体は、
 前記第1の磁性材料を含み、前記中空部の一部を有する第1の磁性体と、
 前記第2の磁性材料を含み、前記中空部の別の一部を有する第2の磁性体と、
を含み、前記第1の磁性体は、前記第2の磁性体の隣に配置されていることを特徴とする請求項12または請求項15に記載の電子部品。
[請求項17]
 前記第1の磁性体は、前記第2の磁性体に接合されていることを特徴とする請求項16に記載の電子部品。
[請求項18]
 前記磁性体は、前記第1の磁性材料を含む第1の磁性箔と、前記第2の磁性材料を含む第2の磁性箔を含み、前記第1の磁性箔および前記第2の磁性箔は互いに積層されるとともに巻回されていることを特徴とする請求項12または請求項15に記載の電子部品。
[請求項19]
 前記第1の磁性材料および前記第2の磁性材料は、珪素鋼、軟磁性結晶材、ナノクリスタル材、アモルファス金属またはアモルファス合金であることを特徴とする請求項12ないし請求項18のいずれか一項に記載の電子部品。
[請求項20]
 中空部を有する磁性体を形成する工程と、
 導体の表面に、順に、誘電体層、固体電解質層および引出層を形成する工程と、
 前記誘電体層、前記固体電解質層および前記引出層が形成された前記導体を前記磁性体の前記中空部に挿入して、前記導体を前記中空部内に配置するとともに前記導体の端部を前記中空部から突出させる工程と、
 を含むことを特徴とする電子部品の製造方法。
[請求項21]
 中空部を有する磁性体を形成する工程と、
 導体の表面に、順に、誘電体層、複数の固体電解質層および複数の引出層を形成して、前記複数の固体電解質層と前記導体の間に容量値が異なる複数の容量を形成する工程と、
 前記誘電体層、前記複数の固体電解質層および前記複数の引出層が形成された前記導体を前記磁性体の前記中空部に挿入して、前記導体を前記中空部内に配置するとともに前記導体の端部を前記中空部から突出させる工程と、
 を含むことを特徴とする電子部品の製造方法。
[請求項22]
 さらに、前記磁性体と前記導体との間に樹脂を注入して、注入された樹脂を前記磁性体および前記導体に接触させる工程と、
 を含むことを特徴とする請求項20または請求項21に記載の電子部品の製造方法。
[請求項23]
 磁性体は、第1の磁性材料と、該第1の磁性材料とは異なる第2の磁性材料を含むことを特徴とする請求項20ないし請求項22のいずれか一項に記載の電子部品の製造方法。

図面

[ 図 1]

[ 図 2]

[ 図 3]

[ 図 4]

[ 図 5]

[ 図 6]

[ 図 7]

[ 図 8]

[ 図 9]

[ 図 10]

[ 図 11]

[ 図 12]

[ 図 13]

[ 図 14]

[ 図 15]

[ 図 16]

[ 図 17]

[ 図 18]

[ 図 19]

[ 図 20]

[ 図 21]

[ 図 22]

[ 図 23]

[ 図 24]

[ 図 25]

[ 図 26]

[ 図 27]